সিলিকন কার্বাইড (SiC) সিরামিক ওয়েফার বোট কি?

সেমিকন্ডাক্টর উচ্চ-তাপমাত্রার প্রক্রিয়াগুলিতে, ওয়েফারগুলির পরিচালনা, সমর্থনকারী এবং তাপীয় চিকিত্সা একটি বিশেষ সহায়ক উপাদান - ওয়েফার বোটের উপর নির্ভর করে। প্রক্রিয়া তাপমাত্রা বৃদ্ধি এবং পরিচ্ছন্নতা এবং কণা নিয়ন্ত্রণের প্রয়োজনীয়তা বৃদ্ধির সাথে সাথে, ঐতিহ্যগত কোয়ার্টজ ওয়েফার বোটগুলি ধীরে ধীরে স্বল্প পরিষেবা জীবন, উচ্চ বিকৃতির হার এবং দুর্বল ক্ষয় প্রতিরোধের মতো সমস্যাগুলি প্রকাশ করে।সিলিকন কার্বাইড (SiC) সিরামিক ওয়েফার বোটএই প্রেক্ষাপটে আবির্ভূত হয়েছে এবং হাই-এন্ড থার্মাল প্রসেসিং সরঞ্জামগুলির একটি মূল বাহক হয়ে উঠেছে।

সিলিকন কার্বাইড (SiC) একটি ইঞ্জিনিয়ারিং সিরামিক উপাদান যা উচ্চ কঠোরতা, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং চমৎকার রাসায়নিক স্থিতিশীলতাকে একত্রিত করে। SiC সিরামিক, উচ্চ-তাপমাত্রা সিন্টারিংয়ের মাধ্যমে গঠিত, শুধুমাত্র উচ্চতর তাপীয় শক প্রতিরোধের প্রদর্শন করে না তবে অক্সিডাইজিং এবং ক্ষয়কারী পরিবেশে স্থিতিশীল গঠন এবং আকার বজায় রাখে। ফলস্বরূপ, যখন ওয়েফার বোট আকারে তৈরি করা হয়, এটি নির্ভরযোগ্যভাবে উচ্চ-তাপমাত্রার প্রক্রিয়াগুলিকে সমর্থন করতে পারে যেমন ডিফিউশন, অ্যানিলিং এবং অক্সিডেশন, এটিকে 1100 ডিগ্রি সেলসিয়াসের উপরে তাপমাত্রায় পরিচালিত তাপীয় প্রক্রিয়াগুলির জন্য বিশেষভাবে উপযুক্ত করে তোলে।

ওয়েফার বোটগুলির গঠন সাধারণত বহু-স্তরযুক্ত, সমান্তরাল গ্রিড কনফিগারেশনের সাথে ডিজাইন করা হয়, যা একযোগে কয়েক ডজন বা এমনকি শত শত ওয়েফার ধারণ করতে সক্ষম। তাপ সম্প্রসারণ সহগ নিয়ন্ত্রণে SiC সিরামিকের সুবিধাগুলি উচ্চ-তাপমাত্রার র‌্যাম্প-আপ এবং র‌্যাম্প-ডাউন প্রক্রিয়ার সময় তাপীয় বিকৃতি বা মাইক্রোক্র্যাকিংয়ের ঝুঁকি কম করে। উপরন্তু, ধাতব অশুদ্ধতা বিষয়বস্তু কঠোরভাবে নিয়ন্ত্রণ করা যেতে পারে, উচ্চ তাপমাত্রায় দূষণের ঝুঁকি উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস করে। এটি তাদের এমন প্রক্রিয়াগুলির জন্য অত্যন্ত উপযুক্ত করে তোলে যা পরিচ্ছন্নতার জন্য অত্যন্ত সংবেদনশীল, যেমন পাওয়ার ডিভাইস, SiC MOSFETs, MEMS এবং অন্যান্য পণ্য তৈরি করা।

ঐতিহ্যবাহী কোয়ার্টজ ওয়েফার বোটগুলির তুলনায়, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ওয়েফার বোটগুলি সাধারণত উচ্চ-তাপমাত্রা, ঘন ঘন তাপ সাইক্লিং অবস্থার অধীনে 3-5 গুণ বেশি পরিষেবা জীবন ধারণ করে। তাদের উচ্চ দৃঢ়তা এবং বিকৃতির প্রতিরোধ আরও স্থিতিশীল ওয়েফার প্রান্তিককরণের অনুমতি দেয়, যা ফলন উন্নত করতে সহায়তা করে। আরও গুরুত্বপূর্ণভাবে, SiC উপাদানগুলি ঘন ঘন গরম এবং শীতল চক্রের সময় ন্যূনতম মাত্রিক পরিবর্তন বজায় রাখে, ওয়েফার এজ চিপিং বা ওয়েফার বোটের বিকৃতির কারণে কণার ঝরানো হ্রাস করে।

উত্পাদনের ক্ষেত্রে, সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার বোটগুলি সাধারণত প্রতিক্রিয়া সিন্টারিং (RBSiC), ঘন সিন্টারিং (SSiC), বা চাপ-সহায়ক সিন্টারিংয়ের মাধ্যমে উত্পাদিত হয়। কিছু উচ্চ-প্রান্তের পণ্যগুলি ওয়েফার-স্তরের নির্ভুলতা প্রয়োজনীয়তা মেটাতে নির্ভুল CNC মেশিনিং এবং পৃষ্ঠের পলিশিং ব্যবহার করে। বিভিন্ন নির্মাতাদের মধ্যে সূত্র নিয়ন্ত্রণ, অপরিচ্ছন্নতা ব্যবস্থাপনা এবং সিন্টারিং প্রক্রিয়ার প্রযুক্তিগত পার্থক্য সরাসরি ওয়েফার বোটের চূড়ান্ত কার্যকারিতাকে প্রভাবিত করে।

শিল্প অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে, সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ওয়েফার বোটগুলি ধীরে ধীরে তাপ প্রক্রিয়াকরণ প্রক্রিয়াগুলিতে উচ্চ-প্রান্তের সরঞ্জাম প্রস্তুতকারকদের জন্য পছন্দের পছন্দ হয়ে উঠছে, ঐতিহ্যগত সিলিকন ডিভাইস থেকে তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর উপকরণ পর্যন্ত। তারা শুধুমাত্র বিভিন্ন তাপ প্রক্রিয়াকরণ সরঞ্জামের জন্য উপযুক্ত নয়, যেমন উল্লম্ব টিউব চুল্লি এবং অনুভূমিক অক্সিডেশন চুল্লি, কিন্তু উচ্চ-তাপমাত্রা, অত্যন্ত ক্ষয়কারী পরিবেশে তাদের স্থিতিশীল কর্মক্ষমতা প্রক্রিয়ার সামঞ্জস্য এবং সরঞ্জামের ক্ষমতার জন্য শক্তিশালী গ্যারান্টি প্রদান করে।

সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ওয়েফার বোটগুলির ধীরে ধীরে জনপ্রিয়করণ সেমিকন্ডাক্টর সরঞ্জামগুলির মূল সমর্থন উপাদানগুলিতে প্রবেশকারী উন্নত সিরামিক উপকরণগুলির ত্বরণকে চিহ্নিত করে। ঐতিহ্যবাহী কোয়ার্টজ উপকরণের তুলনায়, উচ্চ-তাপমাত্রার স্থায়িত্ব, কাঠামোগত অনমনীয়তা এবং তাপীয় ক্লান্তি প্রতিরোধের সুবিধাগুলি উচ্চ তাপমাত্রা এবং আরও কঠোর প্রক্রিয়া উইন্ডোগুলির ক্রমাগত বিবর্তনের জন্য একটি নির্ভরযোগ্য উপাদান ভিত্তি প্রদান করে। বর্তমানে, 6-ইঞ্চি এবং 8-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ওয়েফার বোটগুলি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে পাওয়ার ডিভাইসগুলির ব্যাপক উত্পাদন তাপ চিকিত্সা প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। 12-ইঞ্চি স্পেসিফিকেশন ধীরে ধীরে উচ্চ-প্রক্রিয়া এবং উন্নত উত্পাদন লাইনে প্রবর্তিত হচ্ছে, যা পরবর্তী পর্যায়ে সরঞ্জাম এবং উপাদান সহযোগিতার জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ দিক হয়ে উঠছে। একই সময়ে, 2-4 ইঞ্চি ওয়েফার বোটগুলি গবেষণা প্ল্যাটফর্ম এবং নির্দিষ্ট প্রক্রিয়া পরিস্থিতি যেমন LED সাবস্ট্রেট প্রক্রিয়াকরণ এবং প্রক্রিয়া যাচাইকরণে ভূমিকা পালন করে চলেছে। সিলিকন কার্বাইড সিরামিক ওয়েফার বোটগুলি স্থায়িত্ব, আকার নিয়ন্ত্রণ এবং ওয়েফার ক্ষমতাতে আরও বেশি সুবিধা প্রদর্শন করবে, যা সম্পর্কিত সিরামিক উপকরণ প্রযুক্তির ক্রমাগত বিবর্তনকে চালিত করবে।