CVD সিলিকন কার্বাইড(SiC) প্রলিপ্ত RTP সাসেপ্টর

বৈশিষ্ট্য

• থার্মা অভিন্নতা - উপাদানটির উচ্চ তাপীয় ডিফিউসিভিটি দ্রুত, স্থানিকভাবে অভিন্ন তাপ স্থানান্তর সক্ষম করে, পুনরাবৃত্তিযোগ্য ওয়েফার তাপমাত্রা প্রোফাইল সমর্থন করে।
• উচ্চ বিশুদ্ধতা স্তর - CVD SiC আবরণ 99.99995% এর বিশুদ্ধতা অর্জন করে, কার্যকরভাবে গুরুত্বপূর্ণ প্রক্রিয়ার ধাপে মোবাইল আয়ন এবং ধাতব দূষণের ঝুঁকি হ্রাস করে।
• রাসায়নিক স্থায়িত্ব - আবরণ উচ্চ তাপমাত্রার অধীনে হ্যালোজেন-ভিত্তিক গ্যাস সহ ক্ষয়কারী প্রজাতির শক্তিশালী প্রতিরোধ প্রদর্শন করে।
• নকশা নমনীয়তা - মাত্রা এবং কনফিগারেশন নির্দিষ্ট RTP চেম্বারের জ্যামিতি এবং ওয়েফার আকারের সাথে মানিয়ে নেওয়া যেতে পারে।

অ্যাপ্লিকেশন

• দ্রুত তাপ প্রক্রিয়াকরণ (RTP)
• র‍্যাপিড থার্মাল অ্যানিলিং (আরটিএ)
• ডোপান্ট সক্রিয়করণ অক্সিডেশন এবং অ্যানিলিং পদক্ষেপ
• ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (IC) উত্পাদন
• পাওয়ার ডিভাইস ফ্যাব্রিকেশন টেকনিক্যাল
  
  

স্পেসিফিকেশন

কেন VeTek সেমিকন্ডাক্টর চয়ন করুন?

• ইন-হাউস CVD SiC আবরণ প্রক্রিয়া বিশেষভাবে সেমিকন্ডাক্টর-গ্রেডের প্রয়োজনীয়তার জন্য বিকশিত হয়েছে।
• গ্রাফাইট পরিশোধন, নির্ভুলতা মেশিনিং এবং আবরণ বেধ নিয়ন্ত্রণের জন্য সমন্বিত ক্ষমতা।
• প্রমাণিত আবরণ আনুগত্য এবং ব্যাচ উত্পাদন জুড়ে স্তর অভিন্নতা.
• প্রধান RTP টুল প্ল্যাটফর্মের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ কাস্টম সাসেপ্টর ডিজাইনের জন্য ইঞ্জিনিয়ারিং সমর্থন।
• কঠোর ইনকামিং উপাদান পরিদর্শন, প্রক্রিয়াধীন পর্যবেক্ষণ, এবং চূড়ান্ত যোগ্যতা পরীক্ষা ব্যাচ-টু-ব্যাচ সামঞ্জস্যতা নিশ্চিত করে।