Aixtron MOCVD রিসেপ্টর

Susceptors দ্বারা উত্পাদিতএটি অর্ধপরিবাহীগ্রাফাইট সাবস্ট্রেট এবং সিলিকন কার্বাইড (SiC) আবরণ উপাদান দিয়ে তৈরি। উচ্চ পরিধান প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের এবং SiC উপাদানের অত্যন্ত উচ্চ কঠোরতা দেওয়া, এটি কঠোর প্রক্রিয়া পরিবেশে ব্যবহারের জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত। অতএব, ভেটেক সেমিকন্ডাক্টর দ্বারা উত্পাদিত সাসেপ্টরগুলি অতিরিক্ত পৃষ্ঠ চিকিত্সা ছাড়াই উচ্চ-তাপমাত্রা MOCVD প্রক্রিয়াগুলিতে সরাসরি ব্যবহার করা যেতে পারে।

সাসেপ্টরগুলি সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের মূল উপাদান, বিশেষত পাতলা ফিল্ম জমার প্রক্রিয়াগুলির জন্য MOCVD সরঞ্জামগুলিতে। এর প্রধান ভূমিকাAixtron SiC রিসিভারএমওসিভিডি প্রক্রিয়াটিতে সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারগুলি বহন করা, অভিন্ন তাপ বিতরণ এবং প্রতিক্রিয়া পরিবেশ সরবরাহ করে পাতলা ছায়াছবিগুলির অভিন্ন এবং উচ্চমানের জমা নিশ্চিত করা, যার ফলে উচ্চমানের পাতলা ফিল্ম উত্পাদন অর্জন হয়।

আইকস্ট্রন এমওসিভিডি সমর্থনকারীসাধারণত জমা প্রক্রিয়া চলাকালীন ওয়েফারের স্থায়িত্ব নিশ্চিত করতে সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফারের ভিত্তি সমর্থন এবং ঠিক করতে ব্যবহৃত হয়। একই সময়ে, Aixtron MOCVD সাসেপ্টরের পৃষ্ঠের আবরণ সিলিকন কার্বাইড (SiC), একটি অত্যন্ত তাপীয় পরিবাহী উপাদান দিয়ে তৈরি। SiC আবরণ ওয়েফারের পৃষ্ঠে অভিন্ন তাপমাত্রা নিশ্চিত করে এবং উচ্চ-মানের ফিল্ম পাওয়ার জন্য অভিন্ন গরম করা অপরিহার্য।

তদুপরি,আইকস্ট্রন এমওসিভিডি সমর্থনকারীআমরা উপকরণগুলির অনুকূলিত নকশার মাধ্যমে প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসগুলির প্রবাহ এবং বিতরণ নিয়ন্ত্রণে আরও বেশি ভূমিকা পালন করি। অভিন্ন ফিল্ম জমা অর্জনের জন্য এডি স্রোত এবং তাপমাত্রার গ্রেডিয়েন্টগুলি এড়িয়ে চলুন।

আরও গুরুত্বপূর্ণ বিষয়, এমওসিভিডি প্রক্রিয়াতে, সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) লেপ উপাদানগুলির জারা প্রতিরোধের রয়েছে, তাইএটি অর্ধপরিবাহী'এসআইকস্ট্রন এমওসিভিডি সমর্থনকারীউচ্চ তাপমাত্রা এবং ক্ষয়কারী গ্যাসগুলিও প্রতিরোধ করতে পারে।

এর বেসিক শারীরিক বৈশিষ্ট্যসিক লেপ:

ভেটেক সেমিকন্ডাক্টর ওয়েফার বোটের দোকান:

অর্ধপরিবাহী চিপ এপিট্যাক্সি শিল্প চেইনের ওভারভিউ: