সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সি

উচ্চ-মানের সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সির প্রস্তুতি উন্নত প্রযুক্তি এবং সরঞ্জাম এবং সরঞ্জাম আনুষাঙ্গিক উপর নির্ভর করে। বর্তমানে, সর্বাধিক ব্যবহৃত সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সি বৃদ্ধির পদ্ধতি হল রাসায়নিক বাষ্প জমা (সিভিডি)। এটিতে এপিটাক্সিয়াল ফিল্ম বেধ এবং ডোপিং ঘনত্ব, কম ত্রুটি, মাঝারি বৃদ্ধির হার, স্বয়ংক্রিয় প্রক্রিয়া নিয়ন্ত্রণ ইত্যাদির সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণের সুবিধা রয়েছে এবং এটি একটি নির্ভরযোগ্য প্রযুক্তি যা সফলভাবে বাণিজ্যিকভাবে প্রয়োগ করা হয়েছে।

সিলিকন কার্বাইড CVD এপিটাক্সি সাধারণত গরম প্রাচীর বা উষ্ণ প্রাচীর CVD সরঞ্জাম গ্রহণ করে, যা উচ্চ বৃদ্ধির তাপমাত্রার অবস্থার (1500 ~ 1700 ℃), গরম প্রাচীর বা উষ্ণ প্রাচীর CVD উন্নয়নের কয়েক বছর পরে এপিটাক্সি স্তর 4H স্ফটিক SiC এর ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করে। খাঁড়ি বায়ু প্রবাহ দিক এবং সাবস্ট্রেট পৃষ্ঠের মধ্যে সম্পর্ক, প্রতিক্রিয়া চেম্বার অনুভূমিক গঠন চুল্লি এবং উল্লম্ব কাঠামো চুল্লিতে ভাগ করা যেতে পারে।

এসআইসি এপিটাক্সিয়াল ফার্নেসের গুণমানের জন্য তিনটি প্রধান সূচক রয়েছে, প্রথমটি হল এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির কর্মক্ষমতা, যার মধ্যে পুরুত্বের অভিন্নতা, ডোপিং অভিন্নতা, ত্রুটির হার এবং বৃদ্ধির হার; দ্বিতীয়টি হ'ল সরঞ্জামের তাপমাত্রার কার্যকারিতা, যার মধ্যে গরম/ঠাণ্ডার হার, সর্বোচ্চ তাপমাত্রা, তাপমাত্রার অভিন্নতা রয়েছে; অবশেষে, একটি একক ইউনিটের দাম এবং ক্ষমতা সহ সরঞ্জাম নিজেই খরচ কর্মক্ষমতা.

তিন ধরনের সিলিকন কার্বাইড এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ ফার্নেস এবং মূল আনুষাঙ্গিক পার্থক্য

হট ওয়াল হরিজন্টাল সিভিডি (এলপিই কোম্পানির সাধারণ মডেল PE1O6), উষ্ণ প্রাচীর গ্রহের সিভিডি (সাধারণ মডেল Aixtron G5WWC/G10) এবং কোয়াসি-হট ওয়াল সিভিডি (Nuflare কোম্পানির EPIREVOS6 দ্বারা প্রতিনিধিত্ব করা) হল মূলধারার এপিটাক্সিয়াল সরঞ্জাম প্রযুক্তিগত সমাধান যা বাস্তবসম্মত হয়েছে। এই পর্যায়ে বাণিজ্যিক অ্যাপ্লিকেশনে. তিনটি প্রযুক্তিগত ডিভাইসের নিজস্ব বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং চাহিদা অনুযায়ী নির্বাচন করা যেতে পারে। তাদের গঠন নিম্নরূপ দেখানো হয়:

সংশ্লিষ্ট মূল উপাদানগুলি নিম্নরূপ:

(a) গরম প্রাচীর অনুভূমিক টাইপ কোর অংশ- হাফমুন পার্টস নিয়ে গঠিত

ডাউনস্ট্রিম নিরোধক

প্রধান অন্তরণ উপরের

উপরের অর্ধচন্দ্র

আপস্ট্রিম অন্তরণ

ট্রানজিশন টুকরা 2

রূপান্তর টুকরা 1

বাহ্যিক বায়ু অগ্রভাগ

টেপারড স্নরকেল

বাইরের আর্গন গ্যাস অগ্রভাগ

আর্গন গ্যাস অগ্রভাগ

ওয়েফার সাপোর্ট প্লেট

সেন্টারিং পিন

কেন্দ্রীয় প্রহরী

ডাউনস্ট্রিম বাম সুরক্ষা কভার

ডাউনস্ট্রিম ডান সুরক্ষা কভার

আপস্ট্রিম বাম সুরক্ষা কভার

আপস্ট্রিম ডান সুরক্ষা কভার

পাশের দেয়াল

গ্রাফাইট রিং

প্রতিরক্ষামূলক অনুভূত

সমর্থন অনুভূত

যোগাযোগ ব্লক

গ্যাস আউটলেট সিলিন্ডার

(b) উষ্ণ প্রাচীর গ্রহের ধরন

SiC আবরণ প্ল্যানেটারি ডিস্ক &TaC প্রলিপ্ত প্ল্যানেটারি ডিস্ক

(c) কোয়াসি-থার্মাল প্রাচীর স্ট্যান্ডিং টাইপ

নুফ্লেয়ার (জাপান): এই কোম্পানীটি দ্বৈত-চেম্বার উল্লম্ব চুল্লি অফার করে যা উৎপাদন বৃদ্ধিতে অবদান রাখে। সরঞ্জামগুলিতে প্রতি মিনিটে 1000টি বিপ্লব পর্যন্ত উচ্চ-গতির ঘূর্ণন বৈশিষ্ট্য রয়েছে, যা এপিটাক্সিয়াল অভিন্নতার জন্য অত্যন্ত উপকারী। অতিরিক্তভাবে, এর বায়ুপ্রবাহের দিকটি অন্যান্য সরঞ্জামের থেকে আলাদা, উল্লম্বভাবে নিম্নগামী, এইভাবে কণার প্রজন্মকে ন্যূনতম করে এবং কণার ফোঁটা ওয়েফারের উপর পড়ার সম্ভাবনা হ্রাস করে। আমরা এই সরঞ্জামের জন্য কোর SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট উপাদান প্রদান করি।

SiC epitaxial সরঞ্জাম উপাদানগুলির সরবরাহকারী হিসাবে, VeTek সেমিকন্ডাক্টর গ্রাহকদেরকে SiC এপিটাক্সির সফল বাস্তবায়নে সহায়তা করার জন্য উচ্চ-মানের আবরণ উপাদান সরবরাহ করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ।