শিল্প সংবাদ

উচ্চ-বিশুদ্ধতা কোয়ার্টজ উপকরণ সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। তাদের উচ্চতর উচ্চ-তাপমাত্রা প্রতিরোধের, জারা প্রতিরোধের, তাপ স্থিতিশীলতা এবং হালকা সংক্রমণ বৈশিষ্ট্যগুলি তাদের সমালোচনামূলক ভোগ্য সামগ্রী করে তোলে। কোয়ার্টজ পণ্যগুলি ওয়েফার উত্পাদনের উচ্চ-তাপমাত্রা এবং নিম্ন-তাপমাত্রা উভয় অঞ্চলের উপাদানগুলির জন্য ব্যবহৃত হয়, যা উত্পাদন প্রক্রিয়ার স্থিতিশীলতা এবং পরিচ্ছন্নতা নিশ্চিত করে।

বৈশ্বিক শক্তি পরিবর্তন, এআই বিপ্লব এবং নতুন প্রজন্মের তথ্য প্রযুক্তির তরঙ্গের সাথে, সিলিকন কার্বাইড (SiC) তার ব্যতিক্রমী শারীরিক বৈশিষ্ট্যের কারণে একটি "সম্ভাব্য উপাদান" থেকে "কৌশলগত ভিত্তিগত উপাদান" হতে দ্রুত অগ্রসর হয়েছে।

সেমিকন্ডাক্টর উচ্চ-তাপমাত্রার প্রক্রিয়াগুলিতে, ওয়েফারগুলির পরিচালনা, সমর্থনকারী এবং তাপীয় চিকিত্সা একটি বিশেষ সহায়ক উপাদান - ওয়েফার বোটের উপর নির্ভর করে। প্রক্রিয়া তাপমাত্রা বৃদ্ধি এবং পরিচ্ছন্নতা এবং কণা নিয়ন্ত্রণের প্রয়োজনীয়তা বৃদ্ধির সাথে সাথে, ঐতিহ্যগত কোয়ার্টজ ওয়েফার বোটগুলি ধীরে ধীরে স্বল্প পরিষেবা জীবন, উচ্চ বিকৃতির হার এবং দুর্বল ক্ষয় প্রতিরোধের মতো সমস্যাগুলি প্রকাশ করে।

সিলিকন কার্বাইড সাবস্ট্রেটগুলির শিল্প-স্কেল উত্পাদনের জন্য, একক বৃদ্ধির সাফল্য শেষ লক্ষ্য নয়। আসল চ্যালেঞ্জ হল বিভিন্ন ব্যাচ, টুলস এবং সময়কাল জুড়ে উত্থিত ক্রিস্টালগুলি উচ্চ স্তরের ধারাবাহিকতা এবং গুণমানের পুনরাবৃত্তিযোগ্যতা বজায় রাখা। এই প্রেক্ষাপটে, ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণের ভূমিকা মৌলিক সুরক্ষার বাইরে চলে যায়-এটি প্রক্রিয়া উইন্ডোকে স্থিতিশীল করতে এবং পণ্যের ফলনকে সুরক্ষিত করার একটি মূল কারণ হয়ে দাঁড়ায়।

সিলিকন কার্বাইড (SiC) PVT বৃদ্ধিতে গুরুতর তাপীয় সাইক্লিং জড়িত থাকে (রুমের তাপমাত্রা 2200 ℃ এর উপরে)। থার্মাল এক্সপেনশন (CTE) এর সহগগুলির অমিলের কারণে আবরণ এবং গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটের মধ্যে তৈরি হওয়া বিশাল তাপীয় চাপ হল আবরণের জীবনকাল এবং প্রয়োগের নির্ভরযোগ্যতা নির্ধারণের মূল চ্যালেঞ্জ।

সিলিকন কার্বাইড (SiC) PVT স্ফটিক বৃদ্ধি প্রক্রিয়ায়, তাপ ক্ষেত্রের স্থায়িত্ব এবং অভিন্নতা সরাসরি স্ফটিক বৃদ্ধির হার, ত্রুটির ঘনত্ব এবং উপাদানের অভিন্নতা নির্ধারণ করে। সিস্টেমের সীমানা হিসাবে, তাপ-ক্ষেত্রের উপাদানগুলি পৃষ্ঠতলের থার্মোফিজিক্যাল বৈশিষ্ট্যগুলি প্রদর্শন করে যার সামান্য ওঠানামা উচ্চ-তাপমাত্রার পরিস্থিতিতে নাটকীয়ভাবে প্রসারিত হয়, যা শেষ পর্যন্ত বৃদ্ধির ইন্টারফেসে অস্থিরতার দিকে পরিচালিত করে।

ফিজিক্যাল ভ্যাপার ট্রান্সপোর্ট (PVT) পদ্ধতির মাধ্যমে সিলিকন কার্বাইড (SiC) স্ফটিক বৃদ্ধির প্রক্রিয়ায়, 2000-2500 °C এর চরম উচ্চ তাপমাত্রা হল একটি "দ্বিধারী তলোয়ার" — যখন এটি উৎস উপকরণের পরমানন্দ ও পরিবহনকে চালিত করে, এটি নাটকীয়ভাবে তীব্রতর করে, বিশেষ করে ধাতব ক্ষেত্র উপাদানগুলির মধ্যে সমস্ত উপাদানের অশুদ্ধতা থেকে মুক্তি দেয়। প্রচলিত গ্রাফাইট হট-জোন উপাদানের মধ্যে রয়েছে। একবার এই অমেধ্যগুলি বৃদ্ধির ইন্টারফেসে প্রবেশ করলে, তারা সরাসরি ক্রিস্টালের মূল গুণমানকে ক্ষতিগ্রস্ত করবে। এই মৌলিক কারণ কেন ট্যানটালাম কার্বাইড (TaC) আবরণগুলি PVT ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য একটি "ঐচ্ছিক পছন্দ" না হয়ে একটি "বাধ্যতামূলক বিকল্প" হয়ে উঠেছে।

Veteksemicon-এ, আমরা প্রতিদিন এই চ্যালেঞ্জগুলি নেভিগেট করি, উন্নত অ্যালুমিনিয়াম অক্সাইড সিরামিকসকে এমন সমাধানে রূপান্তরিত করতে যা সঠিক বৈশিষ্ট্যগুলি পূরণ করে। সঠিক মেশিনিং এবং প্রক্রিয়াকরণ পদ্ধতি বোঝা অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ, কারণ ভুল পদ্ধতি ব্যয়বহুল বর্জ্য এবং উপাদান ব্যর্থতার দিকে পরিচালিত করতে পারে। আসুন পেশাদার কৌশলগুলি অন্বেষণ করি যা এটি সম্ভব করে।

ওয়েফার কাটার সময় ডাইসিং ওয়াটারে CO₂ প্রবর্তন করা স্ট্যাটিক চার্জ তৈরি এবং কম দূষণের ঝুঁকি দমন করার জন্য একটি কার্যকর প্রক্রিয়া পরিমাপ, যার ফলে ডাইসিং ফলন এবং দীর্ঘমেয়াদী চিপের নির্ভরযোগ্যতা উন্নত হয়।

সিলিকন ওয়েফারগুলি ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট এবং সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির ভিত্তি। তাদের একটি আকর্ষণীয় বৈশিষ্ট্য রয়েছে - সমতল প্রান্ত বা পাশের ছোট খাঁজগুলি। এটি কোনও ত্রুটি নয়, তবে একটি ইচ্ছাকৃতভাবে ডিজাইন করা কার্যকরী মার্কার। আসলে, এই খাঁজটি সমগ্র উত্পাদন প্রক্রিয়া জুড়ে একটি দিকনির্দেশক রেফারেন্স এবং পরিচয় চিহ্নিতকারী হিসাবে কাজ করে।

রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং (CMP) রাসায়নিক বিক্রিয়া এবং যান্ত্রিক ঘর্ষণ এর সম্মিলিত ক্রিয়ার মাধ্যমে অতিরিক্ত উপাদান এবং পৃষ্ঠের ত্রুটিগুলি সরিয়ে দেয়। ওয়েফার পৃষ্ঠের বিশ্বব্যাপী প্ল্যানারাইজেশন অর্জনের জন্য এটি একটি মূল প্রক্রিয়া এবং বহুস্তর তামা আন্তঃসংযোগ এবং নিম্ন-কে ডাইলেকট্রিক কাঠামোর জন্য অপরিহার্য। ব্যবহারিক উত্পাদন মধ্যে

সিলিকন ওয়েফার সিএমপি (কেমিক্যাল মেকানিক্যাল প্লানারাইজেশন) পলিশিং স্লারি সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদন প্রক্রিয়ার একটি গুরুত্বপূর্ণ উপাদান। এটি নিশ্চিত করতে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে যে সিলিকন ওয়েফারগুলি - ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (ICs) এবং মাইক্রোচিপগুলি তৈরি করতে ব্যবহৃত হয় - উত্পাদনের পরবর্তী ধাপগুলির জন্য প্রয়োজনীয় মসৃণতার সঠিক স্তরে পালিশ করা হয়।

সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে, কেমিক্যাল মেকানিক্যাল প্লানারাইজেশন (সিএমপি) একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে। সিএমপি প্রক্রিয়া সিলিকন ওয়েফারের পৃষ্ঠকে মসৃণ করতে রাসায়নিক এবং যান্ত্রিক ক্রিয়াগুলিকে একত্রিত করে, যা পরবর্তী পদক্ষেপগুলির জন্য একটি অভিন্ন ভিত্তি প্রদান করে যেমন পাতলা-ফিল্ম জমা এবং এচিং। সিএমপি পলিশিং স্লারি, এই প্রক্রিয়ার মূল উপাদান হিসাবে, পলিশিং দক্ষতা, পৃষ্ঠের গুণমান এবং পণ্যের চূড়ান্ত কার্যকারিতাকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রভাবিত করে

ওয়েফার সিএমপি পলিশিং স্লারি একটি বিশেষভাবে তৈরি তরল উপাদান যা সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের সিএমপি প্রক্রিয়াতে ব্যবহৃত হয়। এটি জল, রাসায়নিক এচেন্ট, ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম, এবং surfactants গঠিত, রাসায়নিক এচিং এবং যান্ত্রিক পলিশিং উভয়ই সক্ষম করে।

সিলিকন কার্বাইড ঘষিয়া তুলিয়া ফেলিতে সক্ষম সাধারণত প্রাথমিক কাঁচামাল হিসাবে কোয়ার্টজ এবং পেট্রোলিয়াম কোক ব্যবহার করে উত্পাদিত হয়। প্রস্তুতিমূলক পর্যায়ে, ফার্নেস চার্জে রাসায়নিকভাবে অনুপাতে হওয়ার আগে এই উপকরণগুলি পছন্দসই কণার আকার অর্জনের জন্য যান্ত্রিক প্রক্রিয়াকরণের মধ্য দিয়ে যায়।

গত কয়েক বছর ধরে, প্যাকেজিং প্রযুক্তির কেন্দ্র পর্যায়ে ধীরে ধীরে একটি আপাতদৃষ্টিতে "পুরাতন প্রযুক্তি" - CMP (কেমিক্যাল মেকানিক্যাল পলিশিং) এর কাছে হস্তান্তর করা হয়েছে। হাইব্রিড বন্ডিং যখন নতুন প্রজন্মের উন্নত প্যাকেজিংয়ের প্রধান ভূমিকায় পরিণত হয়, তখন CMP ধীরে ধীরে পর্দার আড়াল থেকে স্পটলাইটে চলে যাচ্ছে।