পণ্য

Vetek CVD TaC প্রলিপ্ত সাসেপ্টর হল একটি নির্ভুল সমাধান যা বিশেষভাবে উচ্চ-কর্মক্ষমতা MOCVD এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য তৈরি করা হয়েছে। এটি 1600 ডিগ্রি সেলসিয়াসের চরম উচ্চ-তাপমাত্রার পরিবেশে চমৎকার তাপীয় স্থিতিশীলতা এবং রাসায়নিক জড়তা প্রদর্শন করে। VETEK-এর কঠোর CVD জমা করার প্রক্রিয়ার উপর নির্ভর করে, আমরা ওয়েফার বৃদ্ধির অভিন্নতা উন্নত করতে, মূল উপাদানগুলির পরিষেবা জীবন বাড়ানো এবং আপনার সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের প্রতিটি ব্যাচের জন্য স্থিতিশীল এবং নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা গ্যারান্টি প্রদান করতে প্রতিশ্রুতিবদ্ধ।

ভেটেক্সেমিকন সলিড সিলিকন কার্বাইড (SiC) ফোকাসিং রিং হল একটি গুরুত্বপূর্ণ ব্যবহারযোগ্য উপাদান যা উন্নত সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সি এবং প্লাজমা এচিং প্রক্রিয়াগুলিতে ব্যবহৃত হয়, যেখানে প্লাজমা বিতরণ, তাপীয় অভিন্নতা এবং ওয়েফার প্রান্তের প্রভাবগুলির সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণ অপরিহার্য। উচ্চ-বিশুদ্ধতা কঠিন সিলিকন কার্বাইড থেকে তৈরি, এই ফোকাসিং রিংটি ব্যতিক্রমী প্লাজমা ক্ষয় প্রতিরোধ, উচ্চ-তাপমাত্রার স্থায়িত্ব এবং রাসায়নিক জড়তা প্রদর্শন করে, যা আক্রমনাত্মক প্রক্রিয়া অবস্থার অধীনে নির্ভরযোগ্য কর্মক্ষমতা সক্ষম করে। আমরা আপনার তদন্তের জন্য উন্মুখ.

সিলিকন কার্বাইড স্ফটিক বৃদ্ধি উচ্চ-কর্মক্ষমতা সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের উত্পাদন একটি মূল প্রক্রিয়া. স্ফটিক বৃদ্ধির সরঞ্জামগুলির স্থায়িত্ব, নির্ভুলতা এবং সামঞ্জস্যতা সরাসরি সিলিকন কার্বাইড ইনগটের গুণমান এবং ফলন নির্ধারণ করে। ফিজিক্যাল ভ্যাপার ট্রান্সপোর্ট (PVT) প্রযুক্তির বৈশিষ্ট্যের উপর ভিত্তি করে, Veteksemi সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টাল বৃদ্ধির জন্য একটি রেজিস্ট্যান্স হিটিং ফার্নেস তৈরি করেছে, যা 6-ইঞ্চি, 8-ইঞ্চি, এবং 12-ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড ক্রিস্টালের স্থিতিশীল বৃদ্ধি সক্ষম করে যাতে সম্পূর্ণ সামঞ্জস্যপূর্ণ এবং উপাদান-পরিবাহী, আধা-পরিবাহী সিস্টেমের সাথে। তাপমাত্রা, চাপ এবং শক্তির সুনির্দিষ্ট নিয়ন্ত্রণের মাধ্যমে, এটি কার্যকরভাবে EPD (Etch Pit Density) এবং BPD (বেসাল প্লেন ডিসলোকেশন) এর মতো স্ফটিক ত্রুটিগুলি হ্রাস করে, যেখানে কম শক্তি খরচ এবং শিল্প বড় আকারের উত্পাদনের উচ্চ মান পূরণের জন্য একটি কম্প্যাক্ট ডিজাইন বৈশিষ্ট্যযুক্ত।

SiC বীজ বন্ধন প্রযুক্তি হল একটি মূল প্রক্রিয়া যা ক্রিস্টাল বৃদ্ধিকে প্রভাবিত করে৷ VETEK এই প্রক্রিয়ার বৈশিষ্ট্যগুলির উপর ভিত্তি করে বীজ বন্ধনের জন্য একটি বিশেষ ভ্যাকুয়াম হট-প্রেস ফার্নেস তৈরি করেছে৷ চুল্লি বীজ বন্ধন প্রক্রিয়ার সময় উত্পন্ন বিভিন্ন ত্রুটিগুলি কার্যকরভাবে কমাতে পারে, যার ফলে ফলন এবং ক্রিস্টাল ইঙ্গটের চূড়ান্ত গুণমান উন্নত হয়।

Veteksemicon SiC প্রলিপ্ত Epitaxial Reactor চেম্বার হল একটি মূল উপাদান যা সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রক্রিয়ার চাহিদার জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। উন্নত রাসায়নিক বাষ্প জমা (CVD) ব্যবহার করে, এই পণ্যটি একটি উচ্চ-শক্তির গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটের উপর একটি ঘন, উচ্চ-বিশুদ্ধতা SiC আবরণ তৈরি করে, যার ফলে উচ্চতর উচ্চ-তাপমাত্রা স্থিতিশীলতা এবং ক্ষয় প্রতিরোধ হয়। এটি কার্যকরভাবে উচ্চ-তাপমাত্রা প্রক্রিয়া পরিবেশে বিক্রিয়াকারী গ্যাসের ক্ষয়কারী প্রভাবকে প্রতিরোধ করে, উল্লেখযোগ্যভাবে কণা দূষণকে দমন করে, সামঞ্জস্যপূর্ণ এপিটাক্সিয়াল উপাদানের গুণমান এবং উচ্চ ফলন নিশ্চিত করে এবং প্রতিক্রিয়া চেম্বারের রক্ষণাবেক্ষণ চক্র এবং জীবনকালকে উল্লেখযোগ্যভাবে প্রসারিত করে। SiC এবং GaN-এর মতো ওয়াইড-ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরগুলির উত্পাদন দক্ষতা এবং নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করার জন্য এটি একটি মূল পছন্দ।

ভেটেক্সেমিকন থেকে সিলিকন ক্যাসেট বোট হল একটি নির্ভুল-ইঞ্জিনীয়ারযুক্ত ওয়েফার ক্যারিয়ার যা বিশেষত উচ্চ-তাপমাত্রার সেমিকন্ডাক্টর ফার্নেস অ্যাপ্লিকেশনের জন্য তৈরি করা হয়েছে, যার মধ্যে অক্সিডেশন, ডিফিউশন, ড্রাইভ-ইন এবং অ্যানিলিং অন্তর্ভুক্ত রয়েছে। অতি-উচ্চ-বিশুদ্ধতার সিলিকন থেকে তৈরি এবং উন্নত দূষণ-নিয়ন্ত্রণ মানগুলিতে সমাপ্ত, এটি একটি তাপগতভাবে স্থিতিশীল, রাসায়নিকভাবে নিষ্ক্রিয় প্ল্যাটফর্ম সরবরাহ করে যা সিলিকন ওয়েফারগুলির বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে ঘনিষ্ঠভাবে মেলে। এই প্রান্তিককরণ তাপীয় চাপকে কমিয়ে দেয়, স্লিপ এবং ত্রুটির গঠন হ্রাস করে এবং সমগ্র ব্যাচ জুড়ে ব্যতিক্রমীভাবে অভিন্ন তাপ বিতরণ নিশ্চিত করে