খবর

সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটগুলির শিল্প-স্কেল উত্পাদনের জন্য, একক বৃদ্ধির সাফল্য শেষ লক্ষ্য নয়। আসল চ্যালেঞ্জ হল বিভিন্ন ব্যাচ, টুলস এবং সময়কাল জুড়ে উত্থিত ক্রিস্টালগুলি উচ্চ স্তরের ধারাবাহিকতা এবং গুণমানের পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা বজায় রাখা। এই প্রেক্ষাপটে, ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণের ভূমিকা মৌলিক সুরক্ষার বাইরে চলে যায়-এটি প্রক্রিয়া উইন্ডোকে স্থিতিশীল করতে এবং পণ্যের ফলনকে সুরক্ষিত করার একটি মূল কারণ হয়ে দাঁড়ায়।

সিলিকন কার্বাইড (SiC) PVT বৃদ্ধিতে গুরুতর তাপীয় সাইক্লিং জড়িত থাকে (রুমের তাপমাত্রা 2200 ℃ এর উপরে)। থার্মাল এক্সপেনশন (CTE) এর সহগগুলির অমিলের কারণে আবরণ এবং গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটের মধ্যে তৈরি হওয়া বিশাল তাপীয় চাপ হল আবরণের জীবনকাল এবং প্রয়োগের নির্ভরযোগ্যতা নির্ধারণের মূল চ্যালেঞ্জ।

সিলিকন কার্বাইড (SiC) PVT স্ফটিক বৃদ্ধি প্রক্রিয়ায়, তাপ ক্ষেত্রের স্থায়িত্ব এবং অভিন্নতা সরাসরি স্ফটিক বৃদ্ধির হার, ত্রুটির ঘনত্ব এবং উপাদানের অভিন্নতা নির্ধারণ করে। সিস্টেমের সীমানা হিসাবে, তাপ-ক্ষেত্রের উপাদানগুলি পৃষ্ঠতলের থার্মোফিজিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলি প্রদর্শন করে যার সামান্য ওঠানামা উচ্চ-তাপমাত্রার পরিস্থিতিতে নাটকীয়ভাবে প্রসারিত হয়, যা শেষ পর্যন্ত বৃদ্ধির ইন্টারফেসে অস্থিরতার দিকে পরিচালিত করে।