4H N-টাইপ SiC সাবস্ট্রেট

এটি অর্ধপরিবাহী4H N-টাইপ SiC সাবস্ট্রেটপণ্যগুলির চমৎকার বৈদ্যুতিক, তাপীয় এবং যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য রয়েছে, তাই এই পণ্যটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির প্রক্রিয়াকরণে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় যার জন্য উচ্চ শক্তি, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা প্রয়োজন।

4H N-টাইপ SiC এর ব্রেকডাউন বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি 2.2-3.0 MV/সেমি পর্যন্ত। এই পণ্য বৈশিষ্ট্যটি উচ্চতর ভোল্টেজগুলি পরিচালনা করার জন্য ছোট ডিভাইস তৈরির অনুমতি দেয়, তাই আমাদের 4H N-টাইপ SiC সাবস্ট্রেট প্রায়শই MOSFETs, Schottky এবং JFETs তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়।

4H এন-টাইপ SiC ওয়েফারের তাপ পরিবাহিতা প্রায় 4.9 W/cm·K, যা কার্যকরভাবে তাপ ক্ষয় করতে, তাপ জমা কমাতে, ডিভাইসের আয়ু বাড়াতে সাহায্য করে এবং উচ্চ শক্তির ঘনত্ব প্রয়োগের জন্য উপযুক্ত।

তদুপরি, ভেটেক সেমিকন্ডাক্টর 4 এইচ এন-টাইপ সিক ওয়েফার এখনও 600 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড পর্যন্ত তাপমাত্রায় স্থিতিশীল বৈদ্যুতিন কর্মক্ষমতা থাকতে পারে, তাই এটি প্রায়শই উচ্চ-তাপমাত্রা সেন্সর তৈরিতে ব্যবহৃত হয় এবং চরম পরিবেশের জন্য খুব উপযুক্ত।

একটি এন-টাইপ সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটে সিলিকন কার্বাইড এপিট্যাক্সিয়াল স্তর বাড়িয়ে সিলিকন কার্বাইড হোমোপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফারকে আরও এসবিডি, মোসফেট, আইজিবিটি ইত্যাদির মতো পাওয়ার ডিভাইসে তৈরি করা যেতে পারে, যা বৈদ্যুতিক যানবাহন, উচ্চতর ব্যবহৃত হয়, রেল পরিবহন, উচ্চ -শক্তি সংক্রমণ এবং রূপান্তর, ইত্যাদি

ভেটেক সেমিকন্ডাক্টর গ্রাহকের চাহিদা পূরণের জন্য উচ্চতর স্ফটিক গুণমান এবং প্রক্রিয়াজাতকরণ মানের অনুসরণ করে চলেছে। বর্তমানে, 6 ইঞ্চি এবং 8 ইঞ্চি পণ্য উভয়ই উপলব্ধ। নিম্নলিখিতগুলি 6 ইঞ্চি এবং 8 ইঞ্চি এসআইসি সাবস্ট্রেটের প্রাথমিক পণ্য পরামিতিগুলি রয়েছে:

6 lnch N-টাইপ SiC সাবস্ট্রেট বেসিক প্রোডাক্ট স্পেসিফিকেশন:

8 lnch n-type sic সাবস্ট্রেট বেসিক পণ্য স্পেসিফিকেশন:

4H N-টাইপ SiC সাবস্ট্রেট সনাক্তকরণ পদ্ধতি এবং পরিভাষা: