শিল্প সংবাদ

সিভিডি টিএসি লেপ একটি সাবস্ট্রেটে (গ্রাফাইট) একটি ঘন এবং টেকসই আবরণ গঠনের জন্য একটি প্রক্রিয়া। এই পদ্ধতিতে উচ্চ তাপমাত্রায় সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠের উপরে টিএসি জমা করা জড়িত, ফলস্বরূপ একটি ট্যানটালাম কার্বাইড (টিএসি) লেপের সাথে দুর্দান্ত তাপীয় স্থায়িত্ব এবং রাসায়নিক প্রতিরোধের সাথে জড়িত।

8 ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) প্রক্রিয়াটি পরিপক্ক হওয়ার সাথে সাথে নির্মাতারা 6 ইঞ্চি থেকে 8 ইঞ্চি পর্যন্ত স্থানান্তরকে ত্বরান্বিত করছে। সম্প্রতি, সেমিকন্ডাক্টর এবং রেজোনাক 8 ইঞ্চি এসআইসি উত্পাদন সম্পর্কে আপডেট ঘোষণা করেছে।

এই নিবন্ধটি ইতালীয় সংস্থা এলপিইর সদ্য ডিজাইন করা পিই 1 ও 8 হট-ওয়াল সিভিডি চুল্লি এবং 200 মিমি সিসিতে ইউনিফর্ম 4 এইচ-সিক এপিট্যাক্সি সম্পাদনের দক্ষতার সর্বশেষ উন্নয়নগুলির সাথে পরিচয় করিয়েছে।

পাওয়ার ইলেকট্রনিক্স, অপটোলেক্ট্রনিক্স এবং অন্যান্য ক্ষেত্রগুলিতে এসআইসি উপকরণগুলির ক্রমবর্ধমান চাহিদা সহ, এসআইসি একক স্ফটিক বৃদ্ধি প্রযুক্তির বিকাশ বৈজ্ঞানিক এবং প্রযুক্তিগত উদ্ভাবনের মূল ক্ষেত্র হয়ে উঠবে। এসআইসি একক স্ফটিক বৃদ্ধির সরঞ্জামগুলির মূল হিসাবে, তাপ ক্ষেত্রের নকশা ব্যাপক মনোযোগ এবং গভীরতর গবেষণা পেতে থাকবে।

ক্রমাগত প্রযুক্তিগত অগ্রগতি এবং গভীরতর প্রক্রিয়া গবেষণার মাধ্যমে, 3C-SiC হেটেরোপিট্যাক্সিয়াল প্রযুক্তি সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে আরও গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করবে এবং উচ্চ-দক্ষতাসম্পন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইসগুলির বিকাশকে উন্নীত করবে বলে আশা করা হচ্ছে।

স্থানিক ALD, স্থানিকভাবে বিচ্ছিন্ন পারমাণবিক স্তর জমা। ওয়েফারটি বিভিন্ন অবস্থানের মধ্যে চলে যায় এবং প্রতিটি অবস্থানে বিভিন্ন অগ্রদূতের সংস্পর্শে আসে। নীচের চিত্রটি ঐতিহ্যগত ALD এবং স্থানিকভাবে বিচ্ছিন্ন ALD এর মধ্যে একটি তুলনা।