শিল্প সংবাদ

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে এচিং প্রযুক্তি প্রায়শই লোডিং এফেক্ট, মাইক্রো-খাঁজ প্রভাব এবং চার্জিং এফেক্টের মতো সমস্যার মুখোমুখি হয় যা পণ্যের গুণমানকে প্রভাবিত করে। উন্নতির সমাধানগুলির মধ্যে রয়েছে প্লাজমা ঘনত্বকে অনুকূলকরণ করা, প্রতিক্রিয়া গ্যাস রচনা সামঞ্জস্য করা, ভ্যাকুয়াম সিস্টেমের দক্ষতা উন্নত করা, যুক্তিসঙ্গত লিথোগ্রাফি বিন্যাস ডিজাইন করা এবং উপযুক্ত এচিং মাস্ক উপকরণ এবং প্রক্রিয়া শর্ত নির্বাচন করা।

হট প্রেসিং সিনটারিং উচ্চ-পারফরম্যান্স সিক সিরামিক প্রস্তুত করার প্রধান পদ্ধতি। হট প্রেসিং সিনটারিংয়ের প্রক্রিয়াটির মধ্যে রয়েছে: উচ্চ-বিশুদ্ধতা এসআইসি পাউডার নির্বাচন করা, উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপের নীচে চাপ এবং ছাঁচনির্মাণ এবং তারপরে সিনটারিং। এই পদ্ধতি দ্বারা প্রস্তুত সিক সিরামিকগুলির উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং উচ্চ ঘনত্বের সুবিধা রয়েছে এবং ওয়েফার প্রসেসিংয়ের জন্য গ্রাইন্ডিং ডিস্ক এবং তাপ চিকিত্সার সরঞ্জামগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।

সিলিকন কার্বাইড (SiC) এর মূল বৃদ্ধির পদ্ধতিগুলির মধ্যে রয়েছে PVT, TSSG, এবং HTCVD, প্রতিটিরই আলাদা সুবিধা এবং চ্যালেঞ্জ রয়েছে। কার্বন-ভিত্তিক তাপীয় ক্ষেত্র উপকরণ যেমন ইনসুলেশন সিস্টেম, ক্রুসিবল, TaC আবরণ, এবং ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট স্থিতিশীলতা, তাপ পরিবাহিতা এবং বিশুদ্ধতা প্রদান করে স্ফটিক বৃদ্ধি বাড়ায়, যা SiC-এর সুনির্দিষ্ট বানান এবং প্রয়োগের জন্য অপরিহার্য।

SiC এর উচ্চ কঠোরতা, তাপ পরিবাহিতা এবং জারা প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে, এটি অর্ধপরিবাহী উত্পাদনের জন্য আদর্শ করে তোলে। CVD SiC আবরণ রাসায়নিক বাষ্প জমার মাধ্যমে তৈরি করা হয়, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য একটি ম্যাচিং জালি ধ্রুবক প্রদান করে। এর কম তাপীয় প্রসারণ এবং উচ্চ কঠোরতা স্থায়িত্ব এবং নির্ভুলতা নিশ্চিত করে, এটিকে ওয়েফার ক্যারিয়ার, প্রিহিটিং রিং এবং আরও অনেক কিছুর ক্ষেত্রে অপরিহার্য করে তোলে। VeTek সেমিকন্ডাক্টর বিভিন্ন শিল্পের প্রয়োজনের জন্য কাস্টম SiC আবরণে বিশেষজ্ঞ।

সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) একটি উচ্চ-নির্ভুলতা অর্ধপরিবাহী উপাদান যা উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের এবং উচ্চ যান্ত্রিক শক্তির মতো দুর্দান্ত বৈশিষ্ট্যের জন্য পরিচিত। এটিতে 200 টিরও বেশি স্ফটিক কাঠামো রয়েছে, 3 সি-সিসি একমাত্র ঘনক্ষেত্রের সাথে অন্যান্য ধরণের তুলনায় উচ্চতর প্রাকৃতিক গোলাকার এবং ঘনত্ব সরবরাহ করে। 3 সি-সিস তার উচ্চ বৈদ্যুতিন গতিশীলতার পক্ষে দাঁড়ায়, এটি পাওয়ার ইলেকট্রনিক্সে মোসফেটগুলির জন্য আদর্শ করে তোলে। অতিরিক্তভাবে, এটি ন্যানোইলেক্ট্রনিক্স, নীল এলইডি এবং সেন্সরগুলিতে দুর্দান্ত সম্ভাবনা দেখায়।

ডায়মন্ড, একটি সম্ভাব্য চতুর্থ-প্রজন্মের "চূড়ান্ত অর্ধপরিবাহী," তার ব্যতিক্রমী কঠোরতা, তাপ পরিবাহিতা এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্যের কারণে সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেটে মনোযোগ আকর্ষণ করছে। যদিও এর উচ্চ খরচ এবং উৎপাদন চ্যালেঞ্জ এর ব্যবহার সীমিত করে, সিভিডি হল পছন্দের পদ্ধতি। ডোপিং এবং বৃহৎ-ক্ষেত্রের স্ফটিক চ্যালেঞ্জ সত্ত্বেও, হীরা প্রতিশ্রুতি রাখে।

এসআইসি এবং গাএন হ'ল সিলিকনের সুবিধা সহ প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর যেমন উচ্চতর ব্রেকডাউন ভোল্টেজ, দ্রুত স্যুইচিং গতি এবং উচ্চতর দক্ষতা। উচ্চ-ভোল্টেজ, উচ্চ-পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনগুলির উচ্চতর তাপীয় পরিবাহের কারণে এসআইসি আরও ভাল, যখন গাএন তার উচ্চতর ইলেক্ট্রন গতিশীলতার জন্য উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে দক্ষতা অর্জন করে।

ইলেক্ট্রন মরীচি বাষ্পীভবন প্রতিরোধের উত্তাপের তুলনায় একটি অত্যন্ত দক্ষ এবং বহুল ব্যবহৃত আবরণ পদ্ধতি, যা একটি বৈদ্যুতিন মরীচি দিয়ে বাষ্পীভবন উপাদানকে উত্তপ্ত করে, এটি একটি পাতলা ফিল্মে বাষ্পীভূত করে এবং ঘনীভূত করে।

ভ্যাকুয়াম লেপের মধ্যে ফিল্মের উপাদান বাষ্পীকরণ, ভ্যাকুয়াম পরিবহন এবং পাতলা ফিল্ম বৃদ্ধি অন্তর্ভুক্ত রয়েছে। বিভিন্ন ফিল্ম উপাদান বাষ্পীকরণ পদ্ধতি এবং পরিবহন প্রক্রিয়া অনুসারে, ভ্যাকুয়াম লেপ দুটি বিভাগে বিভক্ত করা যেতে পারে: পিভিডি এবং সিভিডি।

এই নিবন্ধটি VeTek সেমিকন্ডাক্টরের ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের ভৌত পরামিতি এবং পণ্যের বৈশিষ্ট্য, সেইসাথে অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াকরণে এর নির্দিষ্ট প্রয়োগগুলি বর্ণনা করে।

এই নিবন্ধটি একাধিক দৃষ্টিকোণ থেকে ট্যান্টালাম কার্বাইড লেপ এবং সিলিকন কার্বাইড লেপের পণ্যের বৈশিষ্ট্য এবং প্রয়োগের পরিস্থিতি বিশ্লেষণ করে।

সিভিডি, এএলডি, বা পিভিডি এর মাধ্যমে 1 মাইক্রন পুরু এর নীচে ছায়াছবি জমা করে মাইক্রো ডিভাইস তৈরি করে চিপ উত্পাদনতে পাতলা ফিল্ম জমাটি গুরুত্বপূর্ণ। এই প্রক্রিয়াগুলি সেমিকন্ডাক্টর উপাদানগুলি বিকল্প পরিবাহী এবং অন্তরক ফিল্মগুলির মাধ্যমে তৈরি করে।

সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়াটিতে আটটি পদক্ষেপ জড়িত: ওয়েফার প্রসেসিং, জারণ, লিথোগ্রাফি, এচিং, পাতলা ফিল্ম জমা, আন্তঃসংযোগ, পরীক্ষা এবং প্যাকেজিং। বালি থেকে সিলিকনটি ওয়েফারগুলিতে প্রক্রিয়াজাত করা হয়, অক্সিডাইজড, প্যাটার্নযুক্ত এবং উচ্চ-নির্ভুলতা সার্কিটের জন্য তৈরি করা হয়।

এই নিবন্ধটি বর্ণনা করেছে যে এলইডি সাবস্ট্রেট হ'ল নীলকান্তরের বৃহত্তম প্রয়োগ, পাশাপাশি নীলকান্তমণি স্ফটিকগুলি প্রস্তুত করার মূল পদ্ধতিগুলি: জাজোক্রালস্কি পদ্ধতি দ্বারা নীলা স্ফটিকগুলি ক্রমবর্ধমান, কিরোপ্লোস পদ্ধতি দ্বারা বর্ধমান নীলা স্ফটিকগুলি, গাইডেড ছাঁচ পদ্ধতিতে ক্রমবর্ধমান স্ফটিকগুলির দ্বারা ক্রমবর্ধমান স্ফটিকগুলি এবং ক্রমবর্ধমান স্নায়ফায়ার স্ফটিকগুলি।

নিবন্ধটি একটি একক স্ফটিক চুল্লীতে তাপমাত্রার গ্রেডিয়েন্ট ব্যাখ্যা করে। এটি স্ফটিক বৃদ্ধির সময় স্থির এবং গতিশীল তাপ ক্ষেত্রগুলি, সলিড-লিকুইড ইন্টারফেস এবং দৃ ification ়তার ক্ষেত্রে তাপমাত্রার গ্রেডিয়েন্টের ভূমিকা কভার করে।

তাইকো প্রক্রিয়া সিলিকন ওয়েফারগুলি এর নীতিগুলি, প্রযুক্তিগত সুবিধা এবং প্রক্রিয়া উত্স ব্যবহার করে থিনস।