Veeco Mocvd প্রভিডেন্স

সেমিকন্ডাক্টর ডিল করেVeeco mocvdওয়েফার সংবেদক একটি সমালোচনামূলক উপাদান, একটি সহ আল্ট্রাপিউর গ্রাফাইট ব্যবহার করে নিখুঁতভাবে ইঞ্জিনিয়ারডসিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) লেপ। এইসিক লেপঅসংখ্য সুবিধা সরবরাহ করে, উল্লেখযোগ্যভাবে সাবস্ট্রেটে দক্ষ তাপ স্থানান্তর সক্ষম করে। অভিন্ন তাপমাত্রা নিয়ন্ত্রণের জন্য সাবস্ট্রেট জুড়ে সর্বোত্তম তাপ বিতরণ অর্জন করা প্রয়োজনীয়, ধারাবাহিক, উচ্চ-মানের পাতলা-ফিল্ম ডিপোজিশন নিশ্চিত করা, যা অর্ধপরিবাহী ডিভাইস বানোয়াটে গুরুত্বপূর্ণ।

প্রযুক্তিগত পরামিতি

উপাদান বৈশিষ্ট্য ম্যাট্রিক্স

মূল সূচকগুলি ভেটেক স্ট্যান্ডার্ড traditional তিহ্যবাহী সমাধান

বেস উপাদান বিশুদ্ধতা 6 এন আইসোস্ট্যাটিক গ্রাফাইট 5 এন ed ালাই গ্রাফাইট

সিটিই ম্যাচিং ডিগ্রি (25-1400 ℃) Δα ≤0.3 × 10⁻⁶/ কে Δα ≥1.2 × 10⁻⁶/ কে

তাপীয় পরিবাহিতা @800 ℃ 110 ডাব্লু/এম · কে 85 ডাব্লু/এম · কে

পৃষ্ঠের রুক্ষতা (আরএ) ≤0.1μm ≥0.5μm

অ্যাসিড সহনশীলতা (পিএইচ = 1@80 ℃) 1500 চক্র 300 চক্র

মূল সুবিধা পুনর্গঠন

তাপ পরিচালন উদ্ভাবন

পারমাণবিক সিটিই ম্যাচিং কৌশল

জাপান টয়ো কার্বন গ্রাফাইট/এসজিএল সাবস্ট্রেট + গ্রেডিয়েন্ট এসআইসি লেপ

তাপ চক্রের চাপ 82% হ্রাস পেয়েছে (ক্র্যাকিং ছাড়াই 1400 ℃↔RT 500 চক্র পরিমাপ করা হয়েছে)

বুদ্ধিমান তাপ ক্ষেত্রের নকশা

12-জোন তাপমাত্রা ক্ষতিপূরণ কাঠামো: φ 0.5 ℃ φ200 মিমি ওয়েফারের পৃষ্ঠে অভিন্নতা অর্জন করে

গতিশীল তাপ প্রতিক্রিয়া: তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট ≤1.2 ℃/সেমি 5 ℃/s উত্তাপের হারে

রাসায়নিক সুরক্ষা ব্যবস্থা
ট্রিপল যৌগিক বাধা

50μm ঘন সিক প্রধান প্রতিরক্ষামূলক স্তর

ন্যানোটাক ট্রানজিশন স্তর (al চ্ছিক)

গ্যাস পর্যায় অনুপ্রবেশ

এএসটিএম জি 31-21 দ্বারা যাচাই করা হয়েছে:

সিএল বেস জারা হার <0.003 মিমি/বছর

শস্য সীমানা জারা ছাড়াই 1000H এর জন্য এনএইচ 3 উন্মুক্ত

বুদ্ধিমান উত্পাদন ব্যবস্থা

ডিজিটাল টুইন প্রসেসিং

পাঁচ-অক্ষের মেশিনিং সেন্টার: অবস্থান যথার্থতা ± 1.5μm

অনলাইন 3 ডি স্ক্যানিং পরিদর্শন: 100% পূর্ণ আকারের যাচাইকরণ (ASME Y14.5 অনুসারে)

দৃশ্য-ভিত্তিক মান উপস্থাপনা

তৃতীয় প্রজন্মের অর্ধপরিবাহী ভর উত্পাদন

অ্যাপ্লিকেশন দৃশ্যের প্রক্রিয়া পরামিতি গ্রাহক সুবিধা

গ্যান হেম্ট 6 ইঞ্চি /150μm এপিট্যাক্সিয়াল দ্বি-মাত্রিক বৈদ্যুতিন গ্যাস ঘনত্বের ওঠানামা <2%

সিক মোসফেট সি ডোপিং ইউনিফর্মিটি ± 3% থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ বিচ্যুতি 40% হ্রাস পেয়েছে

মাইক্রো এলইডি তরঙ্গদৈর্ঘ্য অভিন্নতা ± 1.2nm চিপ বিন হার 15% বৃদ্ধি পেয়েছে

রক্ষণাবেক্ষণ ব্যয় অপ্টিমাইজেশন

পরিষ্কারের সময়কাল 3 বার বাড়ানো হয়: এইচএফ: এইচএনও ₃ = 1: 3 উচ্চ তীব্রতা পরিষ্কার সমর্থিত

স্পেয়ার পার্টস লাইফ প্রেডিকশন সিস্টেম: এআই অ্যালগরিদম ± 5% এর যথার্থতা

ভেটেক সেমিকন্ডাক্টর ভিওকো এমওসিভিডি সংবেদনশীল দোকানগুলি: