পণ্য
পণ্য
PZT Piezoelectric Wafers (PZT on Si/SOI)
  • PZT Piezoelectric Wafers (PZT on Si/SOI)PZT Piezoelectric Wafers (PZT on Si/SOI)

PZT Piezoelectric Wafers (PZT on Si/SOI)

যেহেতু উচ্চ-সংবেদনশীলতা এবং কম-পাওয়ার MEMS ট্রান্সডুসারগুলির চাহিদা 5G যোগাযোগ, নির্ভুল চিকিৎসা ডিভাইস এবং স্মার্ট পরিধানযোগ্যগুলির সম্প্রসারণের সাথে বৃদ্ধি পাচ্ছে, তাই Si/SOI ওয়েফারগুলিতে আমাদের PZT একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান সমাধান প্রদান করে। সল-জেল বা স্পটারিংয়ের মতো উন্নত পাতলা-ফিল্ম জমা করার প্রক্রিয়াগুলি ব্যবহার করে, আমরা সিলিকন সাবস্ট্রেটগুলিতে ব্যতিক্রমী ধারাবাহিকতা এবং উচ্চতর পাইজোইলেকট্রিক কর্মক্ষমতা অর্জন করি। এই ওয়েফারগুলি ইলেক্ট্রোমেকানিকাল শক্তি রূপান্তরের জন্য মৌলিক মূল হিসাবে কাজ করে।

1. প্রযুক্তিগত আর্কিটেকচার

আমাদের ওয়েফারগুলিতে জটিল MEMS প্রক্রিয়াকরণের সময় সর্বোত্তম আনুগত্য, পরিবাহিতা এবং পাইজোইলেকট্রিক প্রতিক্রিয়া নিশ্চিত করার জন্য ডিজাইন করা একটি পরিশীলিত মাল্টি-লেয়ার স্ট্যাক কাঠামো রয়েছে:

 ●শীর্ষ ইলেকট্রোড (কী স্তর): Pt (প্ল্যাটিনাম)।

পাইজো লেয়ার (কোর লেয়ার): পিজেডটি।

মধ্যবর্তী স্তর: বাফার লেয়ার, বটম ইলেক্ট্রোড, এবং আঠালো স্তর অন্তর্ভুক্ত করে যাতে শস্য অভিযোজন এবং কাঠামোগত স্থিতিশীলতা অপ্টিমাইজ করা যায়।

সাবস্ট্রেট: Si বা SOI ওয়েফারের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।


PZT Piezoelectric Ceramic Wafers Physical Structure

2. গুণমান নিশ্চিতকরণ এবং মাইক্রোস্ট্রাকচার বিশ্লেষণ

আমরা কঠোর প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্যের মাধ্যমে উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা নিশ্চিত করি:

Typical Stack of PZT Piezoelectric Ceramic Wafers


 ●SEM বিশ্লেষণ: স্ক্যানিং ইলেক্ট্রন মাইক্রোস্কোপি (SEM) চিত্রগুলি একটি ঘন, ক্র্যাক-মুক্ত পৃষ্ঠের রূপবিদ্যা প্রকাশ করে যা অভিন্ন দানা আকারের বিতরণের সাথে উচ্চ-নির্ভরযোগ্য MEMS অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আদর্শ।

 ●XRD চরিত্রায়ন: এক্স-রে ডিফ্র্যাকশন (XRD) প্যাটার্নগুলি একটি শক্তিশালী (100) পছন্দের অভিযোজন সহ বিশুদ্ধ পেরোভস্কাইট ফেজ গঠন নিশ্চিত করে, সর্বাধিক পাইজোইলেকট্রিক কর্মক্ষমতা সহগ নিশ্চিত করে।


3. প্রযুক্তিগত স্পেসিফিকেশন (বৈশিষ্ট্য)

PZT বৈশিষ্ট্য
পলিক্রিস্টাল PZT
পাইজোইলেকট্রিক ধ্রুবক d31
200 পিসি/এন
পাইজোইলেকট্রিক সহগ e31
-14 C/m²
কিউরি তাপমাত্রা
X ℃
ওয়েফার সাইজ
4/6/8 ইঞ্চি উপলব্ধ


4. মূল অ্যাপ্লিকেশন


 ● Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducers (pMUT): ফিঙ্গারপ্রিন্ট সেন্সর, অঙ্গভঙ্গি স্বীকৃতি, এবং স্বয়ংচালিত অতিস্বনক রাডারের জন্য উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি ক্ষুদ্রাকৃতির অ্যারে।

 ● যোগাযোগ: বৃহত্তর ব্যান্ডউইথ এবং নিম্ন সন্নিবেশ ক্ষয় অর্জনের জন্য 5G/6G-এ FBAR বা SAW ফিল্টার তৈরির চাবিকাঠি।

 ● অ্যাকোস্টিক MEMS: MEMS স্পিকারের জন্য শক্তিশালী ক্ষণস্থায়ী প্রতিক্রিয়া প্রদান করে এবং MEMS মাইক্রোফোনের জন্য সিগন্যাল-টু-নয়েজ রেশিও (SNR) উন্নত করে৷

 ● যথার্থ তরল নিয়ন্ত্রণ: ইঙ্কজেট প্রিন্টহেডগুলিতে ড্রপলেট ভলিউমের ন্যানোলিটার-স্কেলের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণের জন্য d31 মোডের মাধ্যমে উচ্চ-গতির কম্পন।

 ● চিকিৎসা ও সৌন্দর্য (মাইক্রো-পাম্পিং): উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা এবং কম্প্যাক্ট আকার সহ মেডিকেল নেবুলাইজার বা প্রসাধনী অতিস্বনক পাম্প চালায়।


5. কাস্টমাইজেশন পরিষেবা

Si ওয়েফারে স্ট্যান্ডার্ড ডিপোজিশন ছাড়াও, আমরা কাস্টম ডিপোজিশন পরিষেবাও প্রদান করি:

 ●ফিল্ম এবং বেধ কাস্টমাইজেশন: নকশা প্রয়োজনীয়তা অনুযায়ী নির্দিষ্ট ফিল্ম প্রকার এবং কাস্টম বেধ জমা.

 ●ই এম ফাউন্ড্রি: উচ্চ-মানের পাইজোইলেকট্রিক পাতলা-ফিল্ম বৃদ্ধির জন্য গ্রাহকদের কাছ থেকে সরবরাহ করা ওয়েফারের গ্রহণযোগ্যতা।

 ●SOI সাবস্ট্রেট সাপোর্ট: নিম্নলিখিত স্পেসিফিকেশন সহ SOI ওয়েফারগুলিতে বিশেষায়িত জমা:


SOI সাবস্ট্রেট ওয়েফার
আকার
শীর্ষ Si প্রতিরোধের
বেধ
ডোপ্যান্ট
বক্স স্তর
6-ইঞ্চি, 8-ইঞ্চি
> 5000 ওহম/সেমি




হট ট্যাগ: PZT Piezoelectric Wafers (PZT on Si/SOI)
অনুসন্ধান পাঠান
যোগাযোগের তথ্য
  • ঠিকানা

    ওয়াংদা রোড, জিয়াং স্ট্রিট, উয়ি কাউন্টি, জিনহুয়া সিটি, ঝেজিয়াং প্রদেশ, চীন

  • টেলিফোন

    +86-18069220752

  • ই-মেইল

    anny@veteksemi.com

সিলিকন কার্বাইড লেপ, ট্যানটালাম কার্বাইড লেপ, বিশেষ গ্রাফাইট বা মূল্য তালিকা সম্পর্কে অনুসন্ধানের জন্য, অনুগ্রহ করে আপনার ইমেলটি আমাদের কাছে পাঠান এবং আমরা 24 ঘন্টার মধ্যে যোগাযোগ করব।
X
আমরা আপনাকে একটি ভাল ব্রাউজিং অভিজ্ঞতা দিতে, সাইটের ট্র্যাফিক বিশ্লেষণ করতে এবং সামগ্রী ব্যক্তিগতকৃত করতে কুকিজ ব্যবহার করি। এই সাইটটি ব্যবহার করে, আপনি আমাদের কুকিজ ব্যবহারে সম্মত হন। গোপনীয়তা নীতি
প্রত্যাখ্যান করুন গ্রহণ করুন