শিল্প সংবাদ

অর্ধপরিবাহী উত্পাদনের জন্য উচ্চ-বিশুদ্ধতা উপাদান অপরিহার্য। এই প্রক্রিয়াগুলি চরম তাপ এবং ক্ষয়কারী রাসায়নিক জড়িত। CVD-SiC (রাসায়নিক বাষ্প জমা সিলিকন কার্বাইড) প্রয়োজনীয় স্থিতিশীলতা এবং শক্তি প্রদান করে। উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং ঘনত্বের কারণে এটি এখন উন্নত সরঞ্জামের অংশগুলির জন্য একটি প্রাথমিক পছন্দ।

সিলিকন কার্বাইড (SiC) সেমিকন্ডাক্টরের জগতে, বেশিরভাগ স্পটলাইট 8-ইঞ্চি এপিটাক্সিয়াল রিঅ্যাক্টর বা ওয়েফার পলিশিংয়ের জটিলতায় জ্বলে। যাইহোক, যদি আমরা সাপ্লাই চেইনটিকে একেবারে শুরুতে ফিরে দেখি—ফিজিক্যাল ভ্যাপার ট্রান্সপোর্ট (পিভিটি) ফার্নেসের ভিতরে—একটি মৌলিক "বস্তু বিপ্লব" নিঃশব্দে ঘটছে।

দ্রুত MEMS (মাইক্রো-ইলেক্ট্রোমেকানিক্যাল সিস্টেম) বিবর্তনের যুগে, সঠিক পাইজোইলেকট্রিক উপাদান নির্বাচন করা ডিভাইসের কার্যকারিতার জন্য একটি মেক-অর-ব্রেক সিদ্ধান্ত। PZT (লিড জিরকোনেট টাইটানেট) পাতলা-ফিল্ম ওয়েফারগুলি AlN (অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড) এর মত বিকল্পগুলির চেয়ে প্রধান পছন্দ হিসাবে আবির্ভূত হয়েছে, যা অত্যাধুনিক সেন্সর এবং অ্যাকুয়েটরগুলির জন্য উচ্চতর ইলেক্ট্রোমেকানিক্যাল কাপলিং অফার করে৷