খবর

এপিট্যাক্সি এবং পারমাণবিক স্তর ডিপোজিশন (এএলডি) এর মধ্যে প্রধান পার্থক্যটি তাদের ফিল্ম বৃদ্ধির প্রক্রিয়া এবং অপারেটিং অবস্থার মধ্যে রয়েছে। এপিট্যাক্সি একই বা অনুরূপ স্ফটিক কাঠামো বজায় রেখে একটি নির্দিষ্ট ওরিয়েন্টেশন সম্পর্কের সাথে একটি স্ফটিক স্তরটিতে স্ফটিক পাতলা ফিল্ম বাড়ানোর প্রক্রিয়াটিকে বোঝায়। বিপরীতে, এএলডি হ'ল একটি ডিপোজিশন কৌশল যা একসাথে একটি পাতলা ফিল্ম ওয়ান পারমাণবিক স্তর গঠনের জন্য ধারাবাহিকভাবে বিভিন্ন রাসায়নিক পূর্ববর্তীগুলিতে একটি স্তরকে প্রকাশ করা জড়িত।

সিভিডি টিএসি লেপ একটি সাবস্ট্রেটে (গ্রাফাইট) একটি ঘন এবং টেকসই আবরণ গঠনের জন্য একটি প্রক্রিয়া। এই পদ্ধতিতে উচ্চ তাপমাত্রায় সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠের উপরে টিএসি জমা করা জড়িত, ফলস্বরূপ একটি ট্যানটালাম কার্বাইড (টিএসি) লেপের সাথে দুর্দান্ত তাপীয় স্থায়িত্ব এবং রাসায়নিক প্রতিরোধের সাথে জড়িত।

8 ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) প্রক্রিয়াটি পরিপক্ক হওয়ার সাথে সাথে নির্মাতারা 6 ইঞ্চি থেকে 8 ইঞ্চি পর্যন্ত স্থানান্তরকে ত্বরান্বিত করছে। সম্প্রতি, সেমিকন্ডাক্টর এবং রেজোনাক 8 ইঞ্চি এসআইসি উত্পাদন সম্পর্কে আপডেট ঘোষণা করেছে।

এই নিবন্ধটি ইতালীয় সংস্থা এলপিইর সদ্য ডিজাইন করা পিই 1 ও 8 হট-ওয়াল সিভিডি চুল্লি এবং 200 মিমি সিসিতে ইউনিফর্ম 4 এইচ-সিক এপিট্যাক্সি সম্পাদনের দক্ষতার সর্বশেষ উন্নয়নগুলির সাথে পরিচয় করিয়েছে।