খবর

আধুনিক চিপ উৎপাদনে, সাবস্ট্রেটটি শারীরিক সহায়তা এবং তাপ অপচয়ের পথ প্রদান করে, যখন এপিটাক্সিয়াল স্তরটি ডিভাইসের বৈদ্যুতিক কর্মক্ষমতা সীমা নির্ধারণ করে। এই নিবন্ধটি একক-ক্রিস্টাল সিলিকন এবং সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেট এবং CVD/MBE এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াগুলির মধ্যে মৌলিক পার্থক্যগুলির একটি গভীর বিশ্লেষণ প্রদান করে এবং প্রকাশ করে যে কীভাবে এপিটাক্সিয়াল প্রযুক্তি উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ-ভোল্টেজ ডিভাইসগুলির কার্যকারিতা বৃদ্ধি করে ইঞ্জিনের ত্রুটি এবং ঘনত্ব হ্রাস করে। আপনি একজন প্রসেস ইঞ্জিনিয়ার বা প্রকিউরমেন্ট ডিসিশন মেকার হোন না কেন, এই গাইড আপনাকে দ্রুত সবচেয়ে উপযুক্ত ওয়েফার নির্বাচনের কৌশল শনাক্ত করতে সাহায্য করবে।

GTMS/CTMS হারমেটিক সিলিং প্রক্রিয়াগুলিকে লক্ষ্য করে, VeTek প্রতি 0.01 ㎡ 1,500টি ঘন বিন্যাসযুক্ত মাইক্রো-হোল সহ কাস্টমাইজড বিশেষ গ্রাফাইট ফিক্সচার সমাধান প্রদান করে। কোভার অ্যালয় CTE-এর সাথে সুনির্দিষ্টভাবে মেলে, 10 মাস ধরে মাল্টি-হোল মাইক্রোমেশিনিং চ্যালেঞ্জকে অতিক্রম করে, মাইক্রোন-লেভেলের জিরো-ডিফেক্ট নিয়ন্ত্রণ এবং ওয়ান-স্টপ ইঞ্জিনিয়ারিং ডেলিভারি অর্জন করে।

MOCVD এপিটাক্সি গ্রাফাইট সাসেপ্টরগুলিতে সিলিকন কার্বাইড আবরণের প্রান্ত হলুদ এবং খোসা ছাড়ানোর কারণগুলির গভীর বিশ্লেষণ। VeTek প্রাথমিক CVD জমার হার এবং প্রবাহ ক্ষেত্রকে সুনির্দিষ্টভাবে নিয়ন্ত্রণ করে, আবরণের ফলন 50% থেকে 90% বৃদ্ধি করে এবং উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট অংশগুলির পরিষেবা জীবন প্রসারিত করে মাইক্রো-স্ট্রেস দূর করেছে।