ওয়েব মেনু

পণ্য অনুসন্ধান

ভাষা

সেবা ও সম্পদ

উপকরণ এবং নকশা

মিলিত সাবস্ট্রেট এবং আবরণ সংমিশ্রণ নির্বাচন করা হল অকাল উপাদান ব্যর্থতা প্রতিরোধ, কণা দূষণ হ্রাস এবং ওয়েফার ফলন সর্বাধিক করার মূল চাবিকাঠি। আমরা গ্রাহকের নির্দিষ্ট প্রক্রিয়া উইন্ডো (অপারেটিং তাপমাত্রা, প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাস রসায়ন, র‌্যাম্প রেট) এর চারপাশে উপযোগী উপাদান এবং কাঠামোগত নকশা সমাধান সরবরাহ করি।

আমাদের মূল নকশা ক্ষমতা:

  • কঠোর CTE স্ট্রেস ম্যাচিং:দ্রুত তাপীয় সাইকেল চালানোর জন্য (>100 °C/মিনিট), আমরা অবিকল উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং CVD আবরণের CTE তাপমাত্রা বক্ররেখার সাথে মিল রাখি, মৌলিকভাবে আবরণ বিচ্ছিন্নকরণ এবং মাইক্রো-ক্র্যাকিংয়ের ঝুঁকি হ্রাস করে।
  • প্রক্রিয়া-দৃশ্যক-নির্দিষ্ট আবরণ নির্বাচন:Si/SiC এপিটাক্সি (Epi), MOCVD, এবং প্লাজমা এচিং পরিবেশের জন্য CVD SiC আবরণ; উচ্চ-তাপমাত্রা এবং দৃঢ়ভাবে ক্ষয়কারী অবস্থার জন্য CVD TaC আবরণ (যেমন, SiC একক-ক্রিস্টাল PVT বৃদ্ধি)।
  • নিয়ন্ত্রণযোগ্য প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং তাপ পরিবাহিতা অপ্টিমাইজেশান:RF, ESC ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক চক, বা হিটিং জোনগুলির নির্দিষ্ট বৈদ্যুতিক এবং তাপ-ক্ষেত্রের প্রয়োজনীয়তা মেটাতে সাবস্ট্রেট এবং আবরণের বাল্ক প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং তাপ পরিবাহিতা সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ।
  • দূষণ উত্স নিয়ন্ত্রণ এবং CoO হ্রাস:উচ্চ-বিশুদ্ধতা CVD জমা স্তরগুলি ঘনভাবে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটকে সীলমোহর করে, উল্লেখযোগ্যভাবে কণা ঝরানো, অতি-ট্রেস ধাতুর অপরিচ্ছন্নতা প্রসারণ এবং উচ্চ-তাপমাত্রা আউটগ্যাসিং ঝুঁকি হ্রাস করে।

সাধারণ আবরণ নির্বাচন তুলনা (এক নজরে গাইড)

আবরণ সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন নির্দেশাবলী মূল সুবিধা
CVD SiC Si/SiC এপিটাক্সি (Epi), MOCVD, আংশিক প্লাজমা এচিং উচ্চ বিশুদ্ধতা, ভাল তাপ স্থিতিশীলতা, রাসায়নিক জারা প্রতিরোধের, উচ্চ সামগ্রিক খরচ-কর্মক্ষমতা
CVD TaC উচ্চ-তাপমাত্রার SiC একক-ক্রিস্টাল বৃদ্ধি (PVT), চরম উচ্চ-তাপমাত্রা লোড-ভারবহন উপাদান উচ্চ তাপমাত্রা রেটিং (>1600 °সে), শক্তিশালী জারা প্রতিরোধের, চমৎকার অক্সিডেশন প্রতিরোধের

বাস্তব ক্ষেত্রে এবং গ্রাহক সুবিধা (অভিজ্ঞতা):

একটি নেতৃস্থানীয় SiC epitaxy (Epi) প্রস্তুতকারক:মূল উপাদানটি একটি অমিল CVD TaC আবরণ ব্যবহার করেছে, যার ফলে অত্যধিক ইন্টারফেসিয়াল স্ট্রেস এবং উচ্চ তাপমাত্রায় ঘন ঘন মাইক্রো-ফাটল দেখা দেয়। আমরা থার্মোডাইনামিক সিমুলেশনগুলি পুনরায় চালালাম এবং a তে স্যুইচ করেছিCTE- মিলে যাওয়া বিশেষত্ব উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট সাবস্ট্রেট + বাফার স্তর + CVD SiC আবরণসমাধান ফলাফল: গড় উপাদান জীবনকাল 200 ঘন্টা থেকে 850 ঘন্টা বৃদ্ধি; টুল প্রতি বার্ষিক প্রতিস্থাপন ফ্রিকোয়েন্সি 40 থেকে 9 বার কমে গেছে; ব্যাপক সরঞ্জাম O&M খরচ সঞ্চয় প্রতি বছর RMB 650,000 ছাড়িয়ে গেছে।

GDMS purity analysis report for TaC coating GDMS purity analysis report for SiC coating

TaC এবং SiC আবরণের জন্য GDMS বিশুদ্ধতা বিশ্লেষণ প্রতিবেদন

FAQ

1. প্রশ্ন: আমি কিভাবে CVD SiC আবরণ এবং CVD TaC আবরণের মধ্যে নির্বাচন করব?

▼

ক:আপনার প্রক্রিয়া তাপমাত্রা এবং গ্যাস-ফেজ জারা তীব্রতা দেখুন। যদি প্রক্রিয়া তাপমাত্রা 1000 °C এর নিচে হয় এবং প্রধানত Cl₂/F₂-ভিত্তিক এচিং বা প্রচলিত এপিটাক্সি জড়িত থাকে, তাহলে বেছে নিনCVD SiCসেরা খরচ কর্মক্ষমতা জন্য; যদি প্রক্রিয়া তাপমাত্রা 1200 °C অতিক্রম করে এবং দৃঢ়ভাবে ক্ষয়কারী বায়ুমণ্ডল (যেমন, SiC PVT একক-ক্রিস্টাল বৃদ্ধি) জড়িত থাকে, আমরা সুপারিশ করিCVD TaC, যা উচ্চতর তাপমাত্রা এবং জারা প্রতিরোধের প্রস্তাব করে। আমরা আপনার নির্দিষ্ট প্রক্রিয়া পরামিতি উপর ভিত্তি করে একটি বিনামূল্যে নির্বাচন সুপারিশ প্রতিবেদন প্রদান করতে পারেন.

2. প্রশ্ন: আপনি কি একক-পিস/ছোট-ব্যাচ প্রোটোটাইপিং সমর্থন করেন? সীসা সময় কি?

▼

ক:হ্যাঁ! বিপরীত-ইঞ্জিনিয়ারিং প্রোটোটাইপের জন্য,MOQ হল 1 টুকরা. প্রচলিত সাধারণ অংশগুলির জন্য, নমুনা প্রাপ্তি থেকে ম্যাপ করা অংশের ডেলিভারি পর্যন্ত, দ্রুততম লিড টাইম প্রায়10-15 কার্যদিবস; জটিল আবরণ প্রক্রিয়া জড়িত অংশ জন্য এটা প্রায়20-25 কার্যদিবস. দ্রুত মূল্যায়নের জন্য আমাদের প্রকৌশলীদের সাথে যোগাযোগ করুন।

3. প্রশ্ন: ব্যবহারের সময় গ্রাফাইট অংশগুলিতে সিভিডি আবরণ ডিলামিনেশনের কারণ কী? এটা কি সমাধান করা যাবে?

▼

ক:90% ডিলামিনেশন কেস গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটের থার্মাল এক্সপেনশন (CTE) এবং আবরণের মধ্যে অমিলের কারণে ঘটে, যার ফলে দ্রুত গরম/ঠান্ডা হওয়ার ফলে ক্লান্তি খোসা ছাড়ে। আমাদের সমাধান: প্রথমে সুনির্দিষ্টভাবে আপনার মূল অংশের CTE বক্ররেখা পরিমাপ করুন, তারপর বিশেষভাবে সাবস্ট্রেটের ঘনত্ব এবং জমা তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট সামঞ্জস্য করুন যাতে দুটি CTE-এর সাথে খুব মিল থাকে। বন্ড শক্তির চেয়ে বেশি উন্নত করা যেতে পারে1.5 বারশিল্পের প্রচলিত স্তর।

4. প্রশ্ন: আপনি পণ্যগুলির জন্য একটি CoA (বিশ্লেষণের শংসাপত্র) প্রদান করতে পারেন? এটা কি তথ্য অন্তর্ভুক্ত?

▼

ক:প্রতিটি পাঠানো পণ্য একটি সঙ্গে মানক আসেঅনন্য সিরিয়াল নম্বর + সম্পূর্ণ CoA রিপোর্ট. প্রতিবেদনে রয়েছে: সমালোচনামূলক মাত্রা CMM পরিদর্শন ডেটা, মাল্টি-পয়েন্ট আবরণ পুরুত্ব বিতরণ মানচিত্র, পৃষ্ঠের রুক্ষতা (Ra) মান এবং উপাদান বিশুদ্ধতা (GDMS) বিশ্লেষণের সিদ্ধান্ত।

এখনই আপনার এক্সক্লুসিভ পরিষেবা শুরু করুন

অবিলম্বে আমাদের সাথে যোগাযোগ করুন একটি উদ্ধৃতি অনুরোধ

ফোন: +86-18069220752(টিনা);+86-15988690905(সেরা)

ইমেইল: anny@veteksemi.com

নমুনা ম্যাপিংউপকরণ এবং নকশাঅপ্টিমাইজেশান এবং ব্যাপক উত্পাদনQC ও লজিস্টিকস
সংবাদ সুপারিশ
কি উন্নত সেমিকন্ডাক্টর এবং শিল্প অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট পাউডার অপরিহার্য করে তোলে
কি উন্নত সেমিকন্ডাক্টর এবং শিল্প অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট পাউডার অপরিহার্য করে তোলেআরো দেখুন >>
বিশ্বের শীর্ষ 3 কোয়ার্টজ উপাদান সরবরাহকারী
বিশ্বের শীর্ষ 3 কোয়ার্টজ উপাদান সরবরাহকারীআরো দেখুন >>
তাইকো প্রক্রিয়াটি সিলিকন ওয়েফারগুলি কতটা পাতলা করতে পারে?
তাইকো প্রক্রিয়াটি সিলিকন ওয়েফারগুলি কতটা পাতলা করতে পারে?আরো দেখুন >>
4-ইঞ্চি থেকে 8-ইঞ্চি: SiC সেমিকন্ডাক্টর বৃদ্ধির এক দশক
4-ইঞ্চি থেকে 8-ইঞ্চি: SiC সেমিকন্ডাক্টর বৃদ্ধির এক দশকআরো দেখুন >>
পাতলা ফিল্ম আবরণ থেকে বাল্ক সামগ্রীতে CVD-SiC-এর বিবর্তন
পাতলা ফিল্ম আবরণ থেকে বাল্ক সামগ্রীতে CVD-SiC-এর বিবর্তনআরো দেখুন >>
সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিতে সিভিডি আবরণ: ইঞ্জিনিয়ারিং প্যারামিটার, SiC/TaC নির্বাচন এবং ব্যর্থতা নিয়ন্ত্রণ
সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিতে সিভিডি আবরণ: ইঞ্জিনিয়ারিং প্যারামিটার, SiC/TaC নির্বাচন এবং ব্যর্থতা নিয়ন্ত্রণআরো দেখুন >>
X
আমরা আপনাকে একটি ভাল ব্রাউজিং অভিজ্ঞতা দিতে, সাইটের ট্র্যাফিক বিশ্লেষণ করতে এবং সামগ্রী ব্যক্তিগতকৃত করতে কুকিজ ব্যবহার করি। এই সাইটটি ব্যবহার করে, আপনি আমাদের কুকিজ ব্যবহারে সম্মত হন। গোপনীয়তা নীতি
প্রত্যাখ্যান করুনগ্রহণ করুন