সিলিকন কার্বাইড স্তরগুলির অনেকগুলি ত্রুটি রয়েছে এবং এটি সরাসরি প্রক্রিয়া করা যায় না। চিপ ওয়েফারগুলি তৈরি করতে একটি এপিট্যাক্সিয়াল প্রক্রিয়াটির মাধ্যমে তাদের উপর একটি নির্দিষ্ট একক স্ফটিক পাতলা ফিল্ম জন্মানো দরকার। এই পাতলা ফিল্মটি এপিট্যাক্সিয়াল স্তর। প্রায় সমস্ত সিলিকন কার্বাইড ডিভাইসগুলি এপিট্যাক্সিয়াল উপকরণগুলিতে উপলব্ধি করা হয়। উচ্চ মানের সিলিকন কার্বাইড সমজাতীয় এপিট্যাক্সিয়াল উপকরণ সিলিকন কার্বাইড ডিভাইসগুলির বিকাশের ভিত্তি। এপিট্যাক্সিয়াল উপকরণগুলির কার্যকারিতা সরাসরি সিলিকন কার্বাইড ডিভাইসের পারফরম্যান্সের উপলব্ধি নির্ধারণ করে।
সিলিকন কার্বাইড বিদ্যুৎ এবং উচ্চ-তাপমাত্রার অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য সেমিকন্ডাক্টর শিল্পকে পুনরায় আকার দিচ্ছে, এর বিস্তৃত বৈশিষ্ট্য সহ, এপিট্যাক্সিয়াল সাবস্ট্রেট থেকে শুরু করে প্রতিরক্ষামূলক আবরণ থেকে বৈদ্যুতিক যানবাহন এবং পুনর্নবীকরণযোগ্য শক্তি সিস্টেম পর্যন্ত।
উচ্চ বিশুদ্ধতা: রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (সিভিডি) দ্বারা উত্থিত সিলিকন এপিট্যাক্সিয়াল স্তরটিতে প্রচলিত ওয়েফারগুলির তুলনায় অত্যন্ত উচ্চ বিশুদ্ধতা, আরও ভাল পৃষ্ঠের সমতলতা এবং কম ত্রুটি ঘনত্ব রয়েছে।
সলিড সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) এর অনন্য শারীরিক বৈশিষ্ট্যের কারণে সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ের অন্যতম মূল উপকরণ হয়ে উঠেছে। নিম্নলিখিতটি এর শারীরিক বৈশিষ্ট্য এবং সেমিকন্ডাক্টর সরঞ্জামগুলিতে এর নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনগুলির উপর ভিত্তি করে এর সুবিধাগুলি এবং ব্যবহারিক মানের বিশ্লেষণ (যেমন ওয়েফার ক্যারিয়ার, ঝরনা মাথা, এচিং ফোকাস রিং ইত্যাদি) এর উপর ভিত্তি করে।
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy