সিক লেপযুক্ত ওয়েফার ক্যারিয়ার

চিপ উত্পাদন ওয়েফার থেকে অবিচ্ছেদ্য। ওয়েফার প্রস্তুতি প্রক্রিয়াতে, দুটি মূল লিঙ্ক রয়েছে: একটি হ'ল সাবস্ট্রেটের প্রস্তুতি এবং অন্যটি হ'ল এপিট্যাক্সিয়াল প্রক্রিয়া বাস্তবায়ন। সাবস্ট্রেটটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলি উত্পাদন করতে সরাসরি ওয়েফার উত্পাদন প্রক্রিয়াতে রাখা যেতে পারে বা এর মাধ্যমে আরও উন্নত করা যেতে পারেএপিট্যাক্সিয়াল প্রক্রিয়া। 

এপিটিএক্সি হ'ল একক স্ফটিক স্তরটিতে একক স্ফটিকের একটি নতুন স্তর বাড়ানো যা সূক্ষ্মভাবে প্রক্রিয়াজাত করা হয়েছে (কাটা, গ্রাইন্ডিং, পলিশিং ইত্যাদি)। যেহেতু সদ্য উত্থিত একক স্ফটিক স্তরটি স্তরটির স্ফটিক পর্ব অনুসারে প্রসারিত হবে, একে একে এপিট্যাক্সিয়াল স্তর বলা হয়। যখন এপিট্যাক্সিয়াল স্তরটি স্তরটিতে বৃদ্ধি পায়, তখন পুরোটিকে এপিট্যাক্সিয়াল ওয়েফার বলা হয়। এপিট্যাক্সিয়াল প্রযুক্তির প্রবর্তন চতুরতার সাথে একক স্তরগুলির অনেকগুলি ত্রুটি সমাধান করে।

এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ ফার্নেসে, সাবস্ট্রেটটি এলোমেলোভাবে স্থাপন করা যায় না এবং একটিওয়েফার ক্যারিয়ারসাবস্ট্রেটের উপর এপিটাক্সিয়াল ডিপোজিশন সঞ্চালিত হওয়ার আগে ওয়েফার হোল্ডারের উপর সাবস্ট্রেট স্থাপন করা প্রয়োজন। এই ওয়েফার ধারক হল SiC প্রলিপ্ত ওয়েফার ক্যারিয়ার।

ইপিআই চুল্লির ক্রস-বিভাগীয় দৃশ্য

একটি উচ্চ মানেরSiC আবরণসিভিডি প্রযুক্তি ব্যবহার করে এসজিএল গ্রাফাইটের পৃষ্ঠে প্রয়োগ করা হয়:

SiC আবরণ সাহায্যে, অনেক বৈশিষ্ট্যসিক লেপযুক্ত ওয়েফার ধারকউল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করা হয়েছে:

●  অ্যান্টিঅক্সিডেন্ট বৈশিষ্ট্য:: এসআইসি লেপ ভাল জারণ প্রতিরোধের রয়েছে এবং উচ্চ তাপমাত্রায় জারণ থেকে গ্রাফাইট ম্যাট্রিক্সকে রক্ষা করতে পারে এবং এর পরিষেবা জীবনকে প্রসারিত করতে পারে।

● উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের: SiC আবরণের গলনাঙ্ক খুব বেশি (প্রায় 2700°C)। গ্রাফাইট ম্যাট্রিক্সে SiC আবরণ যোগ করার পরে, এটি উচ্চ তাপমাত্রা সহ্য করতে পারে, যা এপিটাক্সিয়াল গ্রোথ ফার্নেস পরিবেশে প্রয়োগের জন্য উপকারী।

● জারা প্রতিরোধের: গ্রাফাইট নির্দিষ্ট অ্যাসিডিক বা ক্ষারীয় পরিবেশে রাসায়নিক জারা ঝুঁকিতে থাকে, যখন এসআইসি লেপ অ্যাসিড এবং ক্ষারযুক্ত জারাগুলির বিরুদ্ধে ভাল প্রতিরোধের থাকে, তাই এটি দীর্ঘ সময়ের জন্য এপিট্যাক্সিয়াল বৃদ্ধির চুল্লিগুলিতে ব্যবহার করা যেতে পারে।

●  প্রতিরোধের পরিধান করুন: এসআইসি উপাদানগুলির উচ্চ কঠোরতা রয়েছে। গ্রাফাইট এসআইসির সাথে লেপযুক্ত হওয়ার পরে, এপিট্যাক্সিয়াল গ্রোথ ফার্নেসে ব্যবহার করা হলে এটি সহজেই ক্ষতিগ্রস্থ হয় না, উপাদান পরিধানের হার হ্রাস করে।

VeTek সেমিকন্ডাক্টর গ্রাহকদের শিল্প-নেতৃস্থানীয় SiC প্রলিপ্ত ওয়েফার ক্যারিয়ার পণ্য সরবরাহ করতে সেরা উপকরণ এবং সবচেয়ে উন্নত প্রক্রিয়াকরণ প্রযুক্তি ব্যবহার করে। VeTek সেমিকন্ডাক্টরের শক্তিশালী প্রযুক্তিগত দল সর্বদা গ্রাহকদের জন্য সবচেয়ে উপযুক্ত পণ্য এবং সর্বোত্তম সিস্টেম সমাধানের জন্য প্রতিশ্রুতিবদ্ধ।

CVD SIC ফিল্মের SEM ডেটা

VeTek সেমিকন্ডাক্টরএসআইসি লেপযুক্ত ওয়েফার ক্যারিয়ার শপ