ASM-এর জন্য Veteksemicon SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টর হল সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়ার একটি মূল ক্যারিয়ার উপাদান। এই পণ্যটি উচ্চ-তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী প্রক্রিয়া পরিবেশে উচ্চতর কর্মক্ষমতা এবং একটি অতি-দীর্ঘ জীবনকাল নিশ্চিত করতে আমাদের মালিকানাধীন পাইরোলাইটিক সিলিকন কার্বাইড লেপ প্রযুক্তি এবং নির্ভুল মেশিনিং প্রক্রিয়াগুলি ব্যবহার করে। আমরা সাবস্ট্রেট বিশুদ্ধতা, তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং সামঞ্জস্যের উপর এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াগুলির কঠোর প্রয়োজনীয়তাগুলি গভীরভাবে বুঝতে পারি এবং গ্রাহকদের স্থিতিশীল, নির্ভরযোগ্য সমাধান প্রদান করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ যা সামগ্রিক সরঞ্জামের কার্যকারিতা বাড়ায়।
✔ আবেদন: Veteksemicon SiC-কোটেড গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট হল ASM সিরিজের এপিটাক্সিয়াল সরঞ্জামের জন্য একটি কী ব্যবহারযোগ্য। এটি সরাসরি ওয়েফারকে সমর্থন করে এবং উচ্চ-তাপমাত্রার এপিটাক্সির সময় একটি অভিন্ন এবং স্থিতিশীল তাপীয় ক্ষেত্র সরবরাহ করে, এটিকে উন্নত সেমিকন্ডাক্টর উপকরণ যেমন GaN এবং SiC এর উচ্চ-মানের বৃদ্ধি নিশ্চিত করার জন্য একটি মূল উপাদান করে তোলে।
✔ পরিষেবা যা প্রদান করা যেতে পারে: গ্রাহক অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যকল্প বিশ্লেষণ, ম্যাচিং উপকরণ, প্রযুক্তিগত সমস্যা সমাধান।
✔ কোম্পানির প্রোফাইল:Veteksemicon-এর 2টি পরীক্ষাগার রয়েছে, বিশেষজ্ঞদের একটি দল যাদের 20 বছরের উপাদান অভিজ্ঞতা, R&D এবং উৎপাদন, পরীক্ষা এবং যাচাইয়ের ক্ষমতা রয়েছে।
প্রযুক্তিগত পরামিতি
প্রকল্প
প্যারামিটার
প্রযোজ্য মডেল
এএসএম সিরিজের এপিটাক্সিয়াল সরঞ্জাম
বেস উপাদান
উচ্চ-বিশুদ্ধতা, উচ্চ-ঘনত্ব আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট
আবরণ উপাদান
উচ্চ-বিশুদ্ধতা পাইরোলাইটিক সিলিকন কার্বাইড
আবরণ বেধ
স্ট্যান্ডার্ড বেধ 80-150 μm (গ্রাহকের প্রক্রিয়ার প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী কাস্টমাইজ করা যায়)
পৃষ্ঠের রুক্ষতা
আবরণ পৃষ্ঠ Ra ≤ 0.5 μm (প্রক্রিয়ার প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী পালিশ করা যেতে পারে)
ধারাবাহিকতা গ্যারান্টি
স্থিতিশীল এবং নির্ভরযোগ্য গুণমান নিশ্চিত করতে কারখানা ছাড়ার আগে প্রতিটি পণ্য কঠোর চেহারা, মাত্রিক এবং এডি বর্তমান পরীক্ষার মধ্য দিয়ে যায়
ASM মূল সুবিধার জন্য Veteksemicon SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টর
1. চরম বিশুদ্ধতা এবং কম ত্রুটি হার
আমাদের কঠোরভাবে নিয়ন্ত্রিত রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) আবরণ প্রক্রিয়ার সাথে মিলিত উচ্চ-বিশুদ্ধতা, সূক্ষ্ম-কণা-গ্রেডের বিশেষ গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট ব্যবহার করে, আমরা নিশ্চিত করি যে আবরণটি ঘন, পিনহোল মুক্ত এবং অমেধ্য মুক্ত। এটি উল্লেখযোগ্যভাবে এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়া চলাকালীন কণা দূষণের ঝুঁকি হ্রাস করে, উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির বৃদ্ধির জন্য একটি পরিষ্কার স্তর পরিবেশ প্রদান করে।
2. চমৎকার জারা প্রতিরোধের এবং পরিধান প্রতিরোধের
পাইরোলাইটিক সিলিকন কার্বাইড আবরণ অত্যন্ত উচ্চ কঠোরতা এবং রাসায়নিক জড়তা ধারণ করে, কার্যকরভাবে উচ্চ তাপমাত্রায় সিলিকন উত্স (যেমন SiH4, SiHCl3), কার্বন উত্স (যেমন C3H8) এবং এচিং গ্যাস (যেমন HCl, H2) এর ক্ষয় প্রতিরোধ করে। এটি উল্লেখযোগ্যভাবে বেসের রক্ষণাবেক্ষণ চক্রকে প্রসারিত করে এবং উপাদান প্রতিস্থাপনের কারণে মেশিনের ডাউনটাইম হ্রাস করে।
3. চমৎকার তাপীয় অভিন্নতা এবং স্থায়িত্ব
আমরা সুনির্দিষ্ট সাবস্ট্রেট স্ট্রাকচার ডিজাইন এবং লেপ বেধ নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে অপারেটিং তাপমাত্রা সীমার মধ্যে তাপীয় ক্ষেত্রের বন্টনকে অপ্টিমাইজ করেছি। এটি সরাসরি এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারে চমৎকার বেধ এবং প্রতিরোধক অভিন্নতায় অনুবাদ করে, উন্নত চিপ উত্পাদন ফলনে অবদান রাখে।
4. চমৎকার আবরণ আনুগত্য শক্তি
অনন্য পৃষ্ঠের প্রিট্রিটমেন্ট এবং গ্রেডিয়েন্ট লেপ প্রযুক্তি সিলিকন কার্বাইড আবরণকে গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটের সাথে একটি শক্তিশালী বন্ধন স্তর তৈরি করতে সক্ষম করে, কার্যকরভাবে আবরণের খোসা, ফ্ল্যাকিং বা ক্র্যাকিং সমস্যাগুলি প্রতিরোধ করে যা দীর্ঘমেয়াদী তাপ সাইক্লিংয়ের সময় ঘটতে পারে।
5. সুনির্দিষ্ট আকার এবং কাঠামোগত প্রতিলিপি
আমাদের কাছে পরিপক্ক CNC মেশিনিং এবং টেস্টিং ক্ষমতা রয়েছে, যা আমাদেরকে গ্রাহকের প্ল্যাটফর্মের সাথে নিখুঁত ম্যাচিং এবং প্লাগ-এন্ড-প্লে কার্যকারিতা নিশ্চিত করে মূল বেসের জটিল জ্যামিতি, গহ্বরের মাত্রা এবং মাউন্টিং ইন্টারফেসগুলি সম্পূর্ণরূপে প্রতিলিপি করতে সক্ষম করে।
6. পরিবেশগত চেইন যাচাইকরণ অনুমোদন
ASM' ইকোলজিক্যাল চেইন যাচাইকরণের জন্য Veteksemicon SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসেপ্টর উত্পাদনের কাঁচামাল কভার করে, আন্তর্জাতিক মানের সার্টিফিকেশন পাস করেছে, এবং সেমিকন্ডাক্টর এবং নতুন শক্তি ক্ষেত্রে এর নির্ভরযোগ্যতা এবং স্থায়িত্ব নিশ্চিত করার জন্য বেশ কয়েকটি পেটেন্ট প্রযুক্তি রয়েছে।
বিস্তারিত প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্য, সাদা কাগজপত্র, বা নমুনা পরীক্ষার ব্যবস্থার জন্য, ভেটেক্সেমিকন কীভাবে আপনার প্রক্রিয়ার দক্ষতা বাড়াতে পারে তা অন্বেষণ করতে দয়া করে আমাদের প্রযুক্তিগত সহায়তা দলের সাথে যোগাযোগ করুন।
প্রধান অ্যাপ্লিকেশন ক্ষেত্র
আবেদনের দিকনির্দেশ
সাধারণ দৃশ্যকল্প
SiC পাওয়ার ডিভাইস উত্পাদন
SiC হোমোপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধিতে, সাবস্ট্রেটটি সরাসরি সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটকে সমর্থন করে, 1600 ডিগ্রি সেলসিয়াসের বেশি তাপমাত্রা এবং একটি উচ্চ খোদাইযোগ্য গ্যাস পরিবেশের সম্মুখীন হয়।
সিলিকন-ভিত্তিক আরএফ এবং পাওয়ার ডিভাইস উত্পাদন
সিলিকন সাবস্ট্রেটগুলিতে এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলি বৃদ্ধি করতে ব্যবহৃত হয়, উচ্চ-সম্পদ পাওয়ার ডিভাইস যেমন ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (আইজিবিটি), সুপারজংশন এমওএসএফইটি এবং রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি (আরএফ) ডিভাইস তৈরির ভিত্তি হিসাবে কাজ করে।
তৃতীয় প্রজন্মের যৌগিক সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সি
উদাহরণস্বরূপ, GaN-on-Si (সিলিকনে গ্যালিয়াম নাইট্রাইড) হেটেরোপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধিতে, এটি নীলকান্তমণি বা সিলিকন সাবস্ট্রেটকে সমর্থনকারী একটি মূল উপাদান হিসাবে কাজ করে।
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
আমরা আপনাকে একটি ভাল ব্রাউজিং অভিজ্ঞতা দিতে, সাইটের ট্র্যাফিক বিশ্লেষণ করতে এবং সামগ্রী ব্যক্তিগতকৃত করতে কুকিজ ব্যবহার করি। এই সাইটটি ব্যবহার করে, আপনি আমাদের কুকিজ ব্যবহারে সম্মত হন। গোপনীয়তা নীতি