শিল্প সংবাদ

বিশ্বের চারটি শক্তিশালী গ্রাফাইট প্রস্তুতকারক: এসজিএল, টয়ো ট্যানসো, টোকাই কার্বন, মিরসেন এবং তাদের সম্পর্কিত সাধারণ গ্রাফাইট এবং অ্যাপ্লিকেশন অঞ্চল।

নিবন্ধটি কার্বনের অনুভূতির দুর্দান্ত শারীরিক বৈশিষ্ট্যগুলি, এসআইসি লেপ চয়ন করার নির্দিষ্ট কারণগুলি এবং কার্বনে সিস লেপের পদ্ধতি এবং নীতিটি অনুভূত করে। এটি সিক লেপ কার্বনের অনুভূতির ফেজ রচনাটি বিশ্লেষণ করতে ডি 8 অ্যাডভান্স এক্স-রে ডিফ্র্যাক্টোমিটার (এক্সআরডি) এর ব্যবহারকে বিশেষভাবে বিশ্লেষণ করে।

এসআইসি একক স্ফটিকগুলি বৃদ্ধির প্রধান পদ্ধতিগুলি হ'ল: শারীরিক বাষ্প পরিবহন (পিভিটি), উচ্চ তাপমাত্রার রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (এইচটিসিভিডি) এবং উচ্চ তাপমাত্রা দ্রবণ বৃদ্ধি (এইচটিএসজি)।

সৌর ফটোভোলটাইক শিল্পের বিকাশের সাথে, বিচ্ছুরণ চুল্লি এবং এলপিসিভিডি চুল্লিগুলি সৌর কোষের উত্পাদনের মূল সরঞ্জাম, যা সরাসরি সৌর কোষগুলির দক্ষ কর্মক্ষমতাকে প্রভাবিত করে। বিস্তৃত পণ্য কর্মক্ষমতা এবং ব্যবহারের ব্যয়ের উপর ভিত্তি করে, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক উপাদানের কোয়ার্টজ উপকরণগুলির চেয়ে সৌর কোষের ক্ষেত্রে আরও সুবিধা রয়েছে। ফটোভোলটাইক শিল্পে সিলিকন কার্বাইড সিরামিক উপকরণগুলির প্রয়োগ ফটোভোলটাইক উদ্যোগগুলিকে সহায়ক উপাদান বিনিয়োগের ব্যয় হ্রাস করতে, পণ্যের গুণমান এবং প্রতিযোগিতামূলকতা উন্নত করতে সহায়তা করতে পারে। ফটোভোলটাইক ক্ষেত্রে সিলিকন কার্বাইড সিরামিক উপকরণগুলির ভবিষ্যতের প্রবণতা মূলত উচ্চতর বিশুদ্ধতা, শক্তিশালী লোড-বিয়ারিং ক্ষমতা, উচ্চতর লোডিং ক্ষমতা এবং কম ব্যয়ের দিকে।

নিবন্ধটি সেমিকন্ডাক্টর প্রসেসিংয়ের সময় এসআইসি একক স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য সিভিডি টিএসি লেপ প্রক্রিয়া দ্বারা যে নির্দিষ্ট চ্যালেঞ্জগুলি মোকাবেলা করেছে তা বিশ্লেষণ করে যেমন উপাদান উত্স এবং বিশুদ্ধতা নিয়ন্ত্রণ, প্রক্রিয়া প্যারামিটার অপ্টিমাইজেশন, আবরণ আনুগত্য, সরঞ্জাম রক্ষণাবেক্ষণ এবং প্রক্রিয়া স্থায়িত্ব, পরিবেশ সুরক্ষা এবং ব্যয় নিয়ন্ত্রণ, হিসাবে পাশাপাশি সংশ্লিষ্ট শিল্প সমাধান।

এসআইসি একক স্ফটিক বৃদ্ধির প্রয়োগের দৃষ্টিকোণ থেকে, এই নিবন্ধটি টিএসি লেপ এবং এসআইসি লেপের প্রাথমিক শারীরিক পরামিতিগুলির সাথে তুলনা করে এবং উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের, শক্তিশালী রাসায়নিক স্থিতিশীলতা, হ্রাস অমেধ্যের ক্ষেত্রে এসআইসি লেপের উপর টিএসি লেপের প্রাথমিক সুবিধাগুলি ব্যাখ্যা করে কম খরচ।

ফ্যাব কারখানায় অনেক ধরণের পরিমাপ সরঞ্জাম রয়েছে। সাধারণ সরঞ্জামগুলির মধ্যে লিথোগ্রাফি প্রক্রিয়া পরিমাপ সরঞ্জাম, এচিং প্রক্রিয়া পরিমাপ সরঞ্জাম, পাতলা ফিল্ম ডিপোজিশন প্রক্রিয়া পরিমাপ সরঞ্জাম, ডোপিং প্রক্রিয়া পরিমাপ সরঞ্জাম, সিএমপি প্রক্রিয়া পরিমাপ সরঞ্জাম, ওয়েফার কণা সনাক্তকরণ সরঞ্জাম এবং অন্যান্য পরিমাপ সরঞ্জাম অন্তর্ভুক্ত রয়েছে।

ট্যান্টালাম কার্বাইড (টিএসি) লেপ উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের, যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য এবং তাপ পরিচালনার ক্ষমতা উন্নত করে গ্রাফাইট অংশগুলির জীবনকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রসারিত করতে পারে। এর উচ্চ বিশুদ্ধতা বৈশিষ্ট্যগুলি অপরিষ্কার দূষণকে হ্রাস করে, স্ফটিক বৃদ্ধির গুণমান উন্নত করে এবং শক্তি দক্ষতা বাড়ায়। এটি উচ্চ-তাপমাত্রা, অত্যন্ত ক্ষয়কারী পরিবেশে অর্ধপরিবাহী উত্পাদন এবং স্ফটিক বৃদ্ধির অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য উপযুক্ত।

ট্যানটালাম কার্বাইড (টিএসি) লেপগুলি সেমিকন্ডাক্টর ক্ষেত্রে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, মূলত এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি চুল্লী উপাদানগুলি, একক স্ফটিক বৃদ্ধির কী উপাদান, উচ্চ-তাপমাত্রা শিল্প উপাদান, এমওসিভিডি সিস্টেম হিটার এবং ওয়েফার ক্যারিয়ারগুলির জন্য।

SiC এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়া চলাকালীন, SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসপেনশন ব্যর্থতা ঘটতে পারে। এই কাগজটি SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট সাসপেনশনের ব্যর্থতার ঘটনাটির একটি কঠোর বিশ্লেষণ পরিচালনা করে, যার মধ্যে প্রধানত দুটি কারণ রয়েছে: SiC এপিটাক্সিয়াল গ্যাস ব্যর্থতা এবং SiC আবরণ ব্যর্থতা।

এই নিবন্ধটি মূলত সম্পর্কিত প্রক্রিয়া সুবিধা এবং আণবিক মরীচি এপিট্যাক্সি প্রক্রিয়া এবং ধাতব-জৈব রাসায়নিক বাষ্প জমা প্রযুক্তি প্রযুক্তিগুলির পার্থক্য নিয়ে আলোচনা করে।

ভেটেক সেমিকন্ডাক্টরের ছিদ্রযুক্ত ট্যানটালাম কার্বাইড, এসআইসি স্ফটিক বৃদ্ধির উপাদানগুলির একটি নতুন প্রজন্ম হিসাবে, অনেকগুলি দুর্দান্ত পণ্য বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং বিভিন্ন ধরণের অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তিতে মূল ভূমিকা পালন করে।

এপিট্যাক্সিয়াল চুল্লির কার্যনির্বাহী নীতিটি হ'ল উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ চাপের অধীনে একটি স্তরটিতে অর্ধপরিবাহী উপকরণ জমা করা। সিলিকন এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধি হ'ল একটি নির্দিষ্ট স্ফটিক ওরিয়েন্টেশন সহ সিলিকন একক স্ফটিক স্তরটিতে সাবস্ট্রেট এবং বিভিন্ন বেধের মতো একই স্ফটিক ওরিয়েন্টেশন সহ স্ফটিকের একটি স্তর বৃদ্ধি করা। এই নিবন্ধটি মূলত সিলিকন এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির পদ্ধতিগুলি প্রবর্তন করে: বাষ্প ফেজ এপিট্যাক্সি এবং তরল ফেজ এপিট্যাক্সি।

সেমিকন্ডাক্টর ম্যানুফ্যাকচারিংয়ে রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (সিভিডি) সিআইও 2, পাপ ইত্যাদি সহ চেম্বারে পাতলা ফিল্মের উপকরণ জমা দেওয়ার জন্য ব্যবহৃত হয় এবং সাধারণত ব্যবহৃত ধরণের মধ্যে পিইসিভিডি এবং এলপিসিভিডি অন্তর্ভুক্ত থাকে। তাপমাত্রা, চাপ এবং প্রতিক্রিয়া গ্যাসের ধরণ সামঞ্জস্য করে, সিভিডি বিভিন্ন প্রক্রিয়া প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য উচ্চ বিশুদ্ধতা, অভিন্নতা এবং ভাল ফিল্ম কভারেজ অর্জন করে।

এই নিবন্ধটি মূলত সিলিকন কার্বাইড সিরামিকগুলির বিস্তৃত প্রয়োগের সম্ভাবনাগুলি বর্ণনা করে। এটি সিলিকন কার্বাইড সিরামিকগুলিতে সিন্টারিং ফাটলগুলির কারণগুলির বিশ্লেষণ এবং সংশ্লিষ্ট সমাধানগুলির উপরও দৃষ্টি নিবদ্ধ করে।