খবর

নিবন্ধটি একটি একক স্ফটিক চুল্লীতে তাপমাত্রার গ্রেডিয়েন্ট ব্যাখ্যা করে। এটি স্ফটিক বৃদ্ধির সময় স্থির এবং গতিশীল তাপ ক্ষেত্রগুলি, সলিড-লিকুইড ইন্টারফেস এবং দৃ ification ়তার ক্ষেত্রে তাপমাত্রার গ্রেডিয়েন্টের ভূমিকা কভার করে।

তাইকো প্রক্রিয়া সিলিকন ওয়েফারগুলি এর নীতিগুলি, প্রযুক্তিগত সুবিধা এবং প্রক্রিয়া উত্স ব্যবহার করে থিনস।

8 ইঞ্চি সিক এপিট্যাক্সিয়াল ফার্নেস এবং হোমোপিট্যাক্সিয়াল প্রক্রিয়া গবেষণা

নিবন্ধটি সিলিকন, GaAs, SiC এবং GaN এর মতো সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট ওয়েফারগুলির উপাদান বৈশিষ্ট্যগুলি বিশ্লেষণ করে