শিল্প সংবাদ

সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়াটিতে আটটি পদক্ষেপ জড়িত: ওয়েফার প্রসেসিং, জারণ, লিথোগ্রাফি, এচিং, পাতলা ফিল্ম জমা, আন্তঃসংযোগ, পরীক্ষা এবং প্যাকেজিং। বালি থেকে সিলিকনটি ওয়েফারগুলিতে প্রক্রিয়াজাত করা হয়, অক্সিডাইজড, প্যাটার্নযুক্ত এবং উচ্চ-নির্ভুলতা সার্কিটের জন্য তৈরি করা হয়।

এই নিবন্ধটি বর্ণনা করেছে যে এলইডি সাবস্ট্রেট হ'ল নীলকান্তরের বৃহত্তম প্রয়োগ, পাশাপাশি নীলকান্তমণি স্ফটিকগুলি প্রস্তুত করার মূল পদ্ধতিগুলি: জাজোক্রালস্কি পদ্ধতি দ্বারা নীলা স্ফটিকগুলি ক্রমবর্ধমান, কিরোপ্লোস পদ্ধতি দ্বারা বর্ধমান নীলা স্ফটিকগুলি, গাইডেড ছাঁচ পদ্ধতিতে ক্রমবর্ধমান স্ফটিকগুলির দ্বারা ক্রমবর্ধমান স্ফটিকগুলি এবং ক্রমবর্ধমান স্নায়ফায়ার স্ফটিকগুলি।

নিবন্ধটি একটি একক স্ফটিক চুল্লীতে তাপমাত্রার গ্রেডিয়েন্ট ব্যাখ্যা করে। এটি স্ফটিক বৃদ্ধির সময় স্থির এবং গতিশীল তাপ ক্ষেত্রগুলি, সলিড-লিকুইড ইন্টারফেস এবং দৃ ification ়তার ক্ষেত্রে তাপমাত্রার গ্রেডিয়েন্টের ভূমিকা কভার করে।

তাইকো প্রক্রিয়া সিলিকন ওয়েফারগুলি এর নীতিগুলি, প্রযুক্তিগত সুবিধা এবং প্রক্রিয়া উত্স ব্যবহার করে থিনস।

8 ইঞ্চি সিক এপিট্যাক্সিয়াল ফার্নেস এবং হোমোপিট্যাক্সিয়াল প্রক্রিয়া গবেষণা

নিবন্ধটি সিলিকন, GaAs, SiC এবং GaN এর মতো সেমিকন্ডাক্টর সাবস্ট্রেট ওয়েফারগুলির উপাদান বৈশিষ্ট্যগুলি বিশ্লেষণ করে