এমওসিভিডির জন্য সিক লেপযুক্ত স্যাটেলাইট কভার

চীনের শীর্ষস্থানীয় এসআইসি প্রলিপ্ত এমওসিভিডি স্যাটেলাইট কভার প্রস্তুতকারক হিসাবে, ভিটেকসেমকন সেমিকন্ডাক্টর শিল্পকে উচ্চ কার্যকারিতা এপিট্যাক্সিয়াল প্রক্রিয়া সমাধান সরবরাহ করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ। আমাদের এমওসিভিডি এসআইসি প্রলিপ্ত কভারগুলি সাবধানতার সাথে ডিজাইন করা হয় এবং সাধারণত স্যাটেলাইট সংবেদনশীল সিস্টেমে (এসএসএস) ব্যবহার করা হয় যা প্রবৃদ্ধির পরিবেশকে অনুকূল করতে এবং এপিট্যাক্সিয়াল মানের উন্নত করতে ওয়েফার বা নমুনাগুলি সমর্থন এবং কভার করতে পারে।

মূল উপকরণ এবং কাঠামো

● সাবস্ট্রেট: এসআইসি লেপযুক্ত কভারটি সাধারণত উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট বা সিরামিক সাবস্ট্রেট যেমন আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট দিয়ে তৈরি হয়, ভাল যান্ত্রিক শক্তি এবং হালকা ওজন সরবরাহ করতে।

●  পৃষ্ঠের আবরণ: উচ্চ তাপমাত্রা, জারা এবং কণা দূষণের প্রতিরোধের বাড়ানোর জন্য রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (সিভিডি) প্রক্রিয়া ব্যবহার করে একটি উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) উপাদান প্রলেপযুক্ত।

●  ফর্ম: সাধারণত ডিস্ক-আকৃতির বা এমওসিভিডি সরঞ্জামগুলির বিভিন্ন মডেল (উদাঃ, ভিকো, আইক্সট্রন) সমন্বিত করতে বিশেষ কাঠামোগত নকশাগুলির সাথে।

এমওসিভিডি প্রক্রিয়াতে ব্যবহার এবং মূল ভূমিকা:

এমওসিভিডির জন্য এসআইসি লেপযুক্ত স্যাটেলাইট কভারটি মূলত এমওসিভিডি এপিটিএএক্সিয়াল গ্রোথ রিঅ্যাকশন চেম্বারে ব্যবহৃত হয় এবং এর কার্যকারিতাগুলির মধ্যে রয়েছে:

(1) ওয়েফারদের রক্ষা করা এবং তাপমাত্রা বিতরণকে অনুকূলিত করা

এমওসিভিডি সরঞ্জামগুলিতে মূল তাপের ield ালিং উপাদান হিসাবে, এটি অ-ইউনিফর্ম হিটিং হ্রাস করতে এবং বৃদ্ধির তাপমাত্রার অভিন্নতা উন্নত করতে ওয়েফারের ঘেরটি covers েকে দেয়।

বৈশিষ্ট্য: সিলিকন কার্বাইড লেপ ভাল উচ্চ তাপমাত্রার স্থায়িত্ব এবং তাপ পরিবাহিতা (300w.m)^-1-K^-1), যা এপিট্যাক্সিয়াল স্তর বেধ এবং ডোপিং অভিন্নতা উন্নত করতে সহায়তা করে।

(২) কণা দূষণ রোধ করুন এবং এপিট্যাক্সিয়াল স্তর মানের উন্নত করুন

এসআইসি লেপের ঘন এবং জারা-প্রতিরোধী পৃষ্ঠটি উত্স গ্যাসগুলি (উদাঃ টিএমজিএ, টিএমএল, এনএইচ₃) এমওসিভিডি প্রক্রিয়া চলাকালীন সাবস্ট্রেটের সাথে প্রতিক্রিয়া জানাতে বাধা দেয় এবং কণা দূষণকে হ্রাস করে।

বৈশিষ্ট্য: এর স্বল্প শোষণের বৈশিষ্ট্যগুলি ডিপোজির অবশিষ্টাংশকে হ্রাস করে, গাএন এর ফলন উন্নত করে, সিক এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফারের।

(3) উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের, সরঞ্জামের পরিষেবা জীবন দীর্ঘায়িত করা

উচ্চ তাপমাত্রা (> 1000 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড) এবং ক্ষয়কারী গ্যাসগুলি (উদাঃ এনএইচ, এইচ) এমওসিভিডি প্রক্রিয়াতে ব্যবহৃত হয়। এসআইসি লেপগুলি রাসায়নিক ক্ষয় প্রতিরোধ এবং সরঞ্জাম রক্ষণাবেক্ষণের ব্যয় হ্রাস করতে কার্যকর।

বৈশিষ্ট্য: এর তাপীয় প্রসারণের কম সহগের কারণে (4.5 × 10)^-6K^-1), এসআইসি মাত্রিক স্থায়িত্ব বজায় রাখে এবং তাপ সাইক্লিং পরিবেশে বিকৃতি এড়ায়।

সিভিডি লেপ ফিল্ম স্ফটিক কাঠামো ：

সিভিডি এসআইসি লেপের প্রাথমিক শারীরিক বৈশিষ্ট্য

এমওসিভিডি পণ্য শপের জন্য ভিটসেমিকনের এসআইসি লেপযুক্ত স্যাটেলাইট কভার: