খবর

ক্রমাগত প্রযুক্তিগত অগ্রগতি এবং গভীরতর প্রক্রিয়া গবেষণার মাধ্যমে, 3C-SiC হেটেরোপিট্যাক্সিয়াল প্রযুক্তি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে আরও গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করবে এবং উচ্চ-দক্ষতাসম্পন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশকে উন্নীত করবে বলে আশা করা হচ্ছে।

স্থানিক ALD, স্থানিকভাবে বিচ্ছিন্ন পারমাণবিক স্তর জমা। ওয়েফারটি বিভিন্ন অবস্থানের মধ্যে চলে যায় এবং প্রতিটি অবস্থানে বিভিন্ন অগ্রদূতের সংস্পর্শে আসে। নীচের চিত্রটি ঐতিহ্যগত ALD এবং স্থানিকভাবে বিচ্ছিন্ন ALD এর মধ্যে একটি তুলনা।

সম্প্রতি, জার্মান গবেষণা ইনস্টিটিউট ফ্রেউনহোফার আইআইএসবি ট্যানটালাম কার্বাইড লেপ প্রযুক্তির গবেষণা এবং বিকাশে একটি অগ্রগতি অর্জন করেছে এবং একটি স্প্রে লেপ সমাধান তৈরি করেছে যা সিভিডি ডিপোজিশন সলিউশনের চেয়ে আরও নমনীয় এবং পরিবেশ বান্ধব এবং এটি বাণিজ্যিকীকরণ করা হয়েছে।