খবর

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (সিভিডি) সিআইও 2, পাপ ইত্যাদি সহ চেম্বারে পাতলা ফিল্মের উপকরণ জমা দেওয়ার জন্য ব্যবহৃত হয় এবং সাধারণত ব্যবহৃত ধরণের মধ্যে পিইসিভিডি এবং এলপিসিভিডি অন্তর্ভুক্ত থাকে। তাপমাত্রা, চাপ এবং প্রতিক্রিয়া গ্যাসের ধরণ সামঞ্জস্য করে, সিভিডি বিভিন্ন প্রক্রিয়া প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য উচ্চ বিশুদ্ধতা, অভিন্নতা এবং ভাল ফিল্ম কভারেজ অর্জন করে।

এই নিবন্ধটি মূলত সিলিকন কার্বাইড সিরামিকগুলির বিস্তৃত প্রয়োগের সম্ভাবনাগুলি বর্ণনা করে। এটি সিলিকন কার্বাইড সিরামিকগুলিতে সিন্টারিং ফাটলগুলির কারণগুলির বিশ্লেষণ এবং সংশ্লিষ্ট সমাধানগুলির উপরও দৃষ্টি নিবদ্ধ করে।

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে এচিং প্রযুক্তি প্রায়শই লোডিং এফেক্ট, মাইক্রো-খাঁজ প্রভাব এবং চার্জিং এফেক্টের মতো সমস্যার মুখোমুখি হয় যা পণ্যের গুণমানকে প্রভাবিত করে। উন্নতির সমাধানগুলির মধ্যে রয়েছে প্লাজমা ঘনত্বকে অনুকূলকরণ করা, প্রতিক্রিয়া গ্যাস রচনা সামঞ্জস্য করা, ভ্যাকুয়াম সিস্টেমের দক্ষতা উন্নত করা, যুক্তিসঙ্গত লিথোগ্রাফি বিন্যাস ডিজাইন করা এবং উপযুক্ত এচিং মাস্ক উপকরণ এবং প্রক্রিয়া শর্ত নির্বাচন করা।

হট প্রেসিং সিনটারিং উচ্চ-পারফরম্যান্স সিক সিরামিক প্রস্তুত করার প্রধান পদ্ধতি। হট প্রেসিং সিনটারিংয়ের প্রক্রিয়াটির মধ্যে রয়েছে: উচ্চ-বিশুদ্ধতা এসআইসি পাউডার নির্বাচন করা, উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপের নীচে চাপ এবং ছাঁচনির্মাণ এবং তারপরে সিনটারিং। এই পদ্ধতি দ্বারা প্রস্তুত সিক সিরামিকগুলির উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং উচ্চ ঘনত্বের সুবিধা রয়েছে এবং ওয়েফার প্রসেসিংয়ের জন্য গ্রাইন্ডিং ডিস্ক এবং তাপ চিকিত্সার সরঞ্জামগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

সিলিকন কার্বাইড (SiC) এর মূল বৃদ্ধির পদ্ধতিগুলির মধ্যে রয়েছে PVT, TSSG, এবং HTCVD, প্রতিটিরই আলাদা সুবিধা এবং চ্যালেঞ্জ রয়েছে। কার্বন-ভিত্তিক তাপীয় ক্ষেত্র উপকরণ যেমন ইনসুলেশন সিস্টেম, ক্রুসিবল, TaC আবরণ, এবং ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট স্থিতিশীলতা, তাপ পরিবাহিতা এবং বিশুদ্ধতা প্রদান করে স্ফটিক বৃদ্ধি বাড়ায়, যা SiC-এর সুনির্দিষ্ট বানান এবং প্রয়োগের জন্য অপরিহার্য।