অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড (AlN) ওয়েফার

1. মূল বৈশিষ্ট্য এবং সুবিধা

• আল্ট্রা-ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ ≈ 6.2 eV — মূলধারার সেমিকন্ডাক্টর উপকরণগুলির মধ্যে সর্বোচ্চ

• দক্ষ তাপ অপচয়ের জন্য উচ্চ তাপ পরিবাহিতা ≈ 320 W/m·K

• চমৎকার বৈদ্যুতিক নিরোধক (>10¹³ Ω·cm) এবং উচ্চ ভাঙ্গন ক্ষেত্র (12-15 MV/cm)

• GaN-এর সাথে ভাল জালি এবং তাপ-সম্প্রসারণ মেলে — GaN-on-AlN heterostructureগুলির জন্য আদর্শ

• টাইট HR-XRD দোলনা-বক্ররেখা নিয়ন্ত্রণ সহ কম স্থানচ্যুতি ঘনত্ব বিকল্প

• আল-ফেস সিএমপি (Ra ≤ 0.5 nm) এবং এপি-রেডি সারফেসের জন্য এন-ফেস এমপি

• উৎপাদন এবং গবেষণার প্রয়োজনীয়তা মেলে একাধিক মাপ এবং মানের গ্রেড (P/R/D)

2. সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন

• রাডার এবং 6G যোগাযোগের জন্য উচ্চ-শক্তি আরএফ ডিভাইস

• গ্রিড, ডেটা সেন্টার এবং বৈদ্যুতিক যানবাহনের জন্য উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স

• গভীর-আল্ট্রাভায়োলেট (UVC) LEDs এবং লেজার ডায়োড

• GaN-on-AlN এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি এবং উন্নত হেটেরোস্ট্রাকচার ডিভাইস

• উচ্চ-তাপমাত্রা, উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি, এবং কঠোর-পরিবেশের সেমিকন্ডাক্টর উপাদান

3. উপলব্ধ মাপ এবং গুণমান গ্রেড

VeTek নিম্নলিখিত স্ট্যান্ডার্ড ফরম্যাটে AlN ওয়েফার অফার করে। কাস্টম আকার এবং স্পেসিফিকেশন অনুরোধের ভিত্তিতে আলোচনা করা যেতে পারে.

• 10 × 10 মিমি বর্গক্ষেত্র সাবস্ট্রেট

• 1-ইঞ্চি (25.4 মিমি) ওয়েফার

• 2-ইঞ্চি (50.8 মিমি) ওয়েফার

গুণমানের গ্রেড: পি-গ্রেড (পণ্য), আর-গ্রেড (গবেষণা), ডি-গ্রেড (পরীক্ষামূলক), প্রধানত এইচআর-এক্সআরডি রকিং-কারভ এফডাব্লুএইচএম এবং সামগ্রিক ক্রিস্টাল গুণমান দ্বারা আলাদা।

4. মূল প্রযুক্তিগত বিশেষ উল্লেখ

মাপ জুড়ে সাধারণ পরামিতি (সাধারণ মান; গ্রেড-নির্ভর যেখানে উল্লেখ করা হয়েছে):

আকার-নির্দিষ্ট জ্যামিতিক সহনশীলতা:

• 10×10 মিমি: পাশের দৈর্ঘ্য 10 মিমি ± 0.5 মিমি; TTV ≤ 15 μm; নম ≤ 15 μm

• 1-ইঞ্চি: ব্যাস 25.4 মিমি ± 0.5 মিমি; ব্যবহারযোগ্য এলাকা ≥ 90%; TTV ≤ 20 μm; নম ≤ 20 μm; প্রাথমিক সমতল (10-10) ± 5°, দৈর্ঘ্য 8 মিমি ± 1 মিমি

• 2-ইঞ্চি: ব্যাস 50.8 মিমি ± 0.5 মিমি; ব্যবহারযোগ্য এলাকা ≥ 90%; TTV ≤ 30 μm; নম ≤ 30 μm; প্রাথমিক সমতল দৈর্ঘ্য 16 মিমি ± 2 মিমি

5. কেন VeTek AlN Wafers বেছে নিন?

উন্নত সেমিকন্ডাক্টর উপকরণ এবং উপাদানগুলির একটি বিশেষ সরবরাহকারী হিসাবে, VeTek সেমিকন্ডাক্টর প্রদান করে:

• নিয়ন্ত্রিত ক্রিস্টাল গুণমান এবং এপি-রেডি সারফেস সহ উচ্চ-মানের AlN একক-ক্রিস্টাল ওয়েফার

• ডিভাইস উত্পাদন এবং গবেষণা প্রোগ্রাম উভয় সমর্থন করার জন্য একাধিক আকার এবং গ্রেড বিকল্প

• VeTek সেমিকন্ডাক্টর উপকরণ পোর্টফোলিওর অধীনে পরিপূরক ওয়েফার এবং সাবস্ট্রেট সমাধান

• উপাদান নির্বাচন এবং প্রক্রিয়া মিলের জন্য প্রযুক্তিগত সহায়তা

আমাদের AlN ওয়েফারগুলি গ্রাহকদের উচ্চ-পাওয়ার RF, উচ্চ-ভোল্টেজ পাওয়ার, এবং গভীর-UV অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশকে ত্বরান্বিত করতে সহায়তা করে যেগুলি অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড দ্বারা প্রদত্ত আল্ট্রা-ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা এবং GaN সামঞ্জস্যের অনন্য সমন্বয়ের দাবি করে।