খবর

MOCVD এপিটাক্সি গ্রাফাইট সাসেপ্টরগুলিতে সিলিকন কার্বাইড আবরণের প্রান্ত হলুদ এবং খোসা ছাড়ানোর কারণগুলির গভীর বিশ্লেষণ। VeTek প্রাথমিক CVD জমার হার এবং প্রবাহ ক্ষেত্রকে সুনির্দিষ্টভাবে নিয়ন্ত্রণ করে, আবরণের ফলন 50% থেকে 90% বৃদ্ধি করে এবং উচ্চ-বিশুদ্ধ গ্রাফাইট অংশগুলির পরিষেবা জীবন প্রসারিত করে মাইক্রো-স্ট্রেস দূর করেছে।

মাল্টি-পকেট সিলিকন এপিটাক্সি গ্রাফাইট সাসেপ্টরগুলিতে 1.4% পকেট-থেকে-পকেট পুরুত্বের বৈচিত্র্যকে সম্বোধন করে, VeTek সেমি সাসেপ্টর ফ্ল্যাটনেস <0.08mm-এ উন্নতি করেছে এবং CVD ফ্লো ফিল্ড সিমুলেশন এবং আল্ট্রা-প্রিসিশন সিম্যুলেশনের মাধ্যমে প্রকরণ 0.69% কমিয়েছে।

Vetek কিভাবে বড় আকারের MOCVD SiC-কোটেড গ্রাফাইট সাসেপ্টরগুলিতে রেডিয়াল ক্র্যাকিং দূর করেছে তা জানুন। স্ট্রাকচারাল স্ট্রেস বাফার রিডিজাইন এবং CTE ম্যাচিং সার্ভিস লাইফ 300%+ বাড়িয়েছে।

SiC বিবর্তনের এক দশক — প্রথম দিকে 4-ইঞ্চি বাণিজ্যিকীকরণ চ্যালেঞ্জ থেকে আজকের 8-ইঞ্চি ওয়েফার ট্রানজিশন পর্যন্ত। আবিষ্কার করুন কিভাবে CVD SiC আবরণ, সলিড SiC, এবং TaC উপকরণ নির্ভরযোগ্য সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন সক্ষম করে।

শিখুন কিভাবে CVD SiC-কোটেড গ্রাফাইট সাসেপ্টরগুলি SiC, GaN, LED, এবং সিলিকন সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে তাপীয় অভিন্নতা উন্নত করে, দূষণ হ্রাস করে এবং উপাদানের আয়ু বৃদ্ধি করে এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি বাড়ায়।

প্রচলিত pBN-কোটেড হিটারের তুলনায় TaC-কোটেড গ্রাফাইট হিটারগুলি কীভাবে তাপমাত্রার অভিন্নতা বাড়ায়, শক্তি খরচ কমায় এবং GaN MOCVD এপিটাক্সিতে পরিষেবা জীবন বাড়ায় তা আবিষ্কার করুন।

কিভাবে CVD TaC আবরণ কার্বন দূষণ হ্রাস করে, গ্রাফাইট উপাদানগুলিকে রক্ষা করে, পরিষেবার জীবন বৃদ্ধি করে, এবং উন্নত সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের জন্য ক্রিস্টালের গুণমান উন্নত করে PVT ফার্নেসগুলিতে SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধির উন্নতি করে তা আবিষ্কার করুন৷

আবিষ্কার করুন কেন CVD TaC আবরণ সেমিকন্ডাক্টর গ্রাফাইট উপাদানগুলির জন্য পছন্দের প্রতিরক্ষামূলক সমাধান হয়ে উঠছে। এর সুবিধাগুলি, SiC ক্রিস্টাল গ্রোথ, GaN MOCVD, এবং ওয়েফার ক্যারিয়ারগুলিতে অ্যাপ্লিকেশন এবং এটি কীভাবে স্থায়িত্ব, বিশুদ্ধতা এবং প্রক্রিয়া স্থিতিশীলতা উন্নত করে তা জানুন।

শিখুন কীভাবে VETEK পাইরোলাইটিক কার্বন (PyC) প্রলিপ্ত গ্রাফাইট রিংগুলি তাপ স্থিতিশীলতা উন্নত করে, দূষণ কমায় এবং SiC ক্রিস্টাল বৃদ্ধি, এপিটাক্সি, CVD এবং উচ্চ-তাপমাত্রার অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াগুলিতে উপাদানের আয়ু বাড়ায়।

আবিষ্কার করুন কিভাবে CVD TaC আবরণ SiC স্ফটিক বৃদ্ধি এবং অর্ধপরিবাহী উত্পাদনকে অতি-উচ্চ তাপীয় স্থিতিশীলতা, ক্ষয় প্রতিরোধের, অপরিচ্ছন্নতা দমন এবং MOCVD এবং এপিটাক্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে উচ্চতর কর্মক্ষমতা সহ উন্নত করে।

হাই-টেম্প SiC এপিটাক্সি সিস্টেমের জন্য কী Aixtron G10 উপাদানগুলি একবার দেখুন। আমরা CVD SiC প্রলিপ্ত গ্রাফাইট অংশ, TaC আবরণ উপাদান, এবং তাপীয় ক্ষেত্রের কাঠামো কভার করি - এবং কীভাবে তারা উন্নত সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়ার স্থিতিশীলতা, বিশুদ্ধতা নিয়ন্ত্রণ এবং ওয়েফার ফলনকে সহায়তা করে।

একটি এলপিই প্রতিক্রিয়া চেম্বারে একটি হাফমুন উপাদান কী এবং এটি কীভাবে SiC এপিটাক্সি সিস্টেমে তাপীয় স্থিতিশীলতা, গ্যাস প্রবাহ ব্যবস্থাপনা এবং চুল্লি গঠনকে সমর্থন করে তা জানুন। গ্রাফাইট উপকরণ, CVD SiC আবরণ, TaC আবরণ, এবং আধুনিক সেমিকন্ডাক্টর চুল্লি প্রযুক্তি অন্বেষণ করুন।

MicroLED ফলন হার সঙ্গে সংগ্রাম? আবিষ্কার করুন কেন শিল্পের নেতারা তাপীয় চাপ এবং কণা দূষণ সমাধানের জন্য SiC সাবস্ট্রেট এবং TaC-কোটেড MOCVD উপাদানগুলিতে স্থানান্তরিত হচ্ছে। পরবর্তী প্রজন্মের GaN প্রদর্শনের জন্য CVD SiC-এর প্রযুক্তিগত প্রান্ত জানুন

অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াগুলিতে কীভাবে CVD SiC আবরণ ব্যবহার করা হয় তা অন্বেষণ করুন, এর গঠন, কার্যকারিতা বৈশিষ্ট্য এবং সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন সহ উচ্চ-তাপমাত্রার অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে এর প্রাসঙ্গিকতা সহ।

CVD সলিড SiC কি বিনিয়োগের যোগ্য? একচেটিয়া SiC বনাম ঐতিহ্যগত গ্রাফাইট আবরণের ROI তুলনা করুন। শিখুন কিভাবে উচ্চতর প্লাজমা প্রতিরোধ এবং বর্ধিত MTBC 12-ইঞ্চি HVM লাইনের জন্য নিম্ন ওয়েফার স্ক্র্যাপ রেট এবং উচ্চতর সরঞ্জাম আপটাইমে অনুবাদ করে।

অর্ধপরিবাহী উত্পাদনের জন্য উচ্চ-বিশুদ্ধতা উপাদান অপরিহার্য। এই প্রক্রিয়াগুলি চরম তাপ এবং ক্ষয়কারী রাসায়নিক জড়িত। CVD-SiC (রাসায়নিক বাষ্প জমা সিলিকন কার্বাইড) প্রয়োজনীয় স্থিতিশীলতা এবং শক্তি প্রদান করে। উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং ঘনত্বের কারণে এটি এখন উন্নত সরঞ্জামের অংশগুলির জন্য একটি প্রাথমিক পছন্দ।