খবর

সিলিকন কার্বাইড (SiC) এর মূল বৃদ্ধির পদ্ধতিগুলির মধ্যে রয়েছে PVT, TSSG, এবং HTCVD, প্রতিটিরই আলাদা সুবিধা এবং চ্যালেঞ্জ রয়েছে। কার্বন-ভিত্তিক তাপীয় ক্ষেত্র উপকরণ যেমন ইনসুলেশন সিস্টেম, ক্রুসিবল, TaC আবরণ, এবং ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট স্থিতিশীলতা, তাপ পরিবাহিতা এবং বিশুদ্ধতা প্রদান করে স্ফটিক বৃদ্ধি বাড়ায়, যা SiC-এর সুনির্দিষ্ট বানান এবং প্রয়োগের জন্য অপরিহার্য।

SiC এর উচ্চ কঠোরতা, তাপ পরিবাহিতা এবং জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে, এটি অর্ধপরিবাহী উত্পাদনের জন্য আদর্শ করে তোলে। CVD SiC আবরণ রাসায়নিক বাষ্প জমার মাধ্যমে তৈরি করা হয়, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য একটি ম্যাচিং জালি ধ্রুবক প্রদান করে। এর কম তাপীয় প্রসারণ এবং উচ্চ কঠোরতা স্থায়িত্ব এবং নির্ভুলতা নিশ্চিত করে, এটিকে ওয়েফার ক্যারিয়ার, প্রিহিটিং রিং এবং আরও অনেক কিছুর ক্ষেত্রে অপরিহার্য করে তোলে। VeTek সেমিকন্ডাক্টর বিভিন্ন শিল্পের প্রয়োজনের জন্য কাস্টম SiC আবরণে বিশেষজ্ঞ।

সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) একটি উচ্চ-নির্ভুলতা অর্ধপরিবাহী উপাদান যা উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের এবং উচ্চ যান্ত্রিক শক্তির মতো দুর্দান্ত বৈশিষ্ট্যের জন্য পরিচিত। এটিতে 200 টিরও বেশি স্ফটিক কাঠামো রয়েছে, 3 সি-সিসি একমাত্র ঘনক্ষেত্রের সাথে অন্যান্য ধরণের তুলনায় উচ্চতর প্রাকৃতিক গোলাকার এবং ঘনত্ব সরবরাহ করে। 3 সি-সিস তার উচ্চ বৈদ্যুতিন গতিশীলতার পক্ষে দাঁড়ায়, এটি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে মোসফেটগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে। অতিরিক্তভাবে, এটি ন্যানোইলেক্ট্রনিক্স, নীল এলইডি এবং সেন্সরগুলিতে দুর্দান্ত সম্ভাবনা দেখায়।

ডায়মন্ড, একটি সম্ভাব্য চতুর্থ-প্রজন্মের "চূড়ান্ত অর্ধপরিবাহী," তার ব্যতিক্রমী কঠোরতা, তাপ পরিবাহিতা এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যের কারণে সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেটে মনোযোগ আকর্ষণ করছে। যদিও এর উচ্চ খরচ এবং উৎপাদন চ্যালেঞ্জ এর ব্যবহার সীমিত করে, সিভিডি হল পছন্দের পদ্ধতি। ডোপিং এবং বৃহৎ-ক্ষেত্রের স্ফটিক চ্যালেঞ্জ সত্ত্বেও, হীরা প্রতিশ্রুতি রাখে।