ঘন সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারগুলির জন্য বুদ্ধিমান কাটিয়া প্রযুক্তি

স্মার্ট কাট আয়ন ইমপ্লান্টেশন এবং এর উপর ভিত্তি করে একটি উন্নত অর্ধপরিবাহী উত্পাদন প্রক্রিয়াওয়েফারস্ট্রিপিং, বিশেষত অতি-পাতলা এবং অত্যন্ত ইউনিফর্ম 3 সি-সিস (কিউবিক সিলিকন কার্বাইড) ওয়েফার উত্পাদনের জন্য ডিজাইন করা। এটি আল্ট্রা-পাতলা স্ফটিক উপকরণগুলি একটি স্তর থেকে অন্য স্তর থেকে স্থানান্তর করতে পারে, যার ফলে মূল শারীরিক সীমাবদ্ধতাগুলি ভেঙে পুরো স্তরটি শিল্প পরিবর্তন করতে পারে।

Traditional তিহ্যবাহী যান্ত্রিক কাটার সাথে তুলনা করে, স্মার্ট কাট প্রযুক্তিটি নিম্নলিখিত কী সূচকগুলিকে উল্লেখযোগ্যভাবে অনুকূল করে তোলে:

Tপ্রযুক্তিগত চখাওয়ার

উপকরণগুলির ব্যবহারের হার উন্নত করুন

Traditional তিহ্যবাহী উত্পাদন পদ্ধতিতে, সিলিকন কার্বাইড ওয়েফারগুলির কাটা এবং পলিশিং প্রক্রিয়াগুলি যথেষ্ট পরিমাণে কাঁচামাল নষ্ট করে। স্মার্ট কাট প্রযুক্তি একটি স্তরযুক্ত প্রক্রিয়াটির মাধ্যমে একটি উচ্চতর উপাদান ব্যবহারের হার অর্জন করে, যা 3 সি এসআইসির মতো ব্যয়বহুল উপকরণগুলির জন্য বিশেষভাবে গুরুত্বপূর্ণ।

উল্লেখযোগ্য ব্যয়-কার্যকারিতা

স্মার্ট কাটের পুনরায় ব্যবহারযোগ্য সাবস্ট্রেট বৈশিষ্ট্যটি সম্পদের ব্যবহারকে সর্বাধিক করে তুলতে পারে, যার ফলে উত্পাদন ব্যয় হ্রাস করা যায়। অর্ধপরিবাহী নির্মাতাদের জন্য, এই প্রযুক্তিটি উত্পাদন লাইনের অর্থনৈতিক সুবিধাগুলি উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করতে পারে।

ওয়েফার পারফরম্যান্স উন্নতি

স্মার্ট কাট দ্বারা উত্পাদিত পাতলা স্তরগুলিতে কম স্ফটিক ত্রুটি এবং উচ্চতর ধারাবাহিকতা রয়েছে। এর অর্থ এই যে এই প্রযুক্তি দ্বারা উত্পাদিত 3 সি এসআইসি ওয়েফারগুলি একটি উচ্চতর বৈদ্যুতিন গতিশীলতা বহন করতে পারে, আরও সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের কার্যকারিতা বাড়িয়ে তোলে।

সমর্থন স্থায়িত্ব

উপাদান বর্জ্য এবং শক্তি খরচ হ্রাস করে, স্মার্ট কাট প্রযুক্তি অর্ধপরিবাহী শিল্পের ক্রমবর্ধমান পরিবেশগত সুরক্ষা চাহিদা পূরণ করে এবং নির্মাতাদের টেকসই উত্পাদনের দিকে রূপান্তর করার পথ সরবরাহ করে।

স্মার্ট কাট প্রযুক্তির উদ্ভাবনটি তার অত্যন্ত নিয়ন্ত্রণযোগ্য প্রক্রিয়া প্রবাহে প্রতিফলিত হয়:

1. প্রাকশন আয়ন ইমপ্লান্টেশন ‌

ক। মাল্টি-এনার্জি হাইড্রোজেন আয়ন বিমগুলি স্তরযুক্ত ইনজেকশনের জন্য ব্যবহৃত হয়, গভীরতার ত্রুটি 5 এনএম এর মধ্যে নিয়ন্ত্রণ করা হয়।

খ। গতিশীল ডোজ সামঞ্জস্য প্রযুক্তির মাধ্যমে, জালির ক্ষতি (ত্রুটি ঘনত্ব <100 সেমি ⁻²) এড়ানো যায়।

2. দীর্ঘ-তাপমাত্রা ওয়েফার বন্ডিং ‌

ক।প্লাজমের মাধ্যমে ওয়েফার বন্ডিং অর্জন করা হয়ডিভাইসের পারফরম্যান্সে তাপ চাপের প্রভাব হ্রাস করতে 200 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডের নীচে একটি সক্রিয়করণ।

3. ইন্টেলিজেন্ট স্ট্রিপিং নিয়ন্ত্রণ ‌

ক। ইন্টিগ্রেটেড রিয়েল-টাইম স্ট্রেস সেন্সরগুলি পিলিং প্রক্রিয়া চলাকালীন কোনও মাইক্রোক্র্যাকগুলি নিশ্চিত করে না (ফলন> 95%)।

4. ইয়ৌদাওপ্লেসহোল্ডার 0 সারফেস পলিশিং অপ্টিমাইজেশন ‌

ক। রাসায়নিক মেকানিকাল পলিশিং (সিএমপি) প্রযুক্তি গ্রহণ করে, পৃষ্ঠের রুক্ষতা পারমাণবিক স্তরে (আরএ 0.3nm) হ্রাস করা হয়।

‌