শিল্প সংবাদ

সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) স্ফটিক বৃদ্ধির চুল্লিগুলি পরবর্তী প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের জন্য উচ্চ-পারফরম্যান্স এসআইসি ওয়েফার উত্পাদন করতে গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। যাইহোক, উচ্চমানের এসআইসি স্ফটিকগুলি বৃদ্ধির প্রক্রিয়াটি উল্লেখযোগ্য চ্যালেঞ্জগুলি উপস্থাপন করে। চরম তাপীয় গ্রেডিয়েন্টগুলি পরিচালনা করা থেকে শুরু করে স্ফটিক ত্রুটিগুলি হ্রাস করা, অভিন্ন বৃদ্ধি নিশ্চিত করা এবং উত্পাদন ব্যয় নিয়ন্ত্রণ করা, প্রতিটি পদক্ষেপের জন্য উন্নত ইঞ্জিনিয়ারিং সমাধান প্রয়োজন। এই নিবন্ধটি একাধিক দৃষ্টিকোণ থেকে এসআইসি স্ফটিক বৃদ্ধির চুল্লিগুলির প্রযুক্তিগত চ্যালেঞ্জগুলি বিশ্লেষণ করবে।

স্মার্ট কাট হ'ল আয়ন ইমপ্লান্টেশন এবং ওয়েফার স্ট্রিপিংয়ের উপর ভিত্তি করে একটি উন্নত অর্ধপরিবাহী উত্পাদন প্রক্রিয়া, বিশেষত আল্ট্রা-পাতলা এবং অত্যন্ত ইউনিফর্ম 3 সি-সিক (কিউবিক সিলিকন কার্বাইড) ওয়েফারগুলির উত্পাদনের জন্য ডিজাইন করা। এটি আল্ট্রা-পাতলা স্ফটিক উপকরণগুলি একটি স্তর থেকে অন্য স্তর থেকে স্থানান্তর করতে পারে, যার ফলে মূল শারীরিক সীমাবদ্ধতাগুলি ভেঙে পুরো স্তরটি শিল্প পরিবর্তন করতে পারে।

উচ্চ-মানের এবং উচ্চ-ফলন সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটগুলির প্রস্তুতির ক্ষেত্রে, কোরটির ভাল তাপীয় ক্ষেত্রের উপকরণ দ্বারা উত্পাদন তাপমাত্রার সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন। বর্তমানে, তাপীয় ক্ষেত্র ক্রুসিবল কিটগুলি মূলত ব্যবহৃত হয় উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট স্ট্রাকচারাল উপাদান, যার কাজগুলি গলিত কার্বন পাউডার এবং সিলিকন পাউডারকে গরম করার পাশাপাশি তাপ বজায় রাখা।

আপনি যখন তৃতীয় প্রজন্মের অর্ধপরিবাহী দেখেন, আপনি অবশ্যই প্রথম এবং দ্বিতীয় প্রজন্ম কী তা ভাববেন। এখানে "প্রজন্ম" সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে ব্যবহৃত উপকরণগুলির ভিত্তিতে শ্রেণিবদ্ধ করা হয়েছে।

ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক চক (ইএসসি), যা ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক চক (ইএসসি, ই-চক) নামেও পরিচিত, এটি একটি ফিক্সচার যা অ্যাশসরবেড উপাদানগুলি ধরে রাখতে এবং ঠিক করতে ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক শোষণের নীতি ব্যবহার করে। এটি ভ্যাকুয়াম এবং প্লাজমা পরিবেশের জন্য উপযুক্ত।

তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর শিল্প চেইনের মূল উপভোগযোগ্য হিসাবে এসআইসি ওয়েফার ক্যারিয়ারগুলি তাদের প্রযুক্তিগত বৈশিষ্ট্যগুলি সরাসরি এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি এবং ডিভাইস উত্পাদন ফলনকে প্রভাবিত করে। 5 জি বেস স্টেশন এবং নতুন শক্তি যানবাহনের মতো শিল্পগুলিতে উচ্চ-ভোল্টেজ এবং উচ্চ-তাপমাত্রার ডিভাইসের জন্য ক্রমবর্ধমান চাহিদা সহ, সিক ওয়েফার ক্যারিয়ারের গবেষণা এবং প্রয়োগ এখন উল্লেখযোগ্য উন্নয়নের সুযোগের মুখোমুখি হচ্ছে।