সিভিডি টিএসি লেপযুক্ত থ্রি-পেটাল গাইড রিং

সিলিকন কার্বাইড একক স্ফটিক সাবস্ট্রেট উপাদান হ'ল এক ধরণের স্ফটিক উপাদান, যা প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদানের অন্তর্গত। এটিতে উচ্চ ভোল্টেজ প্রতিরোধের, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, কম ক্ষতি ইত্যাদির সুবিধা রয়েছে এটি উচ্চ-শক্তি শক্তি বৈদ্যুতিন ডিভাইস এবং মাইক্রোওয়েভ রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি ডিভাইসগুলির প্রস্তুতির জন্য একটি প্রাথমিক উপাদান। বর্তমানে, এসআইসি স্ফটিকগুলি বৃদ্ধির প্রধান পদ্ধতিগুলি হ'ল শারীরিক বাষ্প পরিবহন (পিভিটি পদ্ধতি), উচ্চ তাপমাত্রার রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (এইচটিসিভিডি পদ্ধতি), তরল ফেজ পদ্ধতি ইত্যাদি ইত্যাদি।

শারীরিক বাষ্প পরিবহন (পিভিটি) পদ্ধতিটি একটি ভাল - প্রতিষ্ঠিত কৌশল যা বৃহত্তর - স্কেল শিল্প উত্পাদনের জন্য অত্যন্ত উপযুক্ত। এই প্রক্রিয়াতে, একটি সিক বীজ স্ফটিক ক্রুশিবলটির শীর্ষে অবস্থিত, যখন কাঁচামাল হিসাবে পরিবেশন করা সিক পাউডারটি ক্রুশিবল নীচে স্থাপন করা হয়। একটি বদ্ধ পরিবেশের মধ্যে উচ্চ তাপমাত্রা এবং নিম্নচাপের অবস্থার অধীনে, এসআইসি পাউডারটি sublimates। তাপমাত্রা গ্রেডিয়েন্ট এবং ঘনত্বের পার্থক্য দ্বারা চালিত, পরিতোষযুক্ত প্রজাতিগুলি বীজ স্ফটিকের নিকটবর্তী অঞ্চলের দিকে ward র্ধ্বমুখী হয়। একবার সুপারস্যাচুরেটেড অবস্থায় পৌঁছে গেলে, পুনরায় ইনস্টলেশন ঘটে, যা বর্ধিত এসআইসি স্ফটিকের আকার এবং নির্দিষ্ট স্ফটিক ধরণের উপর সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণের অনুমতি দেয়।

সিভিডি টিএসি লেপযুক্ত তিনটি - পেটাল গাইড রিং একাধিক গুরুত্বপূর্ণ ফাংশন সরবরাহ করে। প্রাথমিকভাবে, এটি গ্যাসের প্রবাহকে গাইড করে তরল মেকানিক্সকে বাড়িয়ে তোলে, এটি নিশ্চিত করে যে স্ফটিক বৃদ্ধির ক্ষেত্রটি অভিন্ন পরিবেশের সংস্পর্শে রয়েছে। অতিরিক্তভাবে, এটি এসআইসি স্ফটিক বৃদ্ধি প্রক্রিয়া চলাকালীন কার্যকরভাবে তাপকে বিলুপ্ত করে। উপযুক্ত তাপমাত্রার গ্রেডিয়েন্ট বজায় রেখে, এটি এসআইসি স্ফটিকের বৃদ্ধির অবস্থাকে অনুকূল করে এবং অসম তাপমাত্রা বিতরণের কারণে সৃষ্ট স্ফটিক ত্রুটিগুলির ঝুঁকি হ্রাস করে।