খবর

SiC এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়া চলাকালীন, SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসপেনশন ব্যর্থতা ঘটতে পারে। এই কাগজটি SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসপেনশনের ব্যর্থতার ঘটনাটির একটি কঠোর বিশ্লেষণ পরিচালনা করে, যার মধ্যে প্রধানত দুটি কারণ রয়েছে: SiC এপিটাক্সিয়াল গ্যাস ব্যর্থতা এবং SiC আবরণ ব্যর্থতা।

এই নিবন্ধটি মূলত সম্পর্কিত প্রক্রিয়া সুবিধা এবং আণবিক মরীচি এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়া এবং ধাতব-জৈব রাসায়নিক বাষ্প জমা প্রযুক্তি প্রযুক্তিগুলির পার্থক্য নিয়ে আলোচনা করে।

ভেটেক সেমিকন্ডাক্টরের ছিদ্রযুক্ত ট্যানটালাম কার্বাইড, এসআইসি স্ফটিক বৃদ্ধির উপাদানগুলির একটি নতুন প্রজন্ম হিসাবে, অনেকগুলি দুর্দান্ত পণ্য বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং বিভিন্ন ধরণের অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তিতে মূল ভূমিকা পালন করে।