খবর

SiC এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়া চলাকালীন, SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসপেনশন ব্যর্থতা ঘটতে পারে। এই কাগজটি SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসপেনশনের ব্যর্থতার ঘটনাটির একটি কঠোর বিশ্লেষণ পরিচালনা করে, যার মধ্যে প্রধানত দুটি কারণ রয়েছে: SiC এপিটাক্সিয়াল গ্যাস ব্যর্থতা এবং SiC আবরণ ব্যর্থতা।

এই নিবন্ধটি মূলত সম্পর্কিত প্রক্রিয়া সুবিধা এবং আণবিক মরীচি এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়া এবং ধাতব-জৈব রাসায়নিক বাষ্প জমা প্রযুক্তি প্রযুক্তিগুলির পার্থক্য নিয়ে আলোচনা করে।

ভেটেক সেমিকন্ডাক্টরের ছিদ্রযুক্ত ট্যানটালাম কার্বাইড, এসআইসি স্ফটিক বৃদ্ধির উপাদানগুলির একটি নতুন প্রজন্ম হিসাবে, অনেকগুলি দুর্দান্ত পণ্য বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং বিভিন্ন ধরণের অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তিতে মূল ভূমিকা পালন করে।

এপিট্যাক্সিয়াল চুল্লির কার্যনির্বাহী নীতিটি হ'ল উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপের অধীনে একটি স্তরটিতে অর্ধপরিবাহী উপকরণ জমা করা। সিলিকন এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি হ'ল একটি নির্দিষ্ট স্ফটিক ওরিয়েন্টেশন সহ সিলিকন একক স্ফটিক স্তরটিতে সাবস্ট্রেট এবং বিভিন্ন বেধের মতো একই স্ফটিক ওরিয়েন্টেশন সহ স্ফটিকের একটি স্তর বৃদ্ধি করা। এই নিবন্ধটি মূলত সিলিকন এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির পদ্ধতিগুলি প্রবর্তন করে: বাষ্প ফেজ এপিট্যাক্সি এবং তরল ফেজ এপিট্যাক্সি।

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (সিভিডি) সিআইও 2, পাপ ইত্যাদি সহ চেম্বারে পাতলা ফিল্মের উপকরণ জমা দেওয়ার জন্য ব্যবহৃত হয় এবং সাধারণত ব্যবহৃত ধরণের মধ্যে পিইসিভিডি এবং এলপিসিভিডি অন্তর্ভুক্ত থাকে। তাপমাত্রা, চাপ এবং প্রতিক্রিয়া গ্যাসের ধরণ সামঞ্জস্য করে, সিভিডি বিভিন্ন প্রক্রিয়া প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য উচ্চ বিশুদ্ধতা, অভিন্নতা এবং ভাল ফিল্ম কভারেজ অর্জন করে।

এই নিবন্ধটি মূলত সিলিকন কার্বাইড সিরামিকগুলির বিস্তৃত প্রয়োগের সম্ভাবনাগুলি বর্ণনা করে। এটি সিলিকন কার্বাইড সিরামিকগুলিতে সিন্টারিং ফাটলগুলির কারণগুলির বিশ্লেষণ এবং সংশ্লিষ্ট সমাধানগুলির উপরও দৃষ্টি নিবদ্ধ করে।