অনুভূমিক SiC ওয়েফার ক্যারিয়ার

VeTek সেমিকন্ডাক্টরঅনুভূমিক সিক ওয়েফার ক্যারিয়ার/নৌকায় একটি অত্যন্ত উচ্চ গলনাঙ্ক রয়েছে (প্রায় 2700 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড), যা সক্ষম করেঅনুভূমিক সিক ওয়েফার ক্যারিয়ার/বিকৃতি বা অবক্ষয় ছাড়াই উচ্চ তাপমাত্রার পরিবেশে স্থিরভাবে কাজ করার জন্য নৌকা। এই বৈশিষ্ট্যটি সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়ায় বিশেষভাবে গুরুত্বপূর্ণ, বিশেষত উচ্চ-তাপমাত্রা অ্যানিলিং বা রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) এর মতো প্রক্রিয়াগুলিতে।

দঅনুভূমিক সিক ওয়েফার ক্যারিয়ার/নৌকা বিশেষভাবে ওয়েফার ক্যারিয়ার বহন করার প্রক্রিয়াতে নিম্নলিখিত ভূমিকা পালন করে:

সিলিকন ওয়েফার বহন এবং সমর্থন: অনুভূমিক SiC ওয়েফার বোটটি প্রধানত অর্ধপরিবাহী উত্পাদনের সময় সিলিকন ওয়েফার বহন এবং সমর্থন করতে ব্যবহৃত হয়। এটি দৃঢ়ভাবে একাধিক সিলিকন ওয়েফারকে একসাথে সাজাতে পারে যাতে তারা পুরো প্রক্রিয়াকরণ প্রক্রিয়া জুড়ে ভাল অবস্থান এবং স্থিতিশীলতায় থাকে।

অভিন্ন গরম এবং শীতলকরণ: SiC এর উচ্চ তাপ পরিবাহিতার কারণে, ওয়েফার বোট কার্যকরভাবে সমস্ত সিলিকন ওয়েফারে সমানভাবে তাপ বিতরণ করতে পারে। এটি উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়াকরণের সময় সিলিকন ওয়েফারগুলির অভিন্ন গরম বা শীতলকরণ অর্জনে সহায়তা করে, প্রক্রিয়াকরণ প্রক্রিয়ার ধারাবাহিকতা এবং নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করে।

দূষণ রোধ করুন: এসআইসির রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এটিকে উচ্চ-তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী গ্যাসের পরিবেশে ভাল সম্পাদন করতে সক্ষম করে, যার ফলে সিলিকন ওয়েফারগুলির সম্ভাব্য দূষক বা চুল্লিগুলিতে এক্সপোজার হ্রাস করে, সিলিকন ওয়েফারগুলির বিশুদ্ধতা এবং গুণমান নিশ্চিত করে।

প্রকৃতপক্ষে, অনুভূমিক SiC ওয়েফার বোট তার অনন্য পণ্য বৈশিষ্ট্যগুলির কারণে উপরোক্ত ভূমিকা পালন করতে পারে:

চমৎকার রাসায়নিক স্থিতিশীলতা: এসআইসি উপাদানের বিভিন্ন রাসায়নিক মিডিয়াতে দুর্দান্ত জারা প্রতিরোধের রয়েছে। ক্ষয়কারী গ্যাস বা তরল প্রক্রিয়াকরণের প্রক্রিয়াতে, সিক ওয়েফার নৌকা কার্যকরভাবে রাসায়নিক জারা প্রতিরোধ করতে পারে এবং সিলিকন ওয়েফারগুলিকে দূষণ বা ক্ষতি থেকে রক্ষা করতে পারে।

উচ্চ তাপ পরিবাহিতা: এসআইসির উচ্চ তাপীয় পরিবাহিতা ক্যারিয়ার প্রক্রিয়াতে সমানভাবে তাপ বিতরণ করতে এবং তাপ জমে হ্রাস করতে সহায়তা করে। এটি নির্ভুলতা প্রক্রিয়াকরণের সময় তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণের যথার্থতা উন্নত করতে পারে এবং সিলিকন ওয়েফারগুলির অভিন্ন গরম বা শীতলকরণ নিশ্চিত করতে পারে।

কম তাপীয় প্রসারণ সহগ: এসআইসি উপাদানগুলির নিম্ন তাপীয় প্রসারণ সহগের অর্থ হ'ল তাপমাত্রা পরিবর্তনের সময় সিক ওয়েফার বোটের মাত্রিক পরিবর্তন খুব কম। এটি উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়াজাতকরণের সময় মাত্রিক স্থিতিশীলতা বজায় রাখতে সহায়তা করে এবং তাপীয় প্রসারণের কারণে সৃষ্ট সিলিকন ওয়েফারগুলির বিকৃতি বা অবস্থানগত স্থানচ্যুতি রোধ করে।

অনুভূমিক সিক ওয়েফার ক্যারিয়ারের প্রাথমিক শারীরিক বৈশিষ্ট্য:

সেমিকন্ডাক্টর প্রোডাকশন শপ তুলনা করুন:

সেমিকন্ডাক্টর চিপ এপিটাক্সি ইন্ডাস্ট্রি চেইনের ওভারভিউ: