SiC ক্রিস্টাল গ্রোথ পোরাস গ্রাফাইট

এসআইসি স্ফটিক বৃদ্ধি পোরস গ্রাফাইট একটি অত্যন্ত নিয়ন্ত্রণযোগ্য ছিদ্র কাঠামো সহ ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট থেকে তৈরি একটি উপাদান। সেমিকন্ডাক্টর প্রসেসিংয়ে, এটি দুর্দান্ত তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধের এবং রাসায়নিক স্থিতিশীলতা দেখায়, তাই এটি শারীরিক বাষ্পের জমা, রাসায়নিক বাষ্পের জমা এবং অন্যান্য প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়, উত্পাদন প্রক্রিয়া এবং পণ্যের মানের দক্ষতা উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করে, একটি অনুকূলিত অর্ধপরিবাহী হয়ে ওঠে সরঞ্জাম উত্পাদন কর্মক্ষমতা জন্য গুরুত্বপূর্ণ উপকরণ।

PVD প্রক্রিয়ায়, SiC ক্রিস্টাল গ্রোথ পোরাস গ্রাফাইট সাধারণত সাবস্ট্রেট সাপোর্ট বা ফিক্সচার হিসেবে ব্যবহৃত হয়। এর কাজ হল ওয়েফার বা অন্যান্য সাবস্ট্রেটকে সমর্থন করা এবং জমা প্রক্রিয়া চলাকালীন উপাদানটির স্থায়িত্ব নিশ্চিত করা। ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের তাপ পরিবাহিতা সাধারণত 80 W/m·K এবং 120 W/m·K এর মধ্যে হয়, যা ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটকে দ্রুত এবং সমানভাবে তাপ পরিচালনা করতে সক্ষম করে, স্থানীয় অতিরিক্ত উত্তাপ এড়ায়, যার ফলে পাতলা ছায়াছবির অসম জমা প্রতিরোধ করে, প্রক্রিয়া দক্ষতার ব্যাপক উন্নতি হয়। .

উপরন্তু, SiC ক্রিস্টাল গ্রোথ পোরাস গ্রাফাইটের সাধারণ পোরোসিটি রেঞ্জ হল 20% ~ 40%। এই বৈশিষ্ট্যটি ভ্যাকুয়াম চেম্বারে গ্যাস প্রবাহকে ছড়িয়ে দিতে সাহায্য করতে পারে এবং জমা প্রক্রিয়া চলাকালীন ফিল্ম স্তরের অভিন্নতাকে প্রভাবিত করা থেকে গ্যাস প্রবাহকে প্রতিরোধ করতে পারে।

সিভিডি প্রক্রিয়ায়, SiC ক্রিস্টাল গ্রোথ পোরাস গ্রাফাইটের ছিদ্রযুক্ত কাঠামো গ্যাসের অভিন্ন বন্টনের জন্য একটি আদর্শ পথ প্রদান করে। প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসটি গ্যাস-ফেজ রাসায়নিক বিক্রিয়ার মাধ্যমে সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠে জমা হয় এবং একটি পাতলা ফিল্ম তৈরি করে। এই প্রক্রিয়াটির জন্য প্রতিক্রিয়াশীল গ্যাসের প্রবাহ এবং বিতরণের সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ প্রয়োজন। ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের 20% ~ 40% ছিদ্র কার্যকরভাবে গ্যাসকে গাইড করতে পারে এবং এটিকে সাবস্ট্রেটের পৃষ্ঠে সমানভাবে বিতরণ করতে পারে, জমা হওয়া ফিল্ম স্তরের অভিন্নতা এবং সামঞ্জস্যতা উন্নত করে।

ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট সাধারণত ফার্নেস টিউব, সাবস্ট্রেট ক্যারিয়ার বা মুখোশ উপকরণ হিসাবে CVD সরঞ্জামে ব্যবহৃত হয়, বিশেষত সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়াগুলিতে যেগুলির জন্য উচ্চ বিশুদ্ধতা সামগ্রীর প্রয়োজন হয় এবং কণা দূষণের জন্য অত্যন্ত উচ্চ প্রয়োজনীয়তা রয়েছে। একই সময়ে, সিভিডি প্রক্রিয়ায় সাধারণত উচ্চ তাপমাত্রা জড়িত থাকে এবং পোরাস গ্রাফাইট 2500 ডিগ্রি সেলসিয়াস পর্যন্ত তাপমাত্রায় এর ভৌত ও রাসায়নিক স্থিতিশীলতা বজায় রাখতে পারে, এটিকে সিভিডি প্রক্রিয়ায় একটি অপরিহার্য উপাদান করে তোলে।

এর ছিদ্রযুক্ত গঠন সত্ত্বেও, SiC ক্রিস্টাল গ্রোথ পোরাস গ্রাফাইটের এখনও 50 MPa এর সংকোচন শক্তি রয়েছে, যা সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের সময় উত্পন্ন যান্ত্রিক চাপ পরিচালনা করার জন্য যথেষ্ট।

চীনের সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট পণ্যগুলির নেতা হিসাবে, ভিটেকসেমি সর্বদা পণ্য কাস্টমাইজেশন পরিষেবা এবং সন্তোষজনক পণ্যের দামকে সমর্থন করে। আপনার নির্দিষ্ট প্রয়োজনীয়তাগুলি কী তা বিবেচনা না করেই আমরা আপনার ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইটের জন্য সর্বোত্তম সমাধানের সাথে মেলে এবং যে কোনও সময় আপনার পরামর্শের অপেক্ষায় থাকব।

SiC ক্রিস্টাল গ্রোথ পোরাস গ্রাফাইটের মৌলিক শারীরিক বৈশিষ্ট্য:

ভেটেক সেমিকন্ডাক্টর সিক স্ফটিক বৃদ্ধি ছিদ্রযুক্ত গ্রাফাইট পণ্য দোকান:

সেমিকন্ডাক্টর চিপ এপিট্যাক্সি শিল্প চেইনের ওভারভিউ: