সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সি প্রক্রিয়া কি?

নিখুঁত স্ফটিক বেস স্তরটিতে ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট বা সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলি তৈরি করা আদর্শ। দ্যএপিটাক্সি(ইপিআই) সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ের প্রক্রিয়াটির লক্ষ্য একটি একক-স্ফটিক স্তরটিতে সাধারণত প্রায় 0.5 থেকে 20 মাইক্রন একটি সূক্ষ্ম একক-স্ফটিক স্তর জমা দেওয়া। এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলি তৈরির একটি গুরুত্বপূর্ণ পদক্ষেপ, বিশেষত সিলিকন ওয়েফার উত্পাদনতে।

সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে এপিটাক্সি (এপিআই) প্রক্রিয়া

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং এপিটাক্সির ওভারভিউ
এটা কি	সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং এ এপিটাক্সি (এপিআই) প্রক্রিয়াটি একটি স্ফটিক স্তরের উপরে একটি প্রদত্ত অভিযোজনে একটি পাতলা স্ফটিক স্তরের বৃদ্ধির অনুমতি দেয়।
গোল	সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে, এপিটাক্সি প্রক্রিয়ার লক্ষ্য হল ডিভাইসের মাধ্যমে ইলেকট্রনগুলিকে আরও দক্ষতার সাথে পরিবহন করা। সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের নির্মাণে, এপিটাক্সি স্তরগুলিকে পরিমার্জিত করতে এবং কাঠামোটিকে অভিন্ন করার জন্য অন্তর্ভুক্ত করা হয়।
প্রক্রিয়া	এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটি একই উপাদানের একটি স্তরটিতে উচ্চ বিশুদ্ধতা এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলির বৃদ্ধির অনুমতি দেয়। কিছু অর্ধপরিবাহী উপকরণগুলিতে যেমন হেটেরোজানশন বাইপোলার ট্রানজিস্টর (এইচবিটিএস) বা ধাতব অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর (এমওএসএফইটি), এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটি স্তর থেকে পৃথক উপাদানের একটি স্তর বাড়ানোর জন্য ব্যবহৃত হয়। এটি এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়া যা অত্যন্ত ডোপড উপাদানের একটি স্তরে কম ঘনত্বের ডোপড স্তর বাড়ানো সম্ভব করে তোলে।

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং এপিটাক্সির ওভারভিউ

এটা কি? সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং এ এপিটাক্সি (এপিআই) প্রক্রিয়াটি একটি স্ফটিক সাবস্ট্রেটের উপরে একটি প্রদত্ত অভিযোজনে একটি পাতলা স্ফটিক স্তরের বৃদ্ধির অনুমতি দেয়।

লক্ষ্য সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে, এপিটাক্সি প্রক্রিয়ার লক্ষ্য হল ডিভাইসের মাধ্যমে ইলেকট্রনগুলিকে আরও দক্ষতার সাথে পরিবহন করা। সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের নির্মাণে, এপিটাক্সি স্তরগুলিকে পরিমার্জিত করতে এবং কাঠামোটিকে অভিন্ন করার জন্য অন্তর্ভুক্ত করা হয়।

প্রক্রিয়াএপিটাক্সিপ্রক্রিয়া একই উপাদানের একটি স্তরটিতে উচ্চ বিশুদ্ধতা এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলির বৃদ্ধির অনুমতি দেয়। কিছু অর্ধপরিবাহী উপকরণগুলিতে যেমন হেটেরোজানশন বাইপোলার ট্রানজিস্টর (এইচবিটিএস) বা ধাতব অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর (এমওএসএফইটি), এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটি স্তর থেকে পৃথক উপাদানের একটি স্তর বাড়ানোর জন্য ব্যবহৃত হয়। এটি এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়া যা অত্যন্ত ডোপড উপাদানের একটি স্তরে কম ঘনত্বের ডোপড স্তর বাড়ানো সম্ভব করে তোলে।

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটির ওভারভিউ

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে এটি এপিটিএক্সি (ইপিআই) প্রক্রিয়াটি কী একটি স্ফটিক স্তরটির শীর্ষে প্রদত্ত ওরিয়েন্টেশনে একটি পাতলা স্ফটিক স্তর বৃদ্ধির অনুমতি দেয়।

সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে লক্ষ্য, এপিটাক্সি প্রক্রিয়ার লক্ষ্য হল ডিভাইসের মাধ্যমে পরিবাহিত ইলেকট্রনগুলিকে আরও দক্ষতার সাথে করা। সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের নির্মাণে, এপিটাক্সি স্তরগুলিকে পরিমার্জিত করতে এবং কাঠামোটিকে অভিন্ন করার জন্য অন্তর্ভুক্ত করা হয়।

এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটি একই উপাদানের একটি স্তরটিতে উচ্চ বিশুদ্ধতা এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলির বৃদ্ধির অনুমতি দেয়। কিছু অর্ধপরিবাহী উপকরণগুলিতে যেমন হেটেরোজানশন বাইপোলার ট্রানজিস্টর (এইচবিটিএস) বা ধাতব অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর (এমওএসএফইটি), এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটি স্তর থেকে পৃথক উপাদানের একটি স্তর বাড়ানোর জন্য ব্যবহৃত হয়। এটি এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়া যা অত্যন্ত ডোপড উপাদানের একটি স্তরে কম ঘনত্বের ডোপড স্তর বাড়ানো সম্ভব করে তোলে।

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিং এপিট্যাক্সিয়াল প্রসেসের ধরন

এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়ায়, বৃদ্ধির দিকটি অন্তর্নিহিত সাবস্ট্রেট স্ফটিক দ্বারা নির্ধারিত হয়। জমার পুনরাবৃত্তির উপর নির্ভর করে, এক বা একাধিক এপিটাক্সিয়াল স্তর থাকতে পারে। এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াগুলিকে উপাদানের পাতলা স্তর তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে যা অন্তর্নিহিত স্তর থেকে রাসায়নিক গঠন এবং গঠনে একই বা ভিন্ন।

দুই ধরণের ইপিআই প্রক্রিয়া
বৈশিষ্ট্য	হোমোপিটাক্সি	হেটেরোইপিটাক্সি
বৃদ্ধি স্তর	এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ লেয়ারটি সাবস্ট্রেট লেয়ারের মতো একই উপাদান	এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ লেয়ার সাবস্ট্রেট লেয়ার থেকে একটি ভিন্ন উপাদান
স্ফটিক গঠন এবং জালি	সাবস্ট্রেট এবং এপিট্যাক্সিয়াল স্তরটির স্ফটিক কাঠামো এবং জাল ধ্রুবক একই	সাবস্ট্রেট এবং এপিট্যাক্সিয়াল স্তরটির স্ফটিক কাঠামো এবং জাল ধ্রুবক পৃথক
উদাহরণ	সিলিকন সাবস্ট্রেটে উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিলিকনের এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি	সিলিকন সাবস্ট্রেটে গ্যালিয়াম আর্সেনাইডের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি
অ্যাপ্লিকেশন	সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস স্ট্রাকচারের জন্য বিভিন্ন ডোপিং লেভেলের স্তর বা কম খাঁটি সাবস্ট্রেটে বিশুদ্ধ ফিল্ম প্রয়োজন	সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস স্ট্রাকচারের জন্য বিভিন্ন উপকরণের স্তর প্রয়োজন বা এমন উপাদানের স্ফটিক ফিল্ম তৈরি করা যা একক স্ফটিক হিসাবে পাওয়া যায় না

দুই ধরনের Epi প্রক্রিয়া

বৈশিষ্ট্যHomoepitaxy Heteroএপিটাক্সি

গ্রোথ লেয়ার এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ লেয়ার সাবস্ট্রেট লেয়ারের মতো একই উপাদান এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ লেয়ার হল সাবস্ট্রেট লেয়ার থেকে একটি ভিন্ন উপাদান

স্ফটিক কাঠামো এবং জালি স্তর এবং এপিটাক্সিয়াল স্তরের স্ফটিক কাঠামো এবং জালি ধ্রুবক একই

উদাহরণ সিলিকন সাবস্ট্রেটে উচ্চ-বিশুদ্ধতার সিলিকনের এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি

অ্যাপ্লিকেশন সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস স্ট্রাকচার যার জন্য বিভিন্ন ডোপিং লেভেলের স্তর বা কম খাঁটি সাবস্ট্রেটের উপর বিশুদ্ধ ফিল্মের প্রয়োজন হয় সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস স্ট্রাকচারের জন্য বিভিন্ন উপকরণের স্তর প্রয়োজন বা এমন পদার্থের স্ফটিক ফিল্ম তৈরি করা যা একক স্ফটিক হিসাবে পাওয়া যায় না

দুই ধরণের ইপিআই প্রক্রিয়া

বৈশিষ্ট্যগুলি হোমোপিটাক্সি হেটেরোইপিটাক্সি

গ্রোথ লেয়ার এপিট্যাক্সিয়াল গ্রোথ লেয়ারটি সাবস্ট্রেট স্তর হিসাবে একই উপাদান হিসাবে এপিট্যাক্সিয়াল গ্রোথ স্তরটি স্তর স্তরটির চেয়ে আলাদা উপাদান

ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার এবং ল্যাটিস সাবস্ট্রেট এবং এপিটাক্সিয়াল লেয়ারের স্ফটিক স্ট্রাকচার এবং ল্যাটিস কনস্ট্যান্ট একই

সিলিকন সাবস্ট্রেট সিলিকন সাবস্ট্রেটের এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধিতে উচ্চ বিশুদ্ধতা সিলিকনের এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি উদাহরণ

অ্যাপ্লিকেশনস সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস স্ট্রাকচারগুলি যার জন্য বিভিন্ন ডোপিং স্তরের স্তর বা খাঁটি ফিল্মের স্তরগুলির জন্য কম খাঁটি স্তরগুলিতে সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস কাঠামোগুলির প্রয়োজন হয় যার জন্য বিভিন্ন উপকরণের স্তর প্রয়োজন হয় বা একক স্ফটিক হিসাবে পাওয়া যায় না এমন উপকরণগুলির স্ফটিক ফিল্ম তৈরি করা যায়

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে এপিট্যাক্সিয়াল প্রক্রিয়াগুলিকে প্রভাবিত করে এমন উপাদানগুলি

 

ফ্যাক্টর	বর্ণনা
তাপমাত্রা	এপিটাক্সি রেট এবং এপিটাক্সিয়াল লেয়ারের ঘনত্বকে প্রভাবিত করে। এপিটাক্সি প্রক্রিয়ার জন্য প্রয়োজনীয় তাপমাত্রা ঘরের তাপমাত্রার চেয়ে বেশি এবং মানটি এপিটাক্সির ধরণের উপর নির্ভর করে।
চাপ	এপিট্যাক্সি হার এবং এপিট্যাক্সিয়াল স্তর ঘনত্বকে প্রভাবিত করে।
ত্রুটি	এপিটাক্সির ত্রুটি ত্রুটিপূর্ণ ওয়েফারের দিকে পরিচালিত করে। ত্রুটিমুক্ত এপিটাক্সিয়াল স্তর বৃদ্ধির জন্য এপিটাক্সি প্রক্রিয়ার জন্য প্রয়োজনীয় শারীরিক অবস্থা বজায় রাখা উচিত।
কাঙ্খিত পদ	এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটি স্ফটিকের সঠিক অবস্থানে বাড়তে হবে। প্রক্রিয়া চলাকালীন যে অঞ্চলগুলি প্রবৃদ্ধি কাঙ্ক্ষিত হয় না সেগুলি বৃদ্ধি রোধে যথাযথভাবে প্রলেপ দেওয়া উচিত।
স্ব-ডোপিং	যেহেতু এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটি উচ্চ তাপমাত্রায় সঞ্চালিত হয়, তাই ডোপ্যান্ট পরমাণু উপাদানগুলিতে পরিবর্তন আনতে সক্ষম হতে পারে।

কারণ বর্ণনা

তাপমাত্রা এপিট্যাক্সি হার এবং এপিট্যাক্সিয়াল স্তর ঘনত্বকে প্রভাবিত করে। এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটির জন্য প্রয়োজনীয় তাপমাত্রা ঘরের তাপমাত্রার চেয়ে বেশি এবং মানটি এপিট্যাক্সির ধরণের উপর নির্ভর করে।

চাপ এপিটাক্সি হার এবং এপিটাক্সিয়াল স্তরের ঘনত্বকে প্রভাবিত করে।

এপিট্যাক্সিতে ত্রুটিগুলি ত্রুটিযুক্ত ওয়েফারগুলির দিকে পরিচালিত করে। এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটির জন্য প্রয়োজনীয় শারীরিক শর্তগুলি ত্রুটি-মুক্ত এপিট্যাক্সিয়াল স্তর বৃদ্ধির জন্য বজায় রাখা উচিত।

কাঙ্ক্ষিত অবস্থান এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটি স্ফটিকের সঠিক অবস্থানে বাড়তে হবে। প্রক্রিয়া চলাকালীন যে অঞ্চলগুলি প্রবৃদ্ধি কাঙ্ক্ষিত হয় না সেগুলি বৃদ্ধি রোধে যথাযথভাবে প্রলেপ দেওয়া উচিত।

স্ব-ডোপিং যেহেতু এপিটাক্সি প্রক্রিয়াটি উচ্চ তাপমাত্রায় সঞ্চালিত হয়, তাই ডোপ্যান্ট পরমাণু উপাদানে পরিবর্তন আনতে সক্ষম হতে পারে।

ফ্যাক্টর বিবরণ

তাপমাত্রা এপিট্যাক্সি হার এবং এপিট্যাক্সিয়াল স্তরটির ঘনত্বকে প্রভাবিত করে। এপিট্যাক্সিয়াল প্রক্রিয়াটির জন্য প্রয়োজনীয় তাপমাত্রা ঘরের তাপমাত্রার চেয়ে বেশি এবং মানটি এপিট্যাক্সির ধরণের উপর নির্ভর করে।

চাপ এপিটাক্সি রেট এবং এপিটাক্সিয়াল স্তরের ঘনত্বকে প্রভাবিত করে।

ত্রুটিগুলি এপিটাক্সির ত্রুটি ত্রুটিপূর্ণ ওয়েফারের দিকে পরিচালিত করে। ত্রুটিমুক্ত এপিটাক্সিয়াল স্তর বৃদ্ধির জন্য এপিটাক্সি প্রক্রিয়ার জন্য প্রয়োজনীয় শারীরিক অবস্থা বজায় রাখা উচিত।

কাঙ্ক্ষিত অবস্থান এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াটি স্ফটিকের সঠিক স্থানে বাড়তে হবে। এই প্রক্রিয়া চলাকালীন যে অঞ্চলগুলি বৃদ্ধি কাঙ্ক্ষিত নয় সেখানে বৃদ্ধি রোধে যথাযথভাবে প্রলিপ্ত হওয়া উচিত।

স্ব-ডোপিং যেহেতু এপিটাক্সি প্রক্রিয়াটি উচ্চ তাপমাত্রায় সঞ্চালিত হয়, তাই ডোপ্যান্ট পরমাণু উপাদানে পরিবর্তন আনতে সক্ষম হতে পারে।

এপিট্যাক্সিয়াল ঘনত্ব এবং হার

এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির ঘনত্ব হল এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ লেয়ারে উপাদানের প্রতি ইউনিট আয়তনে পরমাণুর সংখ্যা। তাপমাত্রা, চাপ এবং সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেটের প্রকারের মতো কারণগুলি এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধিকে প্রভাবিত করে। সাধারণত, এপিটাক্সিয়াল স্তরের ঘনত্ব উপরের কারণগুলির সাথে পরিবর্তিত হয়। এপিটাক্সিয়াল স্তর যে গতিতে বৃদ্ধি পায় তাকে এপিটাক্সি হার বলে।

যদি এপিটাক্সি সঠিক অবস্থান এবং অভিযোজনে বেড়ে ওঠে, তবে বৃদ্ধির হার উচ্চ হবে এবং এর বিপরীতে। এপিটাক্সিয়াল স্তরের ঘনত্বের মতো, এপিটাক্সির হারও তাপমাত্রা, চাপ এবং স্তর উপাদানের প্রকারের মতো শারীরিক কারণের উপর নির্ভর করে।

উচ্চ তাপমাত্রা এবং কম চাপে এপিট্যাক্সিয়াল হার বৃদ্ধি পায়। এপিট্যাক্সি হারটি সাবস্ট্রেট স্ট্রাকচার ওরিয়েন্টেশন, চুল্লিগুলির ঘনত্ব এবং ব্যবহৃত বৃদ্ধির প্রযুক্তির উপরও নির্ভর করে।

এপিটাক্সি প্রক্রিয়া পদ্ধতি

বেশ কয়েকটি এপিটাক্সি পদ্ধতি রয়েছে:তরল ফেজ এপিট্যাক্সি （এলপিই）, হাইব্রিড বাষ্প ফেজ এপিট্যাক্সি, সলিড ফেজ এপিট্যাক্সি,পারমাণবিক স্তর জমা, রাসায়নিক বাষ্প জমা, আণবিক মরীচি এপিট্যাক্সি, ইত্যাদি আসুন দুটি এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়াগুলির তুলনা করুন: সিভিডি এবং এমবিই।

রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) আণবিক মরীচি এপিটাক্সি (MBE)

রাসায়নিক প্রক্রিয়া শারীরিক প্রক্রিয়া

একটি রাসায়নিক বিক্রিয়া জড়িত যা ঘটে যখন একটি গ্যাস পূর্বসূর একটি গ্রোথ চেম্বার বা চুল্লিতে একটি উত্তপ্ত স্তরের সাথে মিলিত হয় যা জমা করা উপাদানটি ভ্যাকুয়াম অবস্থার অধীনে উত্তপ্ত হয়

ফিল্ম বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ বড় হওয়া স্তরের পুরুত্ব এবং গঠনের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ

যে অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উচ্চ-মানের এপিটাক্সিয়াল স্তর প্রয়োজন সেগুলির জন্য অত্যন্ত সূক্ষ্ম এপিটাক্সিয়াল স্তরগুলির প্রয়োজন

সর্বাধিক ব্যবহৃত পদ্ধতি আরও ব্যয়বহুল পদ্ধতি

রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD)	আণবিক মরীচি এপিট্যাক্সি (এমবিই)
রাসায়নিক প্রক্রিয়া	শারীরিক প্রক্রিয়া
একটি রাসায়নিক বিক্রিয়া জড়িত যা ঘটে যখন একটি গ্যাস অগ্রদূত একটি গ্রোথ চেম্বার বা চুল্লিতে একটি উত্তপ্ত স্তরের সাথে মিলিত হয়	জমা হওয়া উপাদানটি ভ্যাকুয়াম অবস্থার অধীনে উত্তপ্ত হয়
পাতলা ফিল্ম বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ	বেড়ে ওঠা স্তরের পুরুত্ব এবং গঠনের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ
উচ্চমানের এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলির জন্য প্রয়োজনীয় অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত	অত্যন্ত সূক্ষ্ম এপিটাক্সিয়াল স্তরের প্রয়োজন এমন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয়
সর্বাধিক ব্যবহৃত পদ্ধতি	আরো ব্যয়বহুল পদ্ধতি

রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (সিভিডি) আণবিক মরীচি এপিট্যাক্সি (এমবিই)

রাসায়নিক প্রক্রিয়া শারীরিক প্রক্রিয়া

একটি রাসায়নিক বিক্রিয়া জড়িত যা ঘটে যখন কোনও গ্যাস পূর্বসূরী একটি বৃদ্ধির চেম্বারে একটি উত্তপ্ত সাবস্ট্রেটের সাথে মিলিত হয় বা চুল্লি জমা করার জন্য উপাদানটি ভ্যাকুয়াম অবস্থার অধীনে উত্তপ্ত হয়

পাতলা ফিল্ম বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ বড় হওয়া স্তরের পুরুত্ব এবং গঠনের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ

অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ব্যবহৃত হয় যা অত্যন্ত সূক্ষ্ম এপিট্যাক্সিয়াল স্তরগুলির প্রয়োজন হয়

সর্বাধিক ব্যবহৃত পদ্ধতি আরও ব্যয়বহুল পদ্ধতি

সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে এপিটাক্সি প্রক্রিয়াটি গুরুত্বপূর্ণ; এটি কর্মক্ষমতা অপ্টিমাইজ করে

সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস এবং ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট। এটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরির অন্যতম প্রধান প্রক্রিয়া যা ডিভাইসের গুণমান, বৈশিষ্ট্য এবং বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা প্রভাবিত করে।