শিল্প সংবাদ

আমরা সকলেই আতঙ্কের সেই মুহুর্তটি অনুভব করেছি। আপনার ফোনের ব্যাটারি 5%এ রয়েছে, আপনার কাছে বাঁচতে কয়েক মিনিট সময় রয়েছে এবং প্রতি সেকেন্ডে প্লাগ ইন করা অনন্তকাল মনে হয়। যদি এই উদ্বেগের অবসান ঘটিয়ে গোপনীয়তা সম্পূর্ণ নতুন রসায়নের মধ্যে নেই, তবে ব্যাটারির মধ্যে নিজেই একটি মৌলিক উপাদান পুনরায় কল্পনা করার ক্ষেত্রে কী হবে? প্রযুক্তির শীর্ষে দুই দশক ধরে, আমি ট্রেন্ডগুলি আসতে এবং যেতে দেখেছি। তবে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের চারপাশের গুঞ্জনটি আলাদা মনে হয়। এটি কেবল একটি বর্ধিত পদক্ষেপ নয়; এটি কীভাবে আমরা শক্তি সঞ্চয়স্থান ডিজাইনের কাছে যাই তার একটি মৌলিক পরিবর্তনকে উপস্থাপন করে।

ভেটেকে, আমরা এমন শিল্পগুলির জন্য আমাদের আইসোট্রপিক গ্রাফাইট সমাধানগুলি পরিমার্জন করতে কয়েক দশক ব্যয় করেছি যা তাপমাত্রায় আরও বেশি তাপমাত্রায় নির্ভরযোগ্যতার দাবি করে। আসুন এই উপাদানটি কেন শীর্ষ পছন্দ - এবং কীভাবে আমাদের পণ্যগুলি প্রতিযোগিতাকে ছাড়িয়ে যায় তা ডুব দিন।

এক দশকেরও বেশি সময় ধরে অর্ধপরিবাহী শিল্পে কাজ করার পরে, আমি বুঝতে পারি যে উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-শক্তি পরিবেশে কীভাবে চ্যালেঞ্জিং উপাদান নির্বাচন হতে পারে। আমি ভেটেকের এসআইসি ব্লকের মুখোমুখি না হওয়া পর্যন্ত এটি শেষ হয়নি যে অবশেষে আমি সত্যই একটি নির্ভরযোগ্য সমাধান পেয়েছি।

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং ইন্ডাস্ট্রিতে, ডিভাইসের আকার যেমন সঙ্কুচিত হতে থাকে, পাতলা ফিল্ম উপকরণগুলির জমা দেওয়ার প্রযুক্তি অভূতপূর্ব চ্যালেঞ্জগুলি তৈরি করেছে। পারমাণবিক স্তর ডিপোজিশন (এএলডি), একটি পাতলা ফিল্ম ডিপোজিশন প্রযুক্তি হিসাবে যা পারমাণবিক স্তরে সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ অর্জন করতে পারে, এটি অর্ধপরিবাহী উত্পাদনের একটি অপরিহার্য অংশে পরিণত হয়েছে। এই নিবন্ধটি উন্নত চিপ উত্পাদনতে এর গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা বুঝতে সহায়তা করার জন্য এএলডি -র প্রক্রিয়া প্রবাহ এবং নীতিগুলি প্রবর্তন করা।

একটি নিখুঁত ক্রিস্টালাইন বেস লেয়ারে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট বা সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরি করা আদর্শ। সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং এ এপিটাক্সি (এপিআই) প্রক্রিয়ার লক্ষ্য হল একটি সূক্ষ্ম একক-স্ফটিক স্তর, সাধারণত প্রায় 0.5 থেকে 20 মাইক্রন, একটি একক-স্ফটিক স্তরে জমা করা। এপিটাক্সি প্রক্রিয়াটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরির একটি গুরুত্বপূর্ণ ধাপ, বিশেষ করে সিলিকন ওয়েফার তৈরিতে।

এপিট্যাক্সি এবং পারমাণবিক স্তর ডিপোজিশন (এএলডি) এর মধ্যে প্রধান পার্থক্যটি তাদের ফিল্ম বৃদ্ধির প্রক্রিয়া এবং অপারেটিং অবস্থার মধ্যে রয়েছে। এপিট্যাক্সি একই বা অনুরূপ স্ফটিক কাঠামো বজায় রেখে একটি নির্দিষ্ট ওরিয়েন্টেশন সম্পর্কের সাথে একটি স্ফটিক স্তরটিতে স্ফটিক পাতলা ফিল্ম বাড়ানোর প্রক্রিয়াটিকে বোঝায়। বিপরীতে, এএলডি হ'ল একটি ডিপোজিশন কৌশল যা একসাথে একটি পাতলা ফিল্ম ওয়ান পারমাণবিক স্তর গঠনের জন্য ধারাবাহিকভাবে বিভিন্ন রাসায়নিক পূর্ববর্তীগুলিতে একটি স্তরকে প্রকাশ করা জড়িত।