এসআইসি প্রলিপ্ত গ্রহীয় সংবেদনশীল

এসআইসি লেপযুক্ত গ্রহের সংজ্ঞাটি একটি গ্রহীয় ক্যারিয়ার দিয়ে লেপযুক্তসিলিকন কার্বাইড (sic), যা মূলত সেমিকন্ডাক্টর উপাদান ডিপোজিশন প্রক্রিয়াগুলিতে যেমন ধাতব-জৈব রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (এমওসিভিডি), আণবিক মরীচি এপিট্যাক্সি (এমবিই) ইত্যাদি ব্যবহার করা হয়, এর মূল কাজটি হ'ল ডিপোজিশন প্রক্রিয়া চলাকালীন উপাদানীয় অভিন্নতা এবং তাপ ক্ষেত্রের ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করার জন্য ওয়েফারগুলি বহন এবং ঘোরানো। এর মূল কাজটি হ'ল ডিপোজির সময় উপাদানগুলির অভিন্নতা এবং তাপ ক্ষেত্রের ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করার জন্য ওয়েফারগুলি বহন এবং ঘোরানো এবং এসআইসি লেপ ক্যারিয়ারটিকে উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের এবং উচ্চ-নির্ভুলতা সেমিকন্ডাক্টর এর জন্য তাপ পরিবাহিতা সরবরাহ করেওয়েফারপ্রক্রিয়াজাতকরণ।

এসআইসি লেপযুক্ত গ্রহীয় সংবেদনশীলের জন্য মূল প্রয়োগের পরিস্থিতি

এমওসিভিডি এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়া

এমওসিভিডি প্রক্রিয়াতে, এসআইসি প্রলিপ্ত গ্রহের সংজ্ঞাবহ মূলত সিলিকন (এসআই), সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি), গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (জিএএন), গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (জিএএ) এবং অন্যান্য উপকরণ বহন করতে ব্যবহৃত হয়।

● কার্যকরী প্রয়োজনীয়তা: ওয়েফার পৃষ্ঠের উপর বাষ্প-ডিপোজিটেড উপকরণগুলির অভিন্ন বিতরণ নিশ্চিত করতে এবং ফিল্মের বেধ এবং রচনার অভিন্নতা বাড়ানোর জন্য ওয়েফারগুলির সুনির্দিষ্ট অবস্থান এবং সিঙ্ক্রোনাইজড রোটেশন।

● সুবিধা: এসআইসি আবরণগুলি অত্যন্ত জারা-প্রতিরোধী এবং তাদের পরিষেবা জীবনকে প্রসারিত করে ট্রাইমেথাইলগালিয়াম (টিএমজিএ) এবং ট্রাইমেথাইলিন্ডিয়াম (টিএমআইএন) এর মতো অত্যন্ত প্রতিক্রিয়াশীল ধাতব-জৈব পূর্ববর্তীদের ক্ষয়কে সহ্য করতে পারে।

সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) পাওয়ার ডিভাইস উত্পাদন

এসআইসি লেপযুক্ত গ্রহের সংজ্ঞাটি এমওএসএফইটি, আইজিবিটি, এসবিডি এবং অন্যান্য ডিভাইসগুলির মতো এসআইসি পাওয়ার ডিভাইসের এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

● কার্যকরী প্রয়োজনীয়তা: এপিট্যাক্সিয়াল স্তর স্ফটিককরণ গুণমান এবং ত্রুটি নিয়ন্ত্রণ নিশ্চিত করতে উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে একটি স্থিতিশীল তাপ সমীকরণ প্ল্যাটফর্ম সরবরাহ করুন।

● সুবিধা: এসআইসি লেপগুলি উচ্চ তাপমাত্রার (> 1600 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড) প্রতিরোধী এবং সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারগুলির কাছাকাছি তাপীয় প্রসারণের (4.0 × 10^-6 কে^-1) এর সহগ রয়েছে, যা কার্যকরভাবে তাপীয় চাপগুলি হ্রাস করে এবং এপিটিএক্সিয়াল স্তরটির গুণমান এবং স্থায়িত্বকে উন্নত করে।

ডিপ আল্ট্রাভায়োলেট (ডিইউভি) এবং আল্ট্রাভায়োলেট এলইডি এপিট্যাক্সিয়াল ম্যানুফ্যাকচারিং

এসআইসি প্রলিপ্ত গ্রহের সংজ্ঞাবহ গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (জিএএন) এবং অ্যালুমিনিয়াম গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (আলগান) এর মতো উপকরণগুলির এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য উপযুক্ত এবং এটি ইউভি-এলইডি এবং মাইক্রো এলইডি তৈরিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

● কার্যকরী প্রয়োজনীয়তা: তরঙ্গদৈর্ঘ্যের নির্ভুলতা এবং ডিভাইসের কার্যকারিতা নিশ্চিত করতে সুনির্দিষ্ট তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণ এবং অভিন্ন বায়ু প্রবাহ বিতরণ বজায় রাখুন।

● সুবিধা: উচ্চ তাপীয় পরিবাহিতা এবং জারণ প্রতিরোধের দীর্ঘ সময় ধরে উচ্চ তাপমাত্রায় দুর্দান্ত স্থিতিশীলতার জন্য অনুমতি দেয়, এলইডি চিপগুলির আলোকিত দক্ষতা এবং ধারাবাহিকতা উন্নত করতে সহায়তা করে।

ভেকমিকন চয়ন করুন

Veteksemon sic প্রলিপ্ত গ্রহের সংজ্ঞাবহ উচ্চ তাপমাত্রায় অপরিবর্তনীয় সুবিধা, ক্ষয়কারী অর্ধপরিবাহী উত্পাদন পরিবেশের অনন্য উপাদান বৈশিষ্ট্য এবং যান্ত্রিক নকশার মাধ্যমে অপ্রয়োজনীয় সুবিধাগুলি প্রদর্শন করেছে। এবং আমাদের মূল গ্রহের সংবেদনশীল পণ্যগুলি সিক প্রলিপ্ত গ্রহীয় সংজ্ঞার,Ald গ্রহীয় সংবেদনশীল, টিএসি লেপ গ্রহের সংবেদনশীলএবং তাই। একই সময়ে, ভিটেকসেমিকন অর্ধপরিবাহী শিল্পকে কাস্টমাইজড পণ্য এবং প্রযুক্তিগত পরিষেবা সরবরাহ করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ। আমরা আন্তরিকভাবে চীনে আপনার দীর্ঘমেয়াদী অংশীদার হওয়ার অপেক্ষায় রয়েছি।