SiC এপিটাক্সি প্রক্রিয়া

VeTek সেমিকন্ডাক্টরের অনন্য কার্বাইড আবরণগুলি চাহিদাপূর্ণ সেমিকন্ডাক্টর এবং যৌগিক সেমিকন্ডাক্টর উপকরণগুলির প্রক্রিয়াকরণের জন্য SiC Epitaxy প্রক্রিয়াতে গ্রাফাইট অংশগুলির জন্য উচ্চতর সুরক্ষা প্রদান করে। ফলাফল হল গ্রাফাইট উপাদানের আয়ু বর্ধিত, প্রতিক্রিয়া স্টোইচিওমেট্রি সংরক্ষণ, এপিটাক্সিতে অপরিচ্ছন্নতা স্থানান্তর এবং স্ফটিক বৃদ্ধির প্রয়োগে বাধা, ফলে ফলন এবং গুণমান বৃদ্ধি পায়।

আমাদের ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণগুলি উত্তপ্ত অ্যামোনিয়া, হাইড্রোজেন, সিলিকন বাষ্প এবং গলিত ধাতু থেকে উচ্চ তাপমাত্রায় (2200°C পর্যন্ত) গুরুত্বপূর্ণ চুল্লি এবং চুল্লির উপাদানগুলিকে রক্ষা করে৷ VeTek সেমিকন্ডাক্টরের আপনার কাস্টমাইজড প্রয়োজনীয়তা মেটাতে বিস্তৃত গ্রাফাইট প্রক্রিয়াকরণ এবং পরিমাপের ক্ষমতা রয়েছে, তাই আমরা আপনার এবং আপনার নির্দিষ্ট অ্যাপ্লিকেশনের জন্য সঠিক সমাধান ডিজাইন করতে প্রস্তুত আমাদের বিশেষজ্ঞ ইঞ্জিনিয়ারদের দল সহ একটি ফি-প্রদেয় আবরণ বা সম্পূর্ণ-পরিষেবা অফার করতে পারি। .

যৌগিক অর্ধপরিবাহী স্ফটিক

VeTek সেমিকন্ডাক্টর বিভিন্ন উপাদান এবং ক্যারিয়ারের জন্য বিশেষ TaC আবরণ প্রদান করতে পারে। VeTek সেমিকন্ডাক্টরের শিল্পের নেতৃস্থানীয় আবরণ প্রক্রিয়ার মাধ্যমে, TaC আবরণ উচ্চ বিশুদ্ধতা, উচ্চ তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা এবং উচ্চ রাসায়নিক প্রতিরোধ ক্ষমতা পেতে পারে, যার ফলে ক্রিস্টাল TaC/GaN) এবং EPl স্তরগুলির পণ্যের গুণমান উন্নত হয় এবং সমালোচনামূলক চুল্লি উপাদানগুলির জীবনকাল প্রসারিত হয়।

তাপ নিরোধক

ক্রুসিবল, সিড হোল্ডার, ডিফ্লেক্টর এবং ফিল্টার সহ SiC, GaN এবং AlN স্ফটিক বৃদ্ধির উপাদান। রেজিস্টিভ হিটিং উপাদান, অগ্রভাগ, শিল্ডিং রিং এবং ব্রেজিং ফিক্সচার, ওয়েফার ক্যারিয়ার, স্যাটেলাইট ট্রে, শাওয়ার হেড, ক্যাপ এবং পেডেস্টাল, MOCVD উপাদান সহ GaN এবং SiC এপিটাক্সিয়াল সিভিডি রিঅ্যাক্টর উপাদান সহ শিল্প সমাবেশগুলি।

 ● LED (হালকা নির্গত ডায়োড) ওয়েফার ক্যারিয়ার

● ALD (সেমিকন্ডাক্টর) রিসিভার

● EPI রিসেপ্টর (SiC Epitaxy প্রক্রিয়া)