সিলিকন কার্বাইড আবরণ

ভিটসেমিকন থেকে সিভিডি সিসি লেপা গ্রাফাইট শাওয়ার হেড একটি উচ্চ-কর্মক্ষমতা উপাদান যা বিশেষত সেমিকন্ডাক্টর রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (সিভিডি) প্রক্রিয়াগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। উচ্চ-বিশুদ্ধতা গ্রাফাইট থেকে উত্পাদিত এবং রাসায়নিক বাষ্প ডিপোজিশন (সিভিডি) সিলিকন কার্বাইড (এসআইসি) লেপ দিয়ে সুরক্ষিত, এই ঝরনা মাথাটি অসামান্য স্থায়িত্ব, তাপীয় স্থায়িত্ব এবং ক্ষয়কারী প্রক্রিয়া গ্যাসগুলির প্রতিরোধের সরবরাহ করে। আপনার আরও পরামর্শের অপেক্ষায় রয়েছি।

ভিটসেমিকন দ্বারা সিলিকন কার্বাইড লেপ ওয়েফার হোল্ডার এমওসিভিডি, এলপিসিভিডি এবং উচ্চ-তাপমাত্রার অ্যানিলিংয়ের মতো উন্নত অর্ধপরিবাহী প্রক্রিয়াগুলিতে নির্ভুলতা এবং পারফরম্যান্সের জন্য ইঞ্জিনিয়ারড। অভিন্ন সিভিডি এসআইসি লেপ সহ, এই ওয়েফার ধারক ব্যতিক্রমী তাপ পরিবাহিতা, রাসায়নিক জড়তা এবং যান্ত্রিক শক্তি নিশ্চিত করে-দূষণমুক্ত, উচ্চ-ফলন ওয়েফার প্রসেসিংয়ের জন্য প্রয়োজনীয়।

ভিটেকসেমিকন উচ্চ-বিশুদ্ধতা সিক এজ রিংগুলি, বিশেষত সেমিকন্ডাক্টর এচিং সরঞ্জামগুলির জন্য ডিজাইন করা, অসামান্য জারা প্রতিরোধ এবং তাপীয় স্থায়িত্ব বৈশিষ্ট্যযুক্ত, ওয়েফার ফলন উল্লেখযোগ্যভাবে বাড়ানো

সিলিকন কার্বাইড লেপ পণ্যগুলির শীর্ষস্থানীয় চীনা প্রস্তুতকারক এবং সরবরাহকারী হিসাবে, ভিটেকসেমিকনের এসআইসি লেপযুক্ত ওয়েফার ক্যারিয়ার এচিংয়ের জন্য তার দুর্দান্ত উচ্চ তাপমাত্রার স্থিতিশীলতা, অসামান্য জারা প্রতিরোধের এবং উচ্চ তাপীয় পরিবাহিতা সহ এচিং প্রক্রিয়াতে একটি অপূরণীয় মূল ভূমিকা পালন করে।

ভিটেকসেমিকনের সিভিডি সিক লেপা ওয়েফার সংবেদনশীল হ'ল সেমিকন্ডাক্টর এপিটাক্সিয়াল প্রক্রিয়াগুলির জন্য একটি কাটিয়া প্রান্ত সমাধান, অতি-উচ্চ বিশুদ্ধতা (≤100ppb, আইসিপি-ই 10 প্রত্যয়িত) এবং গাএন, এসআইসি এবং সিলিকোন-ভিত্তিক এপিআই-লেয়ার-ভিত্তিক এপিআই-এর দূষণ-প্রতিরোধী বৃদ্ধির জন্য ব্যতিক্রমী তাপ/রাসায়নিক স্থিতিশীলতা সরবরাহ করে। নির্ভুলতা সিভিডি প্রযুক্তির সাথে ইঞ্জিনিয়ারড, এটি 6 "/8"/12 "ওয়েফারকে সমর্থন করে, ন্যূনতম তাপীয় চাপ নিশ্চিত করে এবং 1600 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড পর্যন্ত চরম তাপমাত্রা সহ্য করে।

আমাদের এসআইসি প্রলিপ্ত গ্রহীয় সংজ্ঞাবহ অর্ধপরিবাহী উত্পাদন উচ্চ তাপমাত্রা প্রক্রিয়ার একটি মূল উপাদান। এর নকশাটি তাপীয় পরিচালনার কর্মক্ষমতা, রাসায়নিক স্থিতিশীলতা এবং যান্ত্রিক শক্তির বিস্তৃত অপ্টিমাইজেশন অর্জনের জন্য সিলিকন কার্বাইড লেপের সাথে গ্রাফাইট সাবস্ট্রেটকে একত্রিত করে।