শিল্প সংবাদ

এই নিবন্ধটি ইতালীয় সংস্থা এলপিইর সদ্য ডিজাইন করা পিই 1 ও 8 হট-ওয়াল সিভিডি চুল্লি এবং 200 মিমি সিসিতে ইউনিফর্ম 4 এইচ-সিক এপিট্যাক্সি সম্পাদনের দক্ষতার সর্বশেষ উন্নয়নগুলির সাথে পরিচয় করিয়েছে।

পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, অপটোলেক্ট্রনিক্স এবং অন্যান্য ক্ষেত্রগুলিতে এসআইসি উপকরণগুলির ক্রমবর্ধমান চাহিদা সহ, এসআইসি একক স্ফটিক বৃদ্ধি প্রযুক্তির বিকাশ বৈজ্ঞানিক এবং প্রযুক্তিগত উদ্ভাবনের মূল ক্ষেত্র হয়ে উঠবে। এসআইসি একক স্ফটিক বৃদ্ধির সরঞ্জামগুলির মূল হিসাবে, তাপ ক্ষেত্রের নকশা ব্যাপক মনোযোগ এবং গভীরতর গবেষণা পেতে থাকবে।

ক্রমাগত প্রযুক্তিগত অগ্রগতি এবং গভীরতর প্রক্রিয়া গবেষণার মাধ্যমে, 3C-SiC হেটেরোপিট্যাক্সিয়াল প্রযুক্তি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে আরও গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করবে এবং উচ্চ-দক্ষতাসম্পন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশকে উন্নীত করবে বলে আশা করা হচ্ছে।

স্থানিক ALD, স্থানিকভাবে বিচ্ছিন্ন পারমাণবিক স্তর জমা। ওয়েফারটি বিভিন্ন অবস্থানের মধ্যে চলে যায় এবং প্রতিটি অবস্থানে বিভিন্ন অগ্রদূতের সংস্পর্শে আসে। নীচের চিত্রটি ঐতিহ্যগত ALD এবং স্থানিকভাবে বিচ্ছিন্ন ALD এর মধ্যে একটি তুলনা।